【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体生产设备，具体涉及一种进气喷嘴装置、等离子体刻蚀机以及进气喷嘴的控制方法。
技术介绍
1、等离子刻蚀机，应用于半导体行业。等离子体刻蚀机应用到感应耦合等离子体刻蚀法，该工艺是化学过程和物理过程共同作用。它的基本原理是在真空低气压下，icp射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合工艺气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的rf射频的作用下，这些等离子体对衬底片的表面进行轰击，衬底片图形区域的半导体的化学键被打断，与刻蚀的工艺气体生成挥发性物质，以气体形式脱离衬底片，从真空管路被抽走。
2、由此可见，在刻蚀过程中需要向等离子体刻蚀机的反应腔室内提供工艺气体，主要是设置进气喷嘴喷射工艺气体。但是，目前等离子体刻蚀机的进气喷嘴结构固定，无法适应实际刻蚀工艺的不同需求，需要开腔破真空更换硬件，这将极大地损害腔室的稳定性以及增加设备成本。
技术实现思路
1、本申请提供一种进气喷嘴装置、等离子体刻蚀机以及进气喷嘴的控制方法，使得进气喷嘴装置具有可...
【技术保护点】
1.一种进气喷嘴装置，用于向等离子体刻蚀机的反应腔室提供工艺气体，其特征在于，所述进气喷嘴装置包括进气喷嘴和喷嘴座，所述进气喷嘴设置有喷气孔，所述喷嘴座设置有容纳腔，所述进气喷嘴的至少部分位于所述容纳腔内，且所述进气喷嘴相对所述喷嘴座可摆动；还包括调节部，所述调节部调节所述进气喷嘴和所述喷嘴座的相对位置，以调节所述喷气孔的角度。
2.根据权利要求1所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述容纳腔设置有球形内壁或者弧形内壁，所述进气喷嘴包括喷气头，所述喷气孔设置在所述喷气头，所述喷气头包括球形外壁或弧形外壁，所述球形外壁和所述球形内壁配合以实现摆动，或所述弧形内壁...
【技术特征摘要】
1.一种进气喷嘴装置，用于向等离子体刻蚀机的反应腔室提供工艺气体，其特征在于，所述进气喷嘴装置包括进气喷嘴和喷嘴座，所述进气喷嘴设置有喷气孔，所述喷嘴座设置有容纳腔，所述进气喷嘴的至少部分位于所述容纳腔内，且所述进气喷嘴相对所述喷嘴座可摆动；还包括调节部，所述调节部调节所述进气喷嘴和所述喷嘴座的相对位置，以调节所述喷气孔的角度。
2.根据权利要求1所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述容纳腔设置有球形内壁或者弧形内壁，所述进气喷嘴包括喷气头，所述喷气孔设置在所述喷气头，所述喷气头包括球形外壁或弧形外壁，所述球形外壁和所述球形内壁配合以实现摆动，或所述弧形内壁和所述弧形外壁配合以实现摆动。
3.根据权利要求2所述的进气喷嘴装置，其特征在于，还包括调节座和多个沿所述进气喷嘴周向分布的调节件，所述调节件连接于所述调节座，所述调节件抵压所述进气喷嘴，以定位所述进气喷嘴和所述喷嘴座；且，所述调节件能够靠近或者远离所述进气喷嘴。
4.根据权利要求3所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述调节件为调节螺丝，所述调节螺丝螺纹连接于所述调节座，所述调节螺丝相对所述调节座旋动以靠近或者远离所述进气喷嘴。
5.根据权利要求3所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述调节座为套状结构，所述进气喷嘴的至少部分位于所述调节座中。
6.根据权利要求5所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述调节座通过连接法兰固定在所述喷嘴座之上。
7.根据权利要求6所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述连接法兰和所述喷嘴座之间设置有第一密封圈。
8.根据权利要求2所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述喷气头为具有中空腔室的球形结构，所述球形结构的外表面为所述球形外壁；所述进气喷嘴还包括连接管，所述喷气头和所述连接管一体设置或者分体连接；所述进气喷嘴包括进气流道，所述进气流道包括所述中空腔室和所述连接管的管腔，所述中空腔室连通所述喷气孔。
9.根据权利要求8所述的进气喷嘴装置，其特征在于，所述喷气头和所述连接管...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘硕，郭颂，叶联，车东晨，彭泰彦，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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