一种薄膜电致发光器件及其制造法制造技术

本发明专利技术涉及一种薄膜电致发光器件及其制造法。本发明专利技术所述的发光器件以ＭｇＦ－［２］作激活物层和边缘保护层，其中激活物层厚为１００Ａ—５００Ａ，保护层厚度为３００Ａ—５００Ａ，并且本发明专利技术采用了新的金属—绝缘层—金属构型，以Ａｌ膜为负极，Ａｕ膜为正极。本发明专利技术所述的发光器件用真空电阻加热淀积法制造。该发光器件具有寿命长，能量转换率高，所发射的光可复盖整个光谱段，制备工艺简单等优点，可广泛用于各种平板显示。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜发光器件，特别是一种具有新的构型和使用新的材料作绝缘层的薄膜电致发光器件及其制造方法。现有的薄膜电致发光器件，其绝缘层(即激活物层和保护层)的制作材料为稀土元素的化合物，其中激活物层的厚度为2000 -3000 。而发光器件的电极之一为透明导电的掺锡氧化铟等n-型半导体，即其构型为金属-绝缘层-半导体。此外，发光器件的制作方法为分子束外延法或溅射淀积法。如European Patent Application 0 209668 A2和United States Patent 3819974专利文献所述的薄膜电致发光器件和IEEE Transactions on Electron Devices，Vol.ED 30，No4，283(1983)文献所述的制造方法。现有的薄膜电致发光器件具有寿命短，能量转换效率低，仅能发射部分可见光，制备工艺复杂等缺点。本专利技术的目的是提供一种新材料作激活物层和边缘保护层，具有新的构型的薄膜电致发光器件。本专利技术的另一个目的是提供一种制造上述发光器件的新方法。作为一种薄膜电致发光器件，本专利技术不同于现有薄膜电致发光器件的特征在于它用MgF2作激活物层3和保护层4;其激活物层3的厚度为100 -500 ，保护层4的厚度为300 -500 ;并且其负电极为Al膜2，正电极为Au膜5。换句话说，它以金属-绝缘层-金属构型代替了传统的金属-绝缘层-半导体构型。作为上述薄膜电致发光器件的制造方法，本专利技术是这样制造的在真空室内采用电阻加热淀积法先在基片1上淀积一层厚700 的Al膜2，接着在原位再淀积100 -500 厚的MgF2膜3;然后对真空室充纯氮气后打开真空室更换掩模，再抽真空后在原MgF2膜条3的两侧再淀积300 -500 厚的MgF2膜4;最后在MgF2膜4上面再淀积一层250 厚的Au膜5，与MgF2膜形成窗口交叉构成一个矩形结。这个矩形结便是本专利技术所述的发光器件。由于本专利技术采用了MgF2作激活物层和边缘保护层，其寿命超过现有的薄膜电致发光器件，其转换效率提高了一个数量级，并且，本专利技术发射的光可复盖整个可见光谱段。又由于本专利技术采用了真空电阻加热淀积法制造，使发光器件的制造工艺大为简化。附图说明图1是本专利技术的结构剖面图。其中1为玻璃基片，2为Al膜，3为激活物层，4为保护层，5为Au膜。图2是本专利技术发射光的光谱图。以下结合附图与实施例作进一步说明。首先，用洗净剂溶液、去离子水、无水乙醇和热的丙酮蒸汽顺次清洗过的玻璃基片1放入真空室，当压力抽至3×5-5Torr时，通过铝合金掩模用多股钨丝发源以20 /sec的蒸发速率在基片1上淀积一层10mm宽、700 厚的、纯度为99.999%的Al膜条2;然后，用钼舟蒸发源以5 /sec的蒸发速率在Al膜2原位淀积一层100 厚的、纯度为99.9%的MgF2膜条3掩盖其上。待蒸发源冷却后向真空室充纯氮气，接着打开真空室取出基片更换掩模，然后在MgF2膜条3两侧边缘用上述相同的条件和方法再淀积一层500 厚的MgF2膜4作为边界保护;接着，用单股钨丝蒸发源以1 /sec的速率在掩模与膜条垂直方向淀积一层6mm宽的、纯度为99.999%的Au膜条5，从而与MgF2膜条4形成的窗口正交构成一个6×6mm2的结形发光器件。该发光器件以Al膜2为负极，Au膜5为正极;接上电源，当电压达到6V时开始发光。权利要求1.一种由正电极层，激活物层和边缘保护层，负电极层构成薄膜电致发光器件，其特征在于它用MgF2作激活物层3和边缘保护层4。2.权利要求1所述的发光器件，其激活物层3的厚度为100-500，边缘保护层4的厚度为300-500。3.权利要求1所述的发光器件，其负电极为Al膜2，正电极为Au膜5。4.权利要求1或权利要求2或权利要求3所述的发光器件的制造方法，其特征是(1)在真空室内采用电阻加热淀积法先在基片1上淀积一层厚700的Al膜2，接着在原位再淀积一层100-500厚的MgF2膜4，然后(2)对真空室充纯氮气后打开真空室更换掩模，再抽真空后在原MgF2膜条3的两侧边缘上再淀积一层300-500厚的MgF2膜4，最后(3)在MgF2膜4上面再淀积一层250厚的Au膜5，与MgF2膜形成的容器交叉构成一个矩形结。全文摘要本专利技术涉及一种薄膜电致发光器件及其制造法。本专利技术所述的发光器件以MgF文档编号H05B33/10GK1034295SQ8810149公开日1989年7月26日 申请日期1988年3月18日 优先权日1988年3月18日专利技术者舒启清, 温维佳 申请人:重庆大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由正电极层，激活物层和边缘保护层，负电极层构成薄膜电致发光器件，其特征在于它用ＭｇＦ↓［２］作激活物层３和边缘保护层４。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：舒启清，温维佳，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：85[中国|重庆]