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本实用新型公开了一种IGBT焊接材料定位结构，包括：形成在基板表面的多个凸台；所述各凸台围绕在各被芯片的焊接位置四周布置且形成有预留间隙，各被芯片每一边至少布置两个所述凸台本实用新型的定位结构形成基板上，免去了锡片焊接芯片中复杂的夹具制作和...
该专利属于上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上汽英飞凌汽车功率半导体（上海）有限公司授权不得商用。

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