【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种处理液喷洒方法及装置。
技术介绍
1、半导体加工制造过程中，需要对表面涂有光刻胶并完成曝光的晶圆进行显影。
2、集成电路图形是通过显影后显现，显影质量的好坏决定了线宽值是否能达到工艺要求。使用喷嘴将显影液均匀涂洒在晶圆表面是常用方法。
3、显影后使用喷嘴喷洒清洗液进而冲洗晶圆也是常用方法，清洗液冲洗会使显影过程终止，而且会将显影过程产生的光刻胶颗粒等杂质冲洗干净。
4、现有技术中，喷嘴向晶圆喷洒液体会发生液滴落在晶圆表面后弹起并再次落在晶圆表面的情形，称为“飞溅”。
5、因此，有必要开发一种新型处理液喷洒方法及装置，以改善现有技术中存在的的上述部分问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种处理液喷洒方法及装置，能够减少晶圆处理液落在晶圆表面后弹起再次落在晶圆表面的现象。
2、为实现上述目的，本专利技术提供的处理液喷洒方法，包括如下步骤：
3、打开喷嘴的上游管路的阀门，向晶圆
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1.一种处理液喷洒方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的处理液喷洒方法，其特征在于，所述关闭所述阀门，包括：
3.根据权利要求1所述的处理液喷洒方法，其特征在于，所述所述喷嘴的移动方向为所述晶圆的直径方向，包括：
4.根据权利要求1所述的处理液喷洒方法，其特征在于，所述所述喷嘴的移动方向为所述晶圆的直径方向，包括：
5.根据权利要求4所述的处理液喷洒方法，其特征在于，所述向晶圆喷洒处理液，还包括：
6.根据权利要求4所述的处理液喷洒方法，其特征在于，所述清洗液的流量大于等于500且小于等于...
【技术特征摘要】
1.一种处理液喷洒方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的处理液喷洒方法，其特征在于，所述关闭所述阀门，包括：
3.根据权利要求1所述的处理液喷洒方法，其特征在于，所述所述喷嘴的移动方向为所述晶圆的直径方向，包括：
4.根据权利要求1所述的处理液喷洒方法，其特征在于，所述所述喷嘴的移动方向为所述晶圆的直径方向，包括：
5.根据权利要求4所述的处理液喷洒方法，其特征在于，所述向晶圆喷洒处理液，还包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：张德强，胡苏，王延明，孙会权，
申请(专利权)人：沈阳芯源微电子设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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