【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，具体地涉及一种igbt保护电路以及一种芯片。
技术介绍
1、igbt(insulate-gate bipolar transistor，绝缘栅双极晶体管)是由双极型晶体管和mos管组合而成的复合全控型电压驱动式器件，综合了电力晶体管gtr(gianttransistor)和场效应晶体管mosfet的优点，具有电流密度大、饱和压降低、开关速度快等优点，广泛应用于工业、汽车等领域。通常，igbt的工作环境比较恶劣，易受电磁干扰影响，因此围绕igbt的保护电路应运而生。在变频器等工业应用中，存在因上电时序不一致或电磁干扰等状况引发的igbt误导通问题，会进一步导致igbt桥臂直通，造成系统故障等问题。
2、现有的一种防止上电瞬间误输出的igbt保护电路，如图1所示，通过在输出端out与驱动管n1的栅极之间并联一个阻值较大的电阻r1，达到主动为驱动管n1的栅极充电，防止上电瞬间igbt误导通的目的。但是，由于电阻r1的阻值较大，会导致响应速度变慢；并且当芯片正常工作，输出端out为高电平时，电阻r1将始终有电流通过，功耗较大。
技术实现思路
1、为了解决上述技术缺陷，本专利技术提供一种igbt保护电路，防止在上电瞬间igbt误导通，并提高响应速度。
2、本专利技术提供一种igbt保护电路，包括：开关管、第一驱动管以及第二驱动管；
3、所述第一驱动管的栅极连接第一输入信号；
4、所述第二驱动管的栅极连接第二输入信号；
5、所述第一驱动管的漏极与所述第二驱动管的漏极相连，所述第一驱动管的漏极与所述第二驱动管的漏极相连的公共点作为驱动信号输出点，用于输出驱动igbt的驱动信号；
6、所述开关管的栅极连接使能信号，所述开关管的漏极与所述第二驱动管的栅极相连，所述开关管的源极与所述驱动信号输出点相连，通过所述开关管在所述驱动信号输出点与所述第二驱动管的栅极之间形成通路。
7、本专利技术实施例中，所述igbt保护电路还包括第一电阻，所述开关管的源极通过所述第一电阻与所述驱动信号输出点相连。
8、本专利技术实施例中，所述驱动信号输出点通过第二电阻与igbt的栅极相连。
9、本专利技术实施例中，所述第一电阻的阻值小于所述第二电阻的阻值。
10、本专利技术实施例中，所述开关管为pmos管。
11、本专利技术实施例中，所述igbt保护电路还包括电容，所述使能信号以及所述开关管的源极通过所述电容连接到参考地。
12、本专利技术实施例中，在所述igbt保护电路上电瞬间，所述使能信号的电位为参考地；在所述igbt保护电路上电完成时，所述使能信号翻转为高电平，以关断所述开关管。
13、本专利技术实施例中，所述igbt保护电路还包括第一反相器和第二反相器；
14、所述第一输入信号通过所述第一反相器连接到所述第一驱动管的栅极；
15、所述第二输入信号通过所述第二反相器连接到所述第二驱动管的栅极。
16、本专利技术实施例中，所述第一驱动管为pmos管，所述第二驱动管为nmos管。
17、本专利技术还提供一种芯片，该芯片包括上述的igbt保护电路。
18、本专利技术利用开关管在驱动信号输出点与第二驱动管的栅极之间形成一条通路，当系统因上电时序不一致或电磁干扰等状况导致驱动信号输出点电位抬升时，该通路能够主动为第二驱动管的栅极充电，从而开启第二驱动管，防止igbt误导通，并提高响应速度；通过使能信号控制开关管，使得系统上电完成正常工作时，开关管处于关断状态，节省功耗。
19、本专利技术技术方案的其它特征和优点将在下文的具体实施方式部分予以详细说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种IGBT保护电路，其特征在于，包括：开关管、第一驱动管以及第二驱动管；
2.根据权利要求1所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述IGBT保护电路还包括第一电阻；
3.根据权利要求2所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述驱动信号输出点通过第二电阻与IGBT的栅极相连。
4.根据权利要求3所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值小于所述第二电阻的阻值。
5.根据权利要求1所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述开关管为PMOS管。
6.根据权利要求5所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述IGBT保护电路还包括电容；
7.根据权利要求6所述的IGBT保护电路，其特征在于，在所述IGBT保护电路上电瞬间，所述使能信号的电位为参考地；
8.根据权利要求1所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述IGBT保护电路还包括第一反相器和第二反相器；
9.根据权利要求1所述的IGBT保护电路，其特征在于，所述第一驱动管为PMOS管，所述第二驱动管为NMOS管。
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...【技术特征摘要】
1.一种igbt保护电路，其特征在于，包括：开关管、第一驱动管以及第二驱动管；
2.根据权利要求1所述的igbt保护电路，其特征在于，所述igbt保护电路还包括第一电阻；
3.根据权利要求2所述的igbt保护电路，其特征在于，所述驱动信号输出点通过第二电阻与igbt的栅极相连。
4.根据权利要求3所述的igbt保护电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值小于所述第二电阻的阻值。
5.根据权利要求1所述的igbt保护电路，其特征在于，所述开关管为pmos管。
6.根据权利要求5...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵亚利，刘芳，解尧明，梁英宗，李东镁，沈美根，米朝勇，
申请(专利权)人：北京芯可鉴科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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