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本发明涉及半导体领域，提供一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括半导体衬底、漂移区、体区、阱区、源极、漏极以及栅极，还包括：场板以及场板隔离结构，场板隔离结构包括空气介质腔和氧化层，空气介质腔形成于漂...
该专利属于北京芯可鉴科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京芯可鉴科技有限公司授权不得商用。

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