发光装置的制造方法以及发光装置制造方法及图纸

技术编号:3713855 阅读:147 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种发光装置的制造方法及发光装置。该发光装置具有密封在基板(10)与密封体(32)之间的发光体(16)。该发光装置的制造方法包括:在基板(10)的表面上形成由发光材料构成的发光层(L)的工序;形成局部覆盖发光层(L)的密封体(32)的工序;和通过将密封体(32)作为掩模的等离子体处理除去发光层(L)中未被该密封体(32)覆盖的部分,来形成发光体(16)的工序。这样,能够有效地除去发光层的不要部分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用了有机EL(Electroluminescent)材料等发光材料的发光装置的制造方法,以及使用该制造方法制造的发光装置。
技术介绍
这种发光装置具有形成在基板表面上的发光体。发光体通过选择性地除去例如覆盖基板的发光材料的膜体(下面称作“发光层”),而形成所期望的形状。在专利文献1与专利文献2中,公开了一种通过对覆盖基板的发光层照射激光,而选择性地除去发光层的技术(下面称作“激光磨蚀技术(laser abrasion)”)。但是,在激光磨蚀技术中,由于必须一个一个地除去微小区域的发光层,所以,完全除去所希望的区域需要大量的时间。特别是,由于在基板表面中排列有对发光装置输入信号的端子的区域(例如,安装有IC芯片的区域)比较宽,所以,为了完全除去分布在该区域的发光层,需要花费相当的时间。而且,由于因激光照射而从发光层飞散的灰尘会附着在各部,所以,需要用于除去灰尘的工序。这样,在利用激光磨蚀技术的情况下,难以高效地除去发光层,结果,产生发光装置的生产率被限制的问题。专利文献1特开平8-222371号公报专利文献2特开平9-320760号公报
技术实现思路
本专利技术鉴于这样的情况,其目的在于有效地除去发光层的不要部分。为了解决上述课题,本专利技术所涉及的制造方法的第一特征在于,是一种制造在基板和密封体之间密封有发光体的发光装置的方法,包括发光层形成工序,其在基板的表面上形成由发光材料构成的发光层(例如图2的工序A2);密封工序,形成局部覆盖发光层的密封体(例如图3的工序B3);和除去工序,通过将密封体作为掩模,除去发光层中未被该密封体覆盖的部分来形成发光体(例如图3的工序B4)。根据该方法,由于将密封体作为掩模除去发光层中未被该密封体覆盖的部分,所以,与通过激光磨蚀技术除去发光层所有的不要部分相比,可以高效地除去发光层。并且,由于将构成发光装置的要素,即密封体作为掩模而使用,所以,和不利用构成发光装置的要素而另外形成掩模的情况相比,可以实现制造工序的简单化和制造成本的降低。另外,该制造方法的具体例作为第一实施方式将在后面进行叙述。此外,本专利技术所谓的“密封”,除了通过封闭在密封体与基板之间、使发光体的整体与外部气体完全隔离的情况,还包括仅将发光体的特定部分与外部气体隔离的情况。即,即使在发光体与外部气体局部接触的情况下(例如图1所示,发光体16的侧面163从密封体露出的情况),如果其他部分通过密封体和基板的共同作用而与外部气体隔离,则也包含在本专利技术的“密封”概念中。第一特征所涉及的制造方法的优选方式,包括布线形成工序,在发光层形成工序之前,在基板的表面上形成布线(例如图2的工序A1);导通用除去工序,除去发光层中与布线重合的部分(例如图3的工序B1);和导通工序,通过由导通用除去工序除去后的部分,使布线和覆盖发光层的电极导通(例如图3的工序B2)。根据该方式,能够通过除去了发光层的部分,使布线和电极可靠地导通。另外,导通工序也可以是在导通用除去工序之前,通过遍布布线和电极地形成与在发光层表面上形成的电极独立的导电体(例如图1的第四电极24),而使二者导通的工序,还可以是将位于发光层表面上的电极形成为其一部分与布线接触的形状的工序。并且,在导通用除去工序中,局部除去发光层的方法是任意的。例如,发光层中与布线重合的部分,可以通过激光磨蚀技术除去,也可以通过机械研磨除去。而且,本专利技术的一个方式所涉及的发光装置,包括基板(例如图1的基板10)、由发光材料形成在基板表面上的发光体(例如图1的发光体16)、和设置在基板上并覆盖发光体的密封体(例如图1的密封体32),其中密封体的侧面(323)与发光体的侧面(163)位于近似同一面内(例如图1的平面P1内)。在该发光装置中,由于密封体的侧面和发光体的侧面位于大致同一面内,所以,能够在发光装置周边极小的面积内有效地配置阳极和阴极的输入端子部分、或者发光装置的布线部分。例如在将该发光装置应用于显示装置时,可实现所谓的窄边显示装置。本专利技术所涉及的制造方法的第二特征在于,是一种制造在相互对置的第一电极和第二电极之间夹设发光体的发光装置的方法,包括发光层形成工序,在基板的表面上形成由发光材料构成的发光层(例如图2的工序A2);第二电极形成工序,形成局部覆盖发光层的第二电极(例如图2的工序A3);第三电极形成工序,在发光层的表面上形成覆盖第二电极表面以及侧面的第三电极(例如图2的工序A4);和除去工序,通过将第三电极作为掩模除去发光层中未被该第三电极覆盖的部分,来形成发光体(例如图5的工序C1)。根据该制造方法,由于将第三电极作为掩模除去发光层中未被该第三电极覆盖的部分,所以,与通过激光磨蚀技术除去发光层所有的不要部分相比,可以高效地除去发光层。并且,由于将构成发光装置的要素,即第三电极作为掩模而使用,所以,和不利用构成发光装置的要素而另外形成掩模的情况相比,可以实现制造工序的简单化和制造成本的降低。另外,该制造方法的具体例作为第二实施方式将在后面进行叙述。可是,在第二电极从第三电极局部露出的构成(例如第二电极的侧面从第三电极露出的构成)中,当将第三电极作为掩模除去发光层时,有可能使第二电极中从第三电极露出的部分劣化或损伤。例如,在除去工序中通过蚀刻除去发光层时,有可能因蚀刻液的附着而损伤第二电极,或者在除去工序中通过等离子体处理除去发光层时,因等离子体的附着而损伤第二电极。对此,根据本专利技术的第二特征所涉及的制造方法,由于第二电极的表面以及侧面被第三电极覆盖,所以,无论在除去工序中通过何种方法除去发光层,都不会在第二电极上附着该处理所使用的物质(蚀刻液或等离子体)。因此,根据本专利技术,存在有效防止第二电极的劣化与损伤的优点。这样,由于实现了第二电极的保护,所以,本专利技术的第二特征所涉及的制造方法,优选适用于在除去工序中由比第三电极容易劣化的材料(即,相对除去发光层所使用的物质,反应性比第三电极高的材料)形成第二电极的情况。在第二特征所涉及的制造方法中,也与第一特征所涉及的制造方法同样,在与基板之间设置有密封发光体的密封体。在该设置该密封体的密封工序中(例如图5的工序C3),优选将密封体接合在基板中通过除去工序除去了发光层的区域。根据该方式,由于在密封体与基板之间不夹设发光层(发光体),所以,能够相对基板稳定地固定密封体。并且,由于发光体在密封体和基板之间不露出,所以,可防止因水分或外部气体的附着而引起发光层的劣化。在第二特征所涉及的制造方法的优选方式中,进一步实施在发光层形成工序之前,在基板的表面上形成布线的工序(例如图2的工序A1),在除去工序中,进一步实施除去发光层中与布线重合的部分,通过由除去工序所除去的部分使布线和第三电极导通的形成第四电极的工序(例如图5的工序C2)。根据该方式,通过除去了发光层的部分能够可靠地使布线与电极导通。而且,由于在除去发光层中未被第三电极覆盖的部分的工序中,制作了用于使布线和第三电极导通的构造,所以,与在除去工序之外另外形成使布线和第三电极导通的构造(例如设置在发光层的贯通孔)的情况相比,实现了制造工序的效率化。本专利技术的一个方式所涉及的发光装置,包括基板(例如图4的基板10)、形成在基板表面上的第一电极(例如图4的第一电极12)、形成在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置的制造方法,是一种制造在基板和密封体之间密封有发光体的发光装置的方法,包括:发光层形成工序,在所述基板的表面上形成由发光材料构成的发光层;密封工序,形成局部覆盖所述发光层的所述密封体;和除去工序,通过将所 述密封体作为掩模,除去所述发光层中未被该密封体覆盖的部分来形成所述发光体。

【技术特征摘要】
JP 2005-9-2 2005-254495;JP 2006-5-25 2006-1452261.一种发光装置的制造方法,是一种制造在基板和密封体之间密封有发光体的发光装置的方法,包括发光层形成工序,在所述基板的表面上形成由发光材料构成的发光层;密封工序,形成局部覆盖所述发光层的所述密封体;和除去工序,通过将所述密封体作为掩模,除去所述发光层中未被该密封体覆盖的部分来形成所述发光体。2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于,包括布线形成工序,在所述发光层形成工序之前,在所述基板的表面上形成布线;导通用除去工序,除去所述发光层中与所述布线重合的部分;和导通工序,通过由所述导通用除去工序除去后的部分,使所述布线和覆盖所述发光层的电极导通。3.一种发光装置,其采用权利要求1所述的发光装置的制造方法制造而成,包括基板;由发光材料形成在所述基板表面上的发光体;和设置在所述基板上并覆盖所述发光体的密封体,所述密封体的侧面与所述发光体的侧面位于近似同一面内。4.一种发光装置的制造方法,是一种制造在相互对置的第一电极和第二电极之间夹设发光体的发光装置的方法,包括发光层形成工序,在基板的表面上形成由发光材料构成的发光层;第二电极形成工序,形成局部覆盖所述发光层的所述第二电极;第三电极形成工序,在所述发光层的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员:世良博石黑英人
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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