一种ECCP干法等离子刻蚀设备零备件ChamberWALL维护的工艺方法技术

本发明专利技术涉及蚀刻技术领域，尤其涉及一种ECCP干法等离子刻蚀设备零备件Chamber WALL维护的工艺方法，工艺流程包括：干冰去污、化学腿膜、研磨、化抛、阳极氧化、超纯水封孔、清洗、干燥、真空包装，本发明专利技术所采用的维护方法，其阳极处理工艺所产生的废水为无机酸、碱液清洗水，不含重金属及有机染色剂等污染物，清洁环保，且流程简单易于实施。且通过实践发现，所得产品性能更佳。产品性能更佳。

【技术实现步骤摘要】
一种ECCP干法等离子刻蚀设备零备件Chamber WALL维护的工艺方法


[0001]本专利技术涉及蚀刻
，尤其涉及一种ECCP干法等离子刻蚀设备零备件Chamber WALL维护的工艺方法。

技术介绍

[0002]等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。
[0003]等离子刻蚀机结构中，石英部件直接接触等离子体，与反应腔室的状态密切相关，其表面的粗糙程度会随着刻蚀反应次数的增加而随之加剧，当粗糙度达到一定程度时就需要进行维护，传统工艺在对其进行维护时，需要的工艺流程复杂，难以实现，且会产生较多的废水，污染环境，因此需要进行改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决
技术介绍
中存在的缺点，而提出的一种ECCP干法等离子刻蚀设备零备件Chamber WALL维护的工艺方法，工艺流程包括：干冰去污、化学腿膜、研磨、化抛、阳极氧化、超纯水封孔、清洗、干燥、真空包装。
[0005]优选的，干冰去污采用干冰机，0.3～0.5mp CDA压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种ECCP干法等离子刻蚀设备零备件Chamber WALL维护的工艺方法，其特征在于：工艺流程包括：干冰去污、化学腿膜、研磨、化抛、阳极氧化、超纯水封孔、清洗、干燥、真空包装。2.根据权利要求1所述的一种ECCP干法等离子刻蚀设备零备件Chamber WALL维护的工艺方法，其特征在于：干冰去污采用干冰机，0.3～0.5mp CDA压力，0.5μm≤Ra≤1.0μm。3.根据权利要求1所述的一种ECCP干法等离子刻蚀设备零备件Chamber WALL维护的工艺方法，其特征在于：化学腿膜采用10％氢氧化钠，50℃，20μm过滤机循环，高压风机搅拌。4.根据权利要求1所述的一种ECCP干法等离子刻蚀设备零备件Chamber WALL维护的工艺方法，其特征在于：研磨采用80#，120#，180#，320#，500#,800#氧化铝砂纸研磨，粗糙度0.5μm以...

【专利技术属性】
技术研发人员：于辉，熊志红，朱峰，
申请(专利权)人：湖北仕上电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：