一种硅微电容传声器芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅微电容传声器芯片及其制备方法。该硅微电容传声器芯片包括硅基片及其上的穿孔背板，该穿孔背板包括一掺杂层且具有由多个声学孔，该声学孔是刻蚀一连续的掺杂层形成。该穿孔背板仅有掺杂层组成，或者还包括一位于掺杂层之下的硅材料层。在该硅微电容传声器芯片的制备方法中，在所述硅基片的上表面形成一连续的掺杂层，该掺杂层形成硅微电容传声器芯片的至少一部分穿孔背板，从该连续的掺杂层的上表面向下刻蚀出由多个声学孔组成的声学孔图案。本发明专利技术采用在连续的掺杂层上通过刻蚀来预先制备得到声学孔，克服了深度选择性浓硼扩散制作背板及背板穿孔所带来的问题和困难，为工业化生产传声器芯片提供一套简便易行的工艺。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅微电容传声器芯片，包括硅基片及其上的穿孔背板、隔离层、振动膜和电极，所述隔离层位于所述穿孔背板和所述振动膜之间，用以提供所述穿孔背板和所述振动膜之间的空气隙，所述穿孔背板包括一掺杂层且具有由多个声学孔组成的声学孔图案；其特征在于，所述穿孔背板上的声学孔是刻蚀一连续的掺杂层形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：乔东海，田静，徐联，汪承灏，
申请(专利权)人：中国科学院声学研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]