一种集成化限幅场放及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种集成化限幅场放及其制备方法，涉及通信技术领域，集成化限幅场放布局于多层厚薄膜电路中，包括两路依次连接的限幅电路、放大电路、匹配网络；限幅电路、匹配网络分别与第一lange电桥和第二lange电桥的端口连接；相邻两层之间设有陶瓷介质板，每层之间通过金属过孔连接；其中两路限幅电路及放大电路均布局于同一层，两路匹配网络布局于限幅电路下方的一层上，第一lange电桥位于最上一层，第二lange电桥位于最下一层。制备方法包括步骤：准备陶瓷基板；排布电路；每层之间设置一层陶瓷介质板；烧结。采用多层线路板对lange电桥和限幅电路、放大电路、匹配网络进行布置，实现限幅场放的小型化和集成化。限幅场放的小型化和集成化。限幅场放的小型化和集成化。

【技术实现步骤摘要】
一种集成化限幅场放及其制备方法


[0001]本专利技术涉及通信
，尤其与一种集成化限幅场放及其制备方法相关。

技术介绍

[0002]微波宽带限幅放大器广泛应用于雷达接收系统中，是十分重要的微波放大部件，接收系统接收的微波信号有很宽的动态范围，由于输入信号的动态范围比较大，线性电路很难处理这样宽动态范围的微波信号，给后级电路的信号处理带来很大的困难。而微波限幅放大器就可以在信号处理中把很宽动态范围内的微波输入信号放大和压缩为很小动态范围的微波输出信号，减小了输入信号的波动对输出信号的影响，方便后级电路对接收信号的处理，利于提取有用的信息。
[0003]传统的限幅低场放大电路实现主要有以下方法：1、采用二极管限幅器和低噪声放大器级联，其中的二极管一般为 PIN 二极管或者肖特基二极管；2、采用双极晶体管或MOS 管放大器，将它们激励至饱和状态来提供限幅功能；3、采用 MOS管，控制MOS管的栅极电压，使低噪声放大器保持在线性范围。
[0004]然而，以上方法主要基于单层微波板，通过多级电路级联结构实现限幅场放功能，无法实现小型本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成化限幅场放，所述限幅场放包括两路依次连接的限幅电路（11）、放大电路（12）、匹配网络（13），限幅电路（11）、匹配网络（13）均分别与第一lange电桥和第二lange电桥的端口连接；其特征在于，所述限幅场放布局于多层厚薄膜电路中，相邻两层之间均设有陶瓷介质板（6），且每层的基板均为陶瓷基板，每层之间通过预埋于陶瓷介质板（6）中的金属过孔连接；其中两路限幅电路（11）及放大电路（12）均布局于同一层，两路匹配网络（13）布局于限幅电路（11）下方的一层上，与限幅电路（11）连接的第一lange电桥位于最上一层，与匹配网络（13）连接的第二lange电桥位于最下一层。2.根据权利要求1所述的集成化限幅场放，其特征在于，第一lange电桥均包括上下布置且分别分布于两层陶瓷基板上的第一金属覆铜层（21）和第二金属覆铜层（22），第一金属覆铜层（21）两端分别设有第一端口（301）和第二端口（302），第二金属覆铜层（22）两端分别设有第三端口（303）和第四端口（304），两层陶瓷基板上设有依次连接的电感（23）、外部控制电路接口（24）、电容（25），每层陶瓷基板上的电感（23）分别与相应层上的第一金属覆铜层（21）和第二金属覆铜层（22）连接，电容（25）与金属过孔连接。3.根据权利要求2所述的集成化限幅场放，其特征在于，第一端口（301）为信号输入端，第二端口（302）及第四端口（304）为信号输出端，用于输出3dB信号，第三端口（303）为信号隔离端口。4.根据权利要求3所述的集成化限幅场放，其特征在于，两个限幅电路（11）一端分别设有作为输入端口的第五端口（305）和第六端口（306），两个放大电路（12）一端均分别设有作为输出端口的第七端口（307）和第八端口（308），第五端口（305）和第六端口（306）分别与第二端口（302）和第四端口（304）通过金属过孔连接。5.根据权利要求4所述的集成化限幅场放，其特征在于，两个匹配网络（13）的一端均分别设有作为输入端口的第九端口（309）和第十端口（310），另一端分别设有作为输出端口的第十一端口（311）和第十二端口（312），第九端口（309）...

【专利技术属性】
技术研发人员：王韧，孙一鸣，唐涛，
申请(专利权)人：四川斯艾普电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：