【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
制备电致发光器件,都必须考虑电极这个重要环节。传统的方法是使用光刻法制备第一电极、掩膜法制备第二电极,即第一电极直接光刻而第二电极用事先光刻好的模板挡住某些位置而另一些位置漏过欲蒸镀的导电材料(比如铝、银或金等)。制得的第二电极的形状与模板的光刻图样相同。但是,由于机械加工精度和模板材料的局限性,电极的条纹比较粗糙,同时在掩膜过程中存在对板困难、易对有机层造成物理损伤等问题,无法满足现代平板显示高分辨率的要求。1994年,C.W.Tang公开了一种美国专利,“有机电致发光图象显示器件”,专利号5,276,380。用光刻的办法直接在导电ITO玻璃上,预制与ITO条纹垂直的隔离柱的技术。该技术之目的是取代掩膜技术,提高矩阵屏的分辨率。但是,该技术存在缺点首先,容易短路;因为有机层在隔离柱与ITO的接触面附近比较薄,使得此处的电极材料有渗透到下面的阳极ITO之上的可能;其次,当此项技术应用于聚合物电致发光器件(POLED)时,由于旋涂有机层时隔离柱已存在,无法获得厚度均匀的有机层,必须使用昂贵复杂的喷墨打印技术。
技术实现思路
本专利技术要解 ...
【技术保护点】
一种电致发光矩阵器件的制备方法,在玻璃衬底上使用光刻法制备第一电极,在第一电极上旋涂或蒸镀有机层,在有机层上制备绝缘光刻保护薄层,在绝缘光刻保护薄层上制备第二电极;其特征在于,制备第二电极的具体步骤为:(1)在绝缘光刻保护薄层上制备 一层绝缘光刻胶,厚度大于等于1微米;(2)按照欲制备的第二电极的条纹宽度及条纹间隔距离要求,使用光刻法对光刻胶层进行刻蚀;(3)使用常规方法清洗、烘干并冷却后,剩余的绝缘光刻胶即形成与第一电极条纹垂直的沟道-第二电极隔离柱; (4)在第二电极隔离柱之间使用蒸镀法制备第二电极,厚度小于第二电极隔离柱高度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:邓振波,陈征,徐登辉,肖静,李秀芳,
申请(专利权)人:北京交通大学,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
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