空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体领域，提供一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括半导体衬底、漂移区、体区、阱区、源极、漏极以及栅极，还包括：场板以及场板隔离结构，场板隔离结构包括空气介质腔和氧化层，空气介质腔形成于漂移区内，氧化层用于封闭空气介质腔，场板形成于氧化层的表面。本发明专利技术采用封闭的空气介质腔作为场板隔离介质层，相对于采用二氧化硅场板隔离介质层，本发明专利技术的空气介质腔中的空气与漂移区的硅直接接触，彻底消除SiO

【技术实现步骤摘要】
空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，具体地涉及一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件以及一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件的制造方法。

技术介绍

[0002]横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double
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diffused MOSFET，简称LDMOS）具有耐压高、功耗低、大电流驱动能力等特点，广泛采用于电源管理电路中。
[0003]LDMOSFET器件的场板结构通常设置在器件表面附近，以降低器件的表面电场，提高击穿电压。场板结构包括场板和场板隔离介质层，场板隔离介质层的制作方法主要有硅局部氧化隔离（LocalOxidation of Silicon，简称LOCOS）工艺和浅沟槽隔离（Shallow trench isolation，简称STI）工艺，均使用二氧化硅作为隔离介质。但是，由于LDMOSFET器件的工作电压很高，作为隔离介质的二氧化硅与硅的界面处会产生界面态（界面态是指硅与二氧化硅界面处而能值位于硅禁带中的一些分立或连续的电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件，包括半导体衬底、漂移区、体区、阱区、源极、漏极以及栅极，其特征在于，还包括：场板以及场板隔离结构，所述场板隔离结构包括空气介质腔和氧化层，所述空气介质腔形成于漂移区内，所述氧化层用于封闭所述空气介质腔，所述场板形成于所述氧化层的表面。2.根据权利要求1所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件，其特征在于，所述氧化层包括第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层具有与空气介质腔连通的缺口，所述第二氧化层形成于所述第一氧化层的表面，以覆盖所述第一氧化层的缺口。3.根据权利要求2所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件，其特征在于，所述场板隔离结构通过以下方式形成：在漂移区形成沟槽；在沟槽内填充氮化硅，在填充氮化硅的沟槽表面形成第一氧化层；在第一氧化层上形成纵向的缺口，沿缺口进行刻蚀去除沟槽内的氮化硅，形成空气介质腔；在第一氧化层的表面形成第二氧化层，以覆盖第一氧化层的缺口形成封闭的空气介质腔。4.根据权利要求3所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件，其特征在于，在第一氧化层的表面形成第二氧化层，包括：在第一氧化层的表面粘接含有氧化层的陪片晶圆，对第一氧化层的缺口进行覆盖；去除陪片晶圆上的硅，保留陪片晶圆上的氧化层；对陪片晶圆的氧化层进行减薄处理形成为第二氧化层。5.根据权利要求3所述的空气介质场板隔离的LDMOSFET器件，其特征在于，在第一氧化层的表面形成第二氧化层，包括：在第一氧化层的表面涂覆含有二氧化硅的粘稠液体材料，在高温条件下使粘稠液体材料挥发形成固态的二氧化硅层，固态的二氧化硅层作为第二氧化层对第一氧化层的缺口进行覆盖，形成封闭的空气介质腔。6.一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成阱区、漂移区和体区；在漂移区形成沟槽；在沟槽内填充氮化硅，在填充氮化硅的沟槽表面形成第一氧化层；在第一氧化层上形成纵向的缺口，沿缺口进行刻蚀去除沟槽内的氮化硅，形成空气介质腔；覆盖第一氧化层的缺口，形成具有封闭的空气介质腔的场板隔离结构；在场板隔离结构上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：余山，陈燕宁，付振，刘芳，赵扬，朱松超，刘春颖，邵亚利，沈美根，鹿祥宾，李君建，
申请(专利权)人：北京芯可鉴科技有限公司，
类型：发明
国别省市：