【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种等离子体刻蚀设备、介质窗加热系统装置及系统。
技术介绍
1、感应耦合等离子体刻蚀法，其原理是在真空条件下，通过上射频电源产生的射频输出到线圈，与一定比例的混合气体耦合辉光放电，所产生的高密度等离子体在下射频的作用下轰击基片表面，轰击表面的半导体化学键被打断，与刻蚀气体结合成挥发性物质，从而被真空管路抽走，以达到刻蚀晶圆的目的。
2、其中耦合线圈位于腔室介质窗上方真空外，而介质窗则起到密封真空的作用。因此在刻蚀过程中陶瓷介质窗会有刻蚀产物沉积于其上，无法被真空泵抽走，或是在介质窗表面沉积表现不一致，导致沾污剥落，进而影响颗粒性。
3、因此介质窗加热装置是减少沉积的重要手段。目前的介质窗加热装置采用导热结构与加热元件相贴合，且整个导热结构包裹隔热绝缘材料，使其与介质窗表面非直接接触。由于其加热元件所连接的导热结构外包裹一层隔热绝缘层，可能导致其散热效果较差，不利于控制介质窗的温度均匀性，可能会对刻蚀颗粒性造成影响。
4、因此，如何克服上述缺陷，是本领域内技术人员始终关注的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的为提供一种介质窗温度比较均匀的介质窗加热装置及系统、等离子体刻蚀设备。
2、本专利技术提供了一种介质窗加热装置，包括加热元件和导热体，所述加热元件包裹于所述导热体内部且与所述导热体绝缘导热，所述导热体一侧面用于与介质窗接触，另一侧面用于直接露置于所述等离子体刻蚀设备的反应腔。
3、
4、在一种可选的实施方式中，所述导热体包括上导热壳体和下导热壳体，所述上导热壳体和下导热壳体围合形成所述加热元件的安装空间。
5、在一种可选的实施方式中，所述导热体包括环状体以及自所述环状体的内环向内延伸的径向体，相邻所述径向体间隔设置，并且所述径向体越靠近所述介质窗的中心宽度越小，所述环状体和每一所述径向体内部均设置所述加热元件。
6、另外，本专利技术提供了一种介质窗加热系统，用于等离子体刻蚀设备，包括以下部件：
7、上述任一项介质窗加热装置，所述导热体一侧面与介质窗接触，另一侧面直接露置于所述等离子体刻蚀设备的反应腔；
8、第一散热风扇，位于所述加热装置背离所述介质窗的一侧，并且与所述介质窗中心区域相对。
9、本专利技术中的介质窗加热系统设置有介质窗加热装置和第一散热风扇，一方面加热元件的热量可以通过与介质窗直接接触的下层导热体直接传递热量于介质窗，另一方面加热元件的部分热量经位于背离介质窗一侧的上层导热体散发后，可以在第一散热风扇的作用下吹散向介质窗，并且在第一散热风扇的作用下介质窗的中心温度和边缘温度可以趋于一致，进而达到减少刻蚀沉淀的效果。
10、在一种可选的实施方式中，还包括第二散热风扇，与所述第一散热风扇同侧设置，所述第二散热风扇距离所述等离子体刻蚀设备的反应腔中心轴距离大于所述第一散热风扇与所述中心轴的距离，并且所述第二散热风扇位于所述介质窗在垂直于轴向的投影内部。
11、在一种可选的实施方式中，所述第二散热风扇的数量至少为两个，各所述第二散热风扇以所述第一散热风扇为中心均匀布置。
12、在一种可选的实施方式中，所述第一散热风扇的出风口中心、所述加热装置的中心和所述介质窗的中心同轴。
13、在一种可选的实施方式中，各散热风扇安装于所述反应腔的内壁顶部。
14、在一种可选的实施方式中，所述导热体与所述介质窗粘接固定。
15、在一种可选的实施方式中，还包括温度检测部件，至少能够获取所述介质窗的沿径向两个不同位置的温度，所述第一散热风扇和所述第二散热风扇的功率根据所述温度检测部件所获取的所述沿径向两个不同位置的温度调节其风速大小以使所述温度检测部件所检测的各温度处于预设温度范围。
16、此外，本专利技术还提供了一种等离子体刻蚀设备，包括上述任一项所述的介质窗加热系统。
17、本专利技术的介质窗加热系统和等离子体刻蚀设备包括上述介质窗加热装置，故也具有介质窗加热装置的上述技术效果。
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1.一种介质窗加热装置，其特征在于，包括加热元件和导热体，所述加热元件包裹于所述导热体内部且与所述导热体绝缘导热，所述导热体一侧面用于与介质窗接触，另一侧面用于直接露置于所述等离子体刻蚀设备的反应腔。
2.如权利要求1所述的介质窗加热装置，其特征在于，所述导热体包括上导热壳体和下导热壳体，所述上导热壳体和下导热壳体围合形成所述加热元件的安装空间。
3.如权利要求1或2所述的介质窗加热装置，其特征在于，所述导热体包括环状体以及自所述环状体的内环向内延伸的径向体，相邻所述径向体间隔设置，并且所述径向体越靠近所述介质窗的中心宽度越小，所述环状体和每一所述径向体内部均设置所述加热元件。
4.一种介质窗加热系统，用于等离子体刻蚀设备，其特征在于，包括以下部件：
5.如权利要求4所述的介质窗加热系统，其特征在于，还包括第二散热风扇，与所述第一散热风扇同侧设置，所述第二散热风扇距离所述等离子体刻蚀设备的反应腔中心轴距离大于所述第一散热风扇与所述中心轴的距离，并且所述第二散热风扇位于所述介质窗在垂直于轴向的投影内部。
6.如权利要求5所
7.如权利要求5所述的介质窗加热系统，其特征在于，所述第一散热风扇的出风口中心、所述加热装置的中心和所述介质窗的中心同轴。
8.如权利要求5所述的介质窗加热系统，其特征在于，各散热风扇安装于所述反应腔的内壁顶部。
9.如权利要求5所述的介质窗加热系统，其特征在于，所述导热体与所述介质窗粘接固定。
10.如权利要求5至9任一项所述的介质窗加热系统，其特征在于，还包括温度检测部件，至少能够获取所述介质窗的沿径向两个不同位置的温度，所述第一散热风扇和所述第二散热风扇的功率根据所述温度检测部件所获取的所述沿径向两个不同位置的温度调节其风速大小以使所述温度检测部件所检测的各温度处于预设温度范围。
11.一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，包括权利要求4至10任一项所述的介质窗加热系统。
...【技术特征摘要】
1.一种介质窗加热装置，其特征在于，包括加热元件和导热体，所述加热元件包裹于所述导热体内部且与所述导热体绝缘导热，所述导热体一侧面用于与介质窗接触，另一侧面用于直接露置于所述等离子体刻蚀设备的反应腔。
2.如权利要求1所述的介质窗加热装置，其特征在于，所述导热体包括上导热壳体和下导热壳体，所述上导热壳体和下导热壳体围合形成所述加热元件的安装空间。
3.如权利要求1或2所述的介质窗加热装置，其特征在于，所述导热体包括环状体以及自所述环状体的内环向内延伸的径向体，相邻所述径向体间隔设置，并且所述径向体越靠近所述介质窗的中心宽度越小，所述环状体和每一所述径向体内部均设置所述加热元件。
4.一种介质窗加热系统，用于等离子体刻蚀设备，其特征在于，包括以下部件：
5.如权利要求4所述的介质窗加热系统，其特征在于，还包括第二散热风扇，与所述第一散热风扇同侧设置，所述第二散热风扇距离所述等离子体刻蚀设备的反应腔中心轴距离大于所述第一散热风扇与所述中心轴的距离，并且所述第二散热风扇位于...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈帅，刘海洋，刘小波，李浩，李百顺，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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