一种硅微电容传声器芯片及其制备方法技术

技术编号:3680788 阅读:140 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种硅微电容传声器芯片以及制备方法。该传声器芯片包括硅基片及其上的穿孔背板、隔离层、振动膜和电极,隔离层位于穿孔背板和振动膜之间以便在其间形成空气隙,该空气隙具有无尖角的边界,且振动膜具有一凸环。本发明专利技术的制备方法包括在硅基片的上表面之上形成一隔离层,该隔离层环绕限定了一空心区域;在硅基片的上表面之上形成一比隔离层更易于被刻蚀的牺牲层,至少一部分牺牲层填充在该空心区域内;从硅基片的下表面开始对所述硅基片进行体刻蚀,并刻蚀去除牺牲层,在牺牲层所在位置形成空气隙。本发明专利技术中的空气隙形状由易腐蚀的牺牲层形状来限定,可通过设计牺牲层的形状来获得所需要的空气隙形状,从而使得空气隙的形状是可控的。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅微电容传声器芯片,包括硅基片及其上的穿孔背板、隔离层、振动膜和电极,所述隔离层位于所述穿孔背板和所述振动膜之间,以便在所述穿孔背板和所述振动膜之间形成空气隙;其特征在于,所述空气隙具有无尖角的边界,且所述振动膜具有一凸环。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐联田静汪承灏黄歆魏建辉李俊红
申请(专利权)人:中国科学院声学研究所
类型:发明
国别省市:11[]

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