【技术实现步骤摘要】
本申请涉及esd保护，具体涉及一种直流瞬态混合触发高压esd保护电路及一种芯片。
技术介绍
1、集成电路中的芯片在应用过程中，经常会遇到esd(静电放电)事件的干扰，若不加保护，则esd放电产生的高压和电流可能损坏芯片，所以集成电路通常需要esd保护电路进行防护。esd的防护能力为芯片的重要指标，而esd保护电路的效率，即泄放esd电流的能力与面积的比例若较低则会大幅增加芯片的面积，增加成本与功耗。传统的esd保护电路通常使用nmos栅极源极接地，漏极接电源，从而够成ggnmos结构，但是，在高压集成电路中，nldmos在接成ggnmos结构时通常效率很低。
技术实现思路
1、本申请实施例的目的是提供一种直流瞬态混合触发高压esd保护电路及芯片，以解决上述问题。
2、为了实现上述目的，本申请第一方面提供一种直流瞬态混合触发高压esd保护电路，包括：
3、瞬态触发单元、直流触发单元及泄放单元；
4、所述瞬态触发单元用于在esd发生时在预设时间向所述泄放单元提供一电信号以控制所述泄放单元导通以泻放esd电流；
5、所述直流触发单元用于在esd电压高于阈值电压时控制所述泄放单元导通以泻放esd电流。
6、可选地，所述瞬态触发单元包括：
7、第一电容及第一电阻；
8、所述第一电容的第一端与电源连接，所述第一电容的第二端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端接地。
9、可选地，所述瞬态触
10、第一高压晶体管元件；
11、所述第一高压晶体管元件的栅极与所述第一电容的第二端及所述第一电阻的第一端连接；
12、所述第一高压晶体管元件的漏极与电源连接，所述第一高压晶体管元件的源极接地。
13、可选地，所述直流触发单元包括：
14、第一二极管及第二电阻；
15、所述第一二极管的负极与电源连接，所述第一二极管的正极与所述第一高压晶体管元件的源极及所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端接地。
16、可选地，所述泄放单元包括：
17、第二高压晶体管元件；
18、所述第二高压晶体管元件的栅极与所述第一二极管的正极及所述第二电阻的第一端连接，所述第二高压晶体管元件的漏极与电源连接，所述第二高压晶体管元件的源极接地；
19、所述第一高压晶体管元件及所述第二高压晶体管元件为n型晶体管元件。
20、可选地，所述保护电路还包括：
21、第二二极管；
22、所述第二二极管的负极与所述第一高压晶体管元件的栅极连接，所述第二二极管的正极与所述第二电阻的第一端连接。
23、可选地，所述保护电路还包括：
24、第三二极管；
25、所述第三二极管的负极与所述第二高压晶体管元件的栅极连接，所述第三二极管的正极接地。
26、可选地，所述第一二极管为高压二极管，所述第二二极管为低压二极管。
27、可选地，所述第一二极管的击穿电压高于电源电压，且所述第一二极管的击穿电压低于所述第二高压晶体管元件的击穿电压。
28、本申请第二方面，提供一种芯片，包括：
29、上述的直流瞬态混合触发高压esd保护电路。
30、本申请通过构建瞬态触发单元和直流触发单元两条esd电流泄放路径，从而实现在esd事件发生时，同时可以通过瞬态触发单元和直流触发单元两条路径打开对应的泄放单元进行esd电流的泄放，瞬态触发单元具有响应速度快的特点，直流触发单元具有直流触发适应任何脉冲长度的特点，通过构建瞬态触发与直流触发的电路结构，从而能够保证无论esd事件脉冲长短均可打开对应泄放单元进行泄放，具有电路面积小，响应速度快的优点。
31、本申请实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种直流瞬态混合触发高压ESD保护电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的直流瞬态混合触发高压ESD保护电路，其特征在于，所述瞬态触发单元包括：
3.根据权利要求2所述的直流瞬态混合触发高压ESD保护电路，其特征在于，所述瞬态触发单元还包括：
4.根据权利要求3所述的直流瞬态混合触发高压ESD保护电路，其特征在于，所述直流触发单元包括：
5.根据权利要求4所述的直流瞬态混合触发高压ESD保护电路，其特征在于，所述泄放单元包括：
6.根据权利要求5所述的直流瞬态混合触发高压ESD保护电路，其特征在于，所述保护电路还包括：
7.根据权利要求6所述的直流瞬态混合触发高压ESD保护电路，其特征在于，所述保护电路还包括：
8.根据权利要求7所述的直流瞬态混合触发高压ESD保护电路，其特征在于，所述第一二极管为高压二极管，所述第二二极管为低压二极管。
9.根据权利要求8所述的直流瞬态混合触发高压ESD保护电路，其特征在于，所述第一二极管的击穿电压高于电源电压，且所述第一二极管的击穿电
10.一种芯片，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种直流瞬态混合触发高压esd保护电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的直流瞬态混合触发高压esd保护电路，其特征在于，所述瞬态触发单元包括：
3.根据权利要求2所述的直流瞬态混合触发高压esd保护电路，其特征在于，所述瞬态触发单元还包括：
4.根据权利要求3所述的直流瞬态混合触发高压esd保护电路，其特征在于，所述直流触发单元包括：
5.根据权利要求4所述的直流瞬态混合触发高压esd保护电路，其特征在于，所述泄放单元包括：
6.根据权利要求5所述的直流瞬态混合...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵亚利，张庆平，解尧明，刘芳，闫振华，李东镁，沈美根，朱松超，
申请(专利权)人：北京芯可鉴科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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