一种IGBT焊接材料定位结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT焊接材料定位结构，包括：形成在基板表面的多个凸台；所述各凸台围绕在各被芯片的焊接位置四周布置且形成有预留间隙，各被芯片每一边至少布置两个所述凸台本实用新型专利技术的定位结构形成基板上，免去了锡片焊接芯片中复杂的夹具制作和维护，生产过程中免去的夹具的安装和拆卸，提高了生产效率，凸台设计避免了原有夹具可能带来的交叉污染的风险，不会对基板产生不良影响。不会对基板产生不良影响。不会对基板产生不良影响。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT焊接材料定位结构


[0001]本技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种IGBT焊接材料定位结构。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
[0003]锡片在最近几年开始被用作芯片焊接的一种焊料。现有用锡片作为芯片焊接材料的工艺中，为了防止锡片和贴装后在基板表面产生漂移，在锡片贴装前需要在基板上安装特殊的夹具对锡片进行限位。接着用贴片机将锡片贴装在基板上，随后将芯片贴装在锡片上，最终经过回流焊之后将夹具移除，完成芯片焊接的工艺。
[0004]现有技术中，需要使用额外的夹具对芯片及锡片在基板表面进行限位。夹具必须根据产品所需芯片的数量，大小以及位置做出调整。并且实际生产当中夹具会产生磨损和污染，必须定期进行清洗，维护和置换，极大地增加了生产制造成本。同时，夹具的安装和移除过程，是的芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT焊接材料定位结构，其特征在于，包括：形成在基板表面的多个凸台；所述各凸台围绕在各被焊接芯片的焊接位置四周布置且形成有预留间隙，各被焊接芯片每一边至少布置两个所述凸台。2.如权利要求1所述的IGBT焊接材料定位结构，其特征在于：所述凸台形成为柱体。3.如权利要求2所述的IGBT焊接材料定位结构，其特征在于：所述柱体横截面形成为两端为圆弧中心为长方形。4.如权利要求3所述的IGBT焊接材料定位结构，其特征在于：所述凸台横截面的直边与被焊接芯片侧边平行。5.如权利要求3所述的IGBT焊接材料定位结构，其特征在于：所述凸台横截面长方形部分的长度范围为0.5mm～1.5mm...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹斌，陈婵，胡定祥，杨龙，张熙坚，
申请(专利权)人：上汽英飞凌汽车功率半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：