本发明专利技术提供了一种负载锁定腔、一种半导体器件的加工设备、一种半导体器件的传输方法以及一种计算机可读存储介质。所述负载锁定腔包括至少一个腔室本体，其中，所述腔室本体包括：晶圆托盘，用于承载待加工的晶圆；以及传片口，包括垂直侧壁及倾斜侧壁，其中，所述垂直侧壁用于引导所述晶圆从外界沿垂直方向传输到所述晶圆托盘，所述倾斜侧壁用于引导所述晶圆从外界沿倾斜方向传输到所述晶圆托盘。外界沿倾斜方向传输到所述晶圆托盘。外界沿倾斜方向传输到所述晶圆托盘。
【技术实现步骤摘要】
负载锁定腔、半导体加工设备、传输方法及存储介质
[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种负载锁定腔、一种半导体器件的加工设备、一种半导体器件的传输方法以及一种计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]在半导体加工领域中，负载锁定腔对于半导体的加工至为重要。本领域目前的负载锁定腔的结构包括负载腔室本体以及传片口。该负载腔室本体包括至少一对腔室用于承载一或多个晶圆基板。该至少一对腔室支持晶圆传片、取片独立操作。然而，现有负载腔室的传片口普遍根据固定的传片方式，被设置为垂直传片口或倾斜传片口，无法兼容垂直传片与倾斜传片的两种传片模式，存在产品适配性差的缺陷。
[0003]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种负载锁定腔，用于提供兼容垂直传片与倾斜传片两种模式的传片口结构，以提升负载锁定腔在不同传片模式的半导体加工设备的产品适配性，从而提高负载锁定腔的经济性以及可靠性。
技术实现思路
[0004]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。
[0005]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本专利技术提供了一种负载锁定腔及一种半导体器件的加工设备，能够提供同时兼容垂直传片与倾斜传片两种模式的传片口结构，以提升负载锁定腔在不同传片模式的半导体加工设备的产品适配性，从而提高负载锁定腔的经济性以及可靠性。此外，本专利技术还提供了一种半导体器件的传输方法以及一种计算机可读存储介质，能够自动平衡负载锁定腔与外部的压力，以改善晶圆的粒子表现，并提供压力保护功能，以防止异常的高低压对半导体器件的加工设备等造成损坏，从而进一步提高负载锁定腔的经济性以及可靠性。
[0006]具体来说，根据本专利技术的第一方面提供的上述负载锁定腔包括至少一个腔室本体，其中，所述腔室本体包括：晶圆托盘，用于承载待加工的晶圆；以及传片口，包括垂直侧壁及倾斜侧壁，其中，所述垂直侧壁用于引导所述晶圆从外界沿垂直方向传输到所述晶圆托盘，所述倾斜侧壁用于引导所述晶圆从外界沿倾斜方向传输到所述晶圆托盘。
[0007]进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述腔室本体还包括：回填口，设置于所述垂直侧壁和/或所述倾斜侧壁，用于向所述负载锁定腔提供侧向的回填气体。
[0008]进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述回填口的进气口的第一口径小于其出气口的第二口径，以减小回填气体在所述负载锁定腔内的流速。
[0009]进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述的负载锁定腔包括多个所述腔室本体，其中，侧向相邻的腔室本体的垂直侧壁被集成于一体，所述回填口被设置于各所述腔室本
体的倾斜侧壁；或者侧向相邻的腔室本体的倾斜侧壁被集成于一体，所述回填口被设置于各所述腔室本体的垂直侧壁。
[0010]进一步地，在本专利技术的一些实施例中，包括多层所述腔室本体，其中，每层所述腔室本体中配置有至少一个所述回填口。
[0011]进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述负载锁定腔包括至少一个机械手，其中，所述机械手从外部抓取所述晶圆，并沿所述垂直侧壁或所述倾斜侧壁，向所述传片口传输抓取的所述晶圆。
[0012]此外根据本专利技术的第二方面提供的半导体器件的加工设备包括，本专利技术的第一方面提供的任一项所述的负载锁定腔；回填装置，用于向所述负载锁定腔提供回填气体；压力平衡装置，在所述负载锁定腔开始回填时开启，以平衡所述负载锁定腔内外的压力；以及压力控制及保护装置，用于控制所述负载锁定腔内部的压力，并提供压力保护。
[0013]进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述加工设备被配置为：经由所述回填装置向所述负载锁定腔提供回填气体；经由所述压力控制及保护装置，监测所述负载锁定腔内部的压力；响应于所述负载锁定腔内部的压力达到预设的第一压力阈值以上，开启所述压力平衡装置排出多余的回填气体，以平衡所述负载锁定腔内外的压力；以及响应于所述负载锁定腔内外的压力平衡，关闭所述压力平衡装置，并开启所述负载锁定腔的大气门阀，以进行所述负载锁定腔与外界之间的晶圆传片，其中，所述回填装置在开启所述大气门阀的过程中持续向所述负载锁定腔提供所述回填气体，以避免外部物质进入所述负载锁定腔。
[0014]进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述压力控制及保护装置中包括压力控制器组件、压力释放阀组件及组件安装座，其中，所述压力控制器组件及所述压力释放阀组件经由所述组件安装座连接所述加工设备，所述压力控制及保护装置经由所述压力控制器组件，控制所述负载锁定腔内部的压力，所述压力释放阀组件在所述负载锁定腔内部的压力高于预设的第二压力阈值时开启，以对所述负载锁定腔提供压力保护。
[0015]进一步地，在本专利技术的一些实施例中，所述加工设备还包括抽真空装置及压力检测装置，所述加工设备被配置为：经由所述抽真空装置，对所述负载锁定腔进行抽真空；响应于所述负载锁定腔内部的压力达到预设的第三压力阈值以下，关闭所述抽真空装置，并经由所述压力检测装置校验所述负载锁定腔内的实际压力；响应于所述实际压力达到预设的第四压力阈值以下，开启所述负载锁定腔的真空门阀，以进行所述负载锁定腔与真空腔之间的晶圆传片，其中，所述第四压力阈值大于或等于所述第三压力阈值。
[0016]此外根据本专利技术的第三方面提供的半导体传输方法包括以下步骤：向负载锁定腔提供回填气体；监测所述负载锁定腔内部的压力；响应于所述负载锁定腔内部的压力达到预设的第一压力阈值以上，开启压力平衡装置排出多余的回填气体，以平衡所述负载锁定腔内外的压力；以及响应于所述负载锁定腔内外的压力平衡，关闭所述压力平衡装置，持续向所述负载锁定腔提供所述回填气体，并开启所述负载锁定腔的大气门阀，以进行所述负载锁定腔与外界之间的晶圆传片，并避免外部物质进入所述负载锁定腔。
[0017]此外，根据本专利技术的第四方面提供的上述计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令。所述计算机指令被处理器执行时，实施本专利技术的第三方面提供的上述半导体传输方法。
附图说明
[0018]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本专利技术的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
[0019]图1示出了根据本专利技术的一些实施例提供的半导体器件的加工设备的示意图。
[0020]图2示出了根据本专利技术的一些实施例提供的负载锁定腔的示意图。
[0021]图3示出了根据本专利技术的一些实施例提供的多层负载锁定腔的示意图。
[0022]图4示出了根据本专利技术的一些实施例提供的负载锁定腔的示意图。
[0023]图5示出了根据本专利技术的一些实施例提供的半导体器件的传输方法的流程示意图。
[0024]图6示出了根据本专利技术的一些实施例提本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种负载锁定腔，其特征在于，包括至少一个腔室本体，其中，所述腔室本体包括：晶圆托盘，用于承载待加工的晶圆；以及传片口，包括垂直侧壁及倾斜侧壁，其中，所述垂直侧壁用于引导所述晶圆从外界沿垂直方向传输到所述晶圆托盘，所述倾斜侧壁用于引导所述晶圆从外界沿倾斜方向传输到所述晶圆托盘。2.如权利要求1所述的负载锁定腔，其特征在于，所述腔室本体还包括：回填口，设置于所述垂直侧壁和/或所述倾斜侧壁，用于向所述负载锁定腔提供侧向的回填气体。3.如权利要求2所述的负载锁定腔，其特征在于，所述回填口的进气口的第一口径小于其出气口的第二口径，以减小回填气体在所述负载锁定腔内的流速。4.如权利要求2或3中任一项所述的负载锁定腔，其特征在于，包括多个所述腔室本体，其中，侧向相邻的腔室本体的垂直侧壁被集成于一体，所述回填口被设置于各所述腔室本体的倾斜侧壁；或者侧向相邻的腔室本体的倾斜侧壁被集成于一体，所述回填口被设置于各所述腔室本体的垂直侧壁。5.如权利要求4所述的负载锁定腔，其特征在于，包括多层所述腔室本体，其中，每层所述腔室本体中配置有至少一个所述回填口。6.如权利要求1所述的负载锁定腔，其特征在于，还包括：至少一个机械手，其中，所述机械手从外部抓取所述晶圆，并沿所述垂直侧壁或所述倾斜侧壁，向所述传片口传输抓取的所述晶圆。7.一种半导体器件的加工设备，其特征在于，包括：如权利要求1～6中任一项所述的负载锁定腔；回填装置，用于向所述负载锁定腔提供回填气体；压力平衡装置，在所述负载锁定腔开始回填时开启，以平衡所述负载锁定腔内外的压力；以及压力控制及保护装置，用于控制所述负载锁定腔内部的压力，并提供压力保护。8.如权利要求7所述的加工设备，其特征在于，所述加工设备被配置为：经由所述回填装置向所述负载锁定腔提供回填气体；经由所述压力控制及保护装置，监测所述负载锁定腔内部的压力；响应于所述负载锁定腔内部的压力达到预设的第一压力阈值以上，开启所述压力平衡装置排出多余的回填气体，以平衡所述负载锁定腔内外的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，李慧，牛沛泽，周磊，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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