本实用新型专利技术提供了一种晶圆升温装置和晶圆加工设备，涉及晶圆加工技术领域，该晶圆升温装置包括反应腔室和加热灯管，反应腔室的顶侧设置有反射穹顶，加热灯管设置在反应腔室内，并位于反射穹顶的下方，其中，反应腔室内还具有用于放置晶圆的承载工位，加热灯管用于向承载工位和反射穹顶的底面辐射热量，反射穹顶的底面的至少部分区域朝上凹陷并形成一反射面，反射面呈镜面状，以将接收到的热量反射至承载工位，从而使得晶圆能够同时接收来自加热灯管和反射面的热量，从而能够实现晶圆的快速升温。相较于现有技术，本实用新型专利技术提供的晶圆升温装置，能够提升加热效率，减少能量的浪费，实现晶圆的快速升温。实现晶圆的快速升温。实现晶圆的快速升温。
【技术实现步骤摘要】
晶圆升温装置和晶圆加工设备
[0001]本技术涉及晶圆加工
，具体而言，涉及一种晶圆升温装置和晶圆加工设备。
技术介绍
[0002]在真空行业，做工艺常常用到高温加热系统，当工艺温度超过800℃，就需要用到红外灯管加热，灯管发出的红外波一部分被晶圆吸收，达到晶圆升温的效果。
[0003]经专利技术人调研发现，现有的晶圆升温系统，其红外灯管的上方腔体是平整的，且光洁度比较差，无镜面反射效果，晶圆只能接受到直接来自正对红外灯管的热量，红外灯管的热能不能高效率地被晶圆吸收，浪费能量比较大，晶圆加热速率比较慢，加热效率低。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种晶圆升温装置和晶圆加工设备，其能够提升加热效率，减少能量的浪费，实现晶圆的快速升温。
[0005]本技术的实施例是这样实现的：
[0006]第一方面，本技术提供一种晶圆升温装置，包括：
[0007]反应腔室，所述反应腔室的顶侧设置有反射穹顶；
[0008]加热灯管，所述加热灯管设置在所述反应腔室内，并位于所述反射穹顶下方；
[0009]其中，所述反应腔室内还具有用于放置晶圆的承载工位，所述加热灯管用于向所述承载工位和所述反射穹顶的底面辐射热量，所述反射穹顶的底面的至少部分区域朝上凹陷并形成一反射面，所述反射面呈镜面状，以将接收到的所述热量反射至所述承载工位。
[0010]在可选的实施方式中，所述反射面为圆锥面、弧面或折弯面。
[0011]在可选的实施方式中，所述反射面的中心与所述承载工位的中心相对应，以使所述晶圆位于所述反射面的中心位置的下方。
[0012]在可选的实施方式中，所述反射面为圆锥面，且所述圆锥面的顶角在165
°‑
175
°
之间。
[0013]在可选的实施方式中，所述反射穹顶的外轮廓呈圆形，所述反射面与所述反射穹顶同心设置，且所述反射穹顶的边缘形成有环状台阶，所述环状台阶环设在反射面周围。
[0014]在可选的实施方式中，所述反射面的表面粗糙度在Ra0.1
‑
Ra0.2之间。
[0015]在可选的实施方式中，所述反射穹顶内设置有用于与外部冷却管道连接的冷却水槽，所述冷却水槽内填充有用于冷却所述反射穹顶的冷却液体。
[0016]在可选的实施方式中，所述加热灯管为两个，两个所述加热灯管间隔且平行设置在所述承载工位和所述反射穹顶之间，且两个所述加热灯管与所述反射穹顶的距离相同。
[0017]在可选的实施方式中，所述加热灯管包括短波红外灯管。
[0018]第二方面，本技术提供一种晶圆加工设备，包括如前述实施方式任一项所述的晶圆升温装置。
[0019]本技术实施例的有益效果包括：
[0020]本技术实施例提供的晶圆升温装置，其在反应腔室的顶侧设置有反射穹顶，并将加热灯管设置在反应腔室内，并位于反射穹顶的下方。并且，反应腔室内还设置有用于放置晶圆的承载工位，加热灯管能够相承载工位和反射穹顶的底面辐射热量，其中反射穹顶的底面的至少部分区域朝向凹陷并形成一反射面，该反射面呈镜面状，能够将接受到的热量反射至承载工位，从而使得晶圆能够同时接收来自加热灯管和反射面的热量，从而能够实现晶圆的快速升温。相较于现有技术，本技术提供的晶圆升温装置，能够提升加热效率，减少能量的浪费，实现晶圆的快速升温。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0022]图1为本技术实施例提供的晶圆升温装置的结构示意图；
[0023]图2为图1中反射穹顶与加热灯管的位置示意图。
[0024]图标:
[0025]100
‑
晶圆升温装置；110
‑
反应腔室；111
‑
反射穹顶；113
‑
反射面；115冷却水槽；130
‑
加热灯管；150
‑
承载工位；200
‑
晶圆。
具体实施方式
[0026]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0027]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0030]此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完
全水平，而是可以稍微倾斜。
[0031]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0032]正如
技术介绍
中所公开的，现有技术中用于晶圆的高温加热系统，当加热的温度超过800℃时，需要用到红外灯管，红外灯管发出红外线，并转变为热量后作用在晶圆上。由于红外灯管向四周辐射热量，只有少部分热量能够直接作用在晶圆上，导致晶圆升温较慢。而红外灯管上方腔体的表面为平整非镜面结构，光洁度较差，使得其能够吸收大部分的热量，几乎无镜面反射效果，一方面使得此部分热量无法被晶圆吸收，红外灯管本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆升温装置，其特征在于，包括：反应腔室(110)，所述反应腔室(110)的顶侧设置有反射穹顶(111)；加热灯管(130)，所述加热灯管(130)设置在所述反应腔室(110)内，并位于所述反射穹顶(111)下方；其中，所述反应腔室(110)内还具有用于放置晶圆(200)的承载工位(150)，所述加热灯管(130)用于向所述承载工位(150)和所述反射穹顶(111)的底面辐射热量，所述反射穹顶(111)的底面的至少部分区域朝上凹陷并形成一反射面(113)，所述反射面(113)呈镜面状，以将接收到的所述热量反射至所述承载工位(150)。2.根据权利要求1所述的晶圆升温装置，其特征在于，所述反射面(113)为圆锥面、弧面或折弯面。3.根据权利要求2所述的晶圆升温装置，其特征在于，所述反射面(113)的中心与所述承载工位(150)的中心相对应，以使所述晶圆(200)位于所述反射面(113)的中心位置的下方。4.根据权利要求2所述的晶圆升温装置，其特征在于，所述反射面(113)为圆锥面，且所述圆锥面的顶角在165
°‑
175
°
之间。5.根据权利要求4所述的晶圆升温装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩高锋，戴建波，
申请(专利权)人：无锡邑文电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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