【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件或液晶装置、或者其它具有薄膜层压层的元件装置的制造领域、高密度安装领域，特别是涉及一种在制造装置类时无须减压环境可在大气压附近，用液状的图案材料形成图案的掩膜形成方法及由该方法制造出的半导体器件。附图说明图15及图16是表示以往图案形成工序的工序图。例如为了在如图15(1)所示的半导体晶片1的表面形成配线，如图15(2)所示，在形成有未图示的绝缘膜的半导体晶片1的表面，进行等离子体CVD，在其上层形成配线层2。还有，该配线层2也可以由溅射形成。这样，在半导体晶片1的上层形成配线层2之后，在该配线层2的上层涂布光致抗蚀剂，形成抗蚀剂膜，再把它导入于感光工序、光蚀刻工序中，如图15(3)所示，形成已制作配线图案的抗蚀剂膜3。之后，如图16(1)所示，将半导体晶片1导入于干蚀刻工序中，以抗蚀剂膜3为掩膜进行配线层2的蚀刻。将此状态表示于图16(2)。这样，只在抗蚀剂膜3的下层残留配线层2之后，利用溶剂去除位于所述配线层2的上层的抗蚀剂膜3。经过这种工序之后，可以在半导体晶片1的表面形成配线图案4。然而，上述的制造工序及由该工序制造出的半导体...
【技术保护点】
一种掩膜形成方法，为了用液状的图案材料形成所需的图案，该方法由：在整个所述被处理部件表面形成疏液性掩膜材料层的掩膜材料层形成工序、在所述掩膜材料层的所述图案形成部分通过去除所述掩膜材料进行图案形成的图案形成工序、涂布所述液状的图案材料形成所述所需图案的成膜工序、干燥并烧成所述液状的图案材料的加热工序、去除所述掩膜的掩膜去除工序所构成，其特征在于，所述图案形成工序中，通过在电解液中对形成在被处理部件表面上的导电材料图案进行通电，电解去除所述导电材料图案上的掩膜材料层。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森义明，宫川拓也，佐藤充，足助慎太郎，高木宪一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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