衬底处理方法、记录介质、衬底处理装置和半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及衬底处理方法、记录介质、衬底处理装置和半导体器件的制造方法。提供抑制含有金属元素的膜的电阻增加的技术。具有：(a)向收容于处理容器内的衬底供给含金属元素的气体的工序；(b)向衬底供给还原气体的工序；(c)通过将(a)和(b)进行规定次数，从而在衬底上形成含有金属元素的膜的工序；(d)在(c)之后，向膜供给改性气体，在膜的表面形成包含改性气体所含有的元素的层的工序；和(e)在(d)之后，使处理容器内、以及与处理容器邻接的移载室内为稀有气体气氛，将衬底从处理容器搬出至移载室内的工序。内的工序。内的工序。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理方法、记录介质、衬底处理装置和半导体器件的制造方法


[0001]本公开文本涉及衬底处理方法、记录介质、衬底处理装置和半导体器件的制造方法。

技术介绍

[0002]作为具有三维结构的NAND型闪存、DRAM的字线，例如可使用低电阻的钨(W)膜。另外，有时在该W膜与绝缘膜之间使用例如氮化钛(TiN)膜作为阻隔膜(例如参见专利文献1及专利文献2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
‑
66263号公报
[0006]专利文献2：国际公开第2019/058608号小册子

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的课题
[0008]然而，随着三维结构的NAND型闪存的高层化，蚀刻变得困难，因此字线的薄膜化成为课题。
[0009]为了解决该课题，有时代替使用上述这样的TiN膜和W膜而使用例如含有钼(Mo)的膜来实现薄膜化和低电阻化，但存在下述情况：在制造工序中，氮(N)和氧(O)中的至少任一者混入Mo膜、或吸附于Mo膜的表面，Mo膜的电阻变高。
[0010]本公开文本的目的在于提供能够抑制含有金属元素的膜的电阻增加的技术。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]根据本公开文本的一个方式，提供下述技术，其具有：
[0013](a)向收容于处理容器内的衬底供给含金属元素的气体的工序；
[0014](b)向前述衬底供给还原气体的工序；
[0015](c)通过将(a)和(b)进行规定次数，从而在前述衬底上形成含有金属元素的膜的工序；
[0016](d)在(c)之后，向前述膜供给改性气体，在前述膜的表面形成包含前述改性气体所含有的元素的层的工序；和
[0017](e)在(d)之后，使前述处理容器内、以及与前述处理容器邻接的移载室内为稀有气体气氛，将前述衬底从前述处理容器搬出至前述移载室的工序。
[0018]专利技术的效果
[0019]根据本公开文本，能够抑制含有金属元素的膜的电阻增加。
附图说明
[0020][图1]为示出本公开文本的实施方式中适合使用的衬底处理装置的概略构成图。
[0021][图2]为示出本公开文本的一个实施方式中的衬底处理装置的处理炉的纵向剖面图。
[0022][图3]为图2中的A
‑
A线概略横向剖面图。
[0023][图4]为本公开文本的一个实施方式中的衬底处理装置的控制器的概略构成图，为以框图示出控制器的控制系统的图。
[0024][图5]为示出本公开文本的一个实施方式中的衬底处理工序的图。
[0025][图6]图6的(A)为示出在含Mo膜上形成Si覆盖层之前的状态的图，图6的(B)为示出在含Mo膜上形成Si覆盖层之后的状态的图。
[0026]附图标记说明
[0027]10衬底处理装置；124移载室；200晶片(衬底的一例)；201处理室(处理容器的一例)
具体实施方式
[0028]＜本公开文本的一个实施方式＞
[0029]以下，参照附图对本公开文本的一个实施方式进行说明。需要说明的是，以下的说明中使用的附图均为示意图，附图中示出的各要素的尺寸关系、各要素的比率等并不必然与实际情况一致。另外，在多个附图彼此之间，各要素的尺寸关系、各要素的比率等也并不必然一致。
[0030][衬底处理装置的构成][0031]首先，在图1中对实施本公开文本的衬底处理装置10进行说明。衬底处理装置10具备壳体111，在该壳体111的正面壁111a的下部开设有以能够进行维护的方式设置的作为开口部的正面维护口103，该正面维护口103由正面维护门104进行开闭。
[0032]在壳体111的正面壁111a，以将壳体111的内外连通的方式开设有晶盒搬入搬出口112，晶盒搬入搬出口112由前闸门113进行开闭，在晶盒搬入搬出口112的正面前方侧设置有装载端口(搬送容器交接台)114，装载端口114以使载置的晶盒110对位的方式构成。
[0033]晶盒110为密闭式的衬底搬送容器，由未图示的工序内搬送装置搬入到装载端口114上、或者从装载端口114上搬出。
[0034]在壳体111内的前后方向的大致中央部处的上部，设置有旋转式晶盒架(搬送容器存储架)105，旋转式晶盒架105以存储多个晶盒110的方式构成。
[0035]旋转式晶盒架105具备：垂直地立设并间歇旋转的支柱116；在上中下层的各位置处以放射状支承于该支柱116的多张架板(搬送容器载置架)117，架板117构成为以各载置多个晶盒110的状态对晶盒110进行存储。
[0036]在旋转式晶盒架105的下方，设置有晶盒开启器(搬送容器盖体开闭机构)121，晶盒开启器121具有载置晶盒110、并且能够开闭晶盒110的盖的构成。
[0037]在装载端口114与旋转式晶盒架105、晶盒开启器121之间，设置有晶盒搬送机构(容器搬送机构)118，晶盒搬送机构118构成为：保持晶盒110并可升降，可在水平方向上进退，在装载端口114、旋转式晶盒架105、晶盒开启器121之间搬送晶盒110。
[0038]在壳体111内的前后方向的大致中央部处的下部，遍及后端地设置有副壳体119。在副壳体119的正面壁119a，上下2层地并列开设有一对晶片搬入搬出口(衬底搬入搬出口)120，所述晶片搬入搬出口120用于将晶片200相对于副壳体119内进行搬入搬出，在上下层的晶片搬入搬出口120，分别设置有晶盒开启器121。
[0039]晶盒开启器121具备：载置晶盒110的载置台122；和将晶盒110的盖开闭的开闭机构123。晶盒开启器121以下述方式构成：通过开闭机构123将载置于载置台122的晶盒110的盖开闭，由此将晶盒110的晶片出入口开闭。
[0040]副壳体119构成与配设有晶盒搬送机构118、旋转式晶盒架105的空间(晶盒搬送空间)成为气密的移载室124。在移载室124的前侧区域，设置有晶片移载机构(衬底移载机构)125，晶片移载机构125具备载置晶片200的所需要张数(图示中为5张)的晶片载置板125c，晶片载置板125c能够在水平方向上直动，能够在水平方向上旋转，并且能够升降。晶片移载机构125以对晶舟(衬底保持体)217装填及取出晶片200的方式构成。将晶片200从晶盒110移载至晶舟217时，晶盒110与晶片搬入搬出口120密合，晶盒110内与移载室124内成为相同的气体气氛。
[0041]在移载室124的后侧区域，构成有收容晶舟217并使其待机的待机部126，在待机部126的上方设置有立式的处理炉202。处理炉202在内部形成处理室201，处理室201的下端部成为炉口部，炉口部由密封盖219开闭。
[0042]在壳体111的右侧端部与副壳体119的待机部126的右侧端部之间，设置有用于使晶舟217升降的晶舟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.衬底处理方法，其具有：(a)向收容于处理容器内的衬底供给含金属元素的气体的工序；(b)向所述衬底供给还原气体的工序；(c)通过将(a)和(b)进行规定次数，从而在所述衬底上形成含有金属元素的膜的工序；(d)在(c)之后，向所述膜供给改性气体，在所述膜的表面形成包含所述改性气体所含有的元素的层的工序；和(e)在(d)之后，使所述处理容器内、以及与所述处理容器邻接的移载室内为稀有气体气氛，将所述衬底从所述处理容器搬出至所述移载室的工序。2.如权利要求1所述的方法，其中，(e)在维持(c)及(d)中的所述处理容器内的温度设定的状态下进行。3.如权利要求1所述的方法，其具有：(f)在(a)之前，使所述处理容器内和所述移载室内为除了稀有气体外的其他非活性气体气氛，将所述衬底从所述移载室内搬入所述处理容器内工序；和(g)在(f)至(e)之间，将所述移载室内从所述除了稀有气体外的其他非活性气体气氛改变为所述稀有气体气氛的工序。4.如权利要求1所述的方法，其中，在(d)中，使用氢化硅气体或氯硅烷系气体作为所述改性气体，在所述膜的表面形成含硅层。5.如权利要求1所述的方法，其中，在(d)中，使用含氧气体作为所述改性气体，在所述膜的表面形成氧化层。6.如权利要求1所述的方法，其中，在(d)中，使用含氮气体作为所述改性气体，在所述膜的表面形成氮化层。7.如权利要求1所述的方法，其中，在(d)中，使用含硼气体作为所述改性气体，在所述膜的表面形成含硼层。8.如权利要求1所述的方法，其中，在(d)中，使用含氟气体作为所述改性气体，在所述膜的表面形成含氟层。9.如权利要求1所述的方法，其中，在(d)中，使用含磷气体作为所述改性气体，在所述膜的表面形成含磷层。10.如权利要求1所述的方法，其中，在(d)中，与(a)至(c)相比，维持所述处理容器内的温度设定、或降低所述处理容器内的温度设定。11.如权利要求1所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：栗林幸永，小川有人，水野谦和，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：