一种刻蚀设备制造技术

本申请提供一种刻蚀设备，包括腔体壁、介质窗和第一隔离板，腔体壁和介质窗形成腔室，以在腔室内对待刻蚀结构进行刻蚀，腔体壁具有开口，开口用于第一隔离板从开口沿第一方向滑入腔室，使第一隔离板和腔体壁形成子腔室，这样，在子腔室中长时间刻蚀时，仅第一隔离板的下表面被污染，介质窗由于其下方第一隔离板的保护未被污染，仅需对第一隔离板进行更换或清洗即可，而且，在更换第一隔离板时，可以通过腔体壁上的开口将第一隔离板滑出，操作简单方便，减少了更换时间，能够提高产量。能够提高产量。能够提高产量。

【技术实现步骤摘要】
一种刻蚀设备


[0001]本申请涉及刻蚀领域，特别涉及一种刻蚀设备。

技术介绍

[0002]刻蚀是用化学或物理方法对衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的过程。目前干法刻蚀在半导体刻蚀中占据绝对主流地位，市场占比超过90％。同时，等离子刻蚀是晶圆制造中使用的主要刻蚀方法，电容性等离子刻蚀(Capacitively coupled plasma，CCP)和电感性等离子刻蚀(Inductively coupled plasma，ICP)是两种常用的等离子刻蚀方法。随着当前集成电路技术的不断发展，构成芯片的核心器件尺寸持续缩小，芯片的加工制造变得越来越精细。原子层刻蚀(Atomic Layer Etching，ALE)能够精确控制刻蚀深度，成为未来技术升级趋势。
[0003]刻蚀设备作为半导体设备的中坚力量，有望率先完成国产替代。半导体设备主要应用于半导体制造和封测流程，是半导体行业的基础和核心。随着半导体制程的微缩和结构的复杂化，半导体刻蚀设备的种类和技术难度递增。从国内市场来看，刻蚀机尤其是介质刻蚀机，是我国最具优势的半导体设备领域，也是国产替代占比最高的重要半导体设备之一。
[0004]在刻蚀设备中，包括腔室和位于腔室顶部的介质窗，在腔室内刻蚀时，容易出现介质窗的下表面被污染，导致腔室内颗粒增多，不仅影响产品良率，由于腔室内部气流和等离子体分布不均匀，还会影响刻蚀均匀性，因此，需要定期清洗或更换介质窗。在现有技术中，常常采用以下方式清洗或更换介质窗，一种方式是使用清洗菜单，启动设备进行清洗，但清洗效果一般，且占用时间长，影响产量；一种方式是拆卸介质窗进行清洗或更换，但周期长，成本高，更换困难，宕机时间久，影响产量；还有一种方式是更换进气喷嘴、线圈等，但清洗效果一般，占用时间长，影响产量。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请的目的在于提供一种刻蚀设备，在更换第一隔离板时，可以通过腔体壁上的开口将第一隔离板滑出，操作简单方便，减少了更换时间，能够提高产量。其具体方案如下：
[0006]本申请提供了一种刻蚀设备，包括腔体壁、介质窗和第一隔离板；
[0007]所述腔体壁和所述介质窗形成腔室；
[0008]所述腔体壁具有开口；所述开口用于所述第一隔离板从所述开口沿第一方向滑入所述腔室，使所述第一隔离板和所述腔体壁形成子腔室。
[0009]可选地，所述刻蚀设备还包括滑轨；
[0010]所述滑轨安装在所述介质窗或所述第一隔离板上，所述滑轨沿第一方向，所述介质窗和所述第一隔离板之间通过所述滑轨滑动连接，所述第一隔离板通过所述滑轨从所述开口沿第一方向滑入所述腔室。
[0011]可选地，所述第一隔离板具有密封槽，所述密封槽中具有密封圈，用于在所述第一隔离板从所述开口沿第一方向滑入所述腔室时，密封所述开口。
[0012]可选地，所述密封圈的延伸方向与所述第一方向垂直。
[0013]可选地，所述介质窗具有第一通孔，在第一通孔中设置有喷嘴，用于通入气体；所述第一隔离板具有多个第二通孔。
[0014]可选地，在所述第一隔离板从所述开口沿第一方向滑入所述腔室时，所述介质窗的下表面和所述第一隔离板的上表面贴合，沿所述第一隔离板和所述介质窗的堆叠方向，所述第一通孔的投影覆盖所述多个第二通孔的投影。
[0015]可选地，所述第一隔离板的材料可以为陶瓷或石英。
[0016]可选地，所述第一隔离板的厚度小于所述介质窗的厚度。
[0017]可选地，所述刻蚀设备还包括第二隔离板；
[0018]所述第二隔离板位于所述子腔室内，用于将所述子腔室分隔为上腔室和下腔室，所述上腔室和下腔室之间连通，所述下腔室具有用于放置载片的支撑装置。
[0019]可选地，所述刻蚀设备还包括加热装置和温度传感器；
[0020]所述加热装置位于所述介质窗背离所述第一隔离板的一侧，用于加热所述介质窗；
[0021]所述温度传感器位于所述第一隔离板的四周，用于检测所述第一隔离板的温度。
[0022]本申请实施例提供了一种刻蚀设备，包括腔体壁、介质窗和第一隔离板，腔体壁和介质窗形成腔室，以在腔室内对待刻蚀结构进行刻蚀，腔体壁具有开口，开口用于第一隔离板从开口沿第一方向滑入腔室，使第一隔离板和腔体壁形成子腔室，这样，在子腔室中长时间刻蚀时，仅第一隔离板的下表面被污染，介质窗由于其下方第一隔离板的保护未被污染，仅需对第一隔离板进行更换或清洗即可，而且，在更换第一隔离板时，可以通过腔体壁上的开口将第一隔离板滑出，操作简单方便，减少了更换时间，能够提高产量。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0024]图1示出了本申请实施例提供的一种刻蚀设备的结构示意图；
[0025]图2示出了本申请实施例提供的又一种刻蚀设备的结构示意图；
[0026]图3为本申请实施例提供的又一种刻蚀设备的结构示意图；
[0027]图4为本申请实施例提供的又一种刻蚀设备的俯视图。
具体实施方式
[0028]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。
[0029]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请，但是本申请还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的
情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0030]为了便于理解，下面结合附图对本申请实施例提供的一种刻蚀设备进行详细的说明。
[0031]本申请实施例提供了一种刻蚀设备，刻蚀设备可以是ALE设备，也可以是其它刻蚀设备，参考图1所示，为本申请实施例提供的一种刻蚀设备的结构示意图，包括腔体壁101、介质窗102和第一隔离板103。
[0032]腔体壁101和介质窗102形成腔室104，腔体壁101和介质窗102的接触面可以通过密封圈密封，以在腔室内使用等离子体对待刻蚀结构进行刻蚀，待刻蚀结构可以是载片或晶圆等，介质窗102的材料可以为石英、陶瓷、碳化硅等绝缘材料。
[0033]腔体壁101具有开口105，开口105用于第一隔离板103从开口105沿第一方向滑入腔室104，使第一隔离板103和腔体壁101形成子腔室，这样，在子腔室中长时间刻蚀时，仅第一隔离板103的下表面被污染，介质窗102由于其下方第一隔离板103的保护未被污染，仅需对第一隔离板103进行更换或清洗即可，而且，在更换第一隔离板103时，可以通过腔体壁101上的开口105将第一隔离板103滑出，操作简单方便，减少了更换时间，能够提高产量。
[0034]在本申请实施例中，第一隔离板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀设备，其特征在于，包括腔体壁、介质窗和第一隔离板；所述腔体壁和所述介质窗形成腔室；所述腔体壁具有开口；所述开口用于所述第一隔离板从所述开口沿第一方向滑入所述腔室，使所述第一隔离板和所述腔体壁形成子腔室。2.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述刻蚀设备还包括滑轨；所述滑轨安装在所述介质窗或所述第一隔离板上，所述滑轨沿第一方向，所述介质窗和所述第一隔离板之间通过所述滑轨滑动连接，所述第一隔离板通过所述滑轨从所述开口沿第一方向滑入所述腔室。3.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述第一隔离板具有密封槽，所述密封槽中具有密封圈，用于在所述第一隔离板从所述开口沿第一方向滑入所述腔室时，密封所述开口。4.根据权利要求3所述的刻蚀设备，其特征在于，所述密封圈的延伸方向与所述第一方向垂直。5.根据权利要求1所述的刻蚀设备，其特征在于，所述介质窗具有第一通孔，在第一通孔中设置有喷嘴，用于通入气体；所述第一隔离板具有多个第二通孔。6.根据权利要求5所述的刻蚀设备，其特征在于，在所述第一隔离板从所述开口沿第一方向滑...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海东，朱小庆，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：