【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体生产，特别是一种等离子体控流装置，该等离子体控流装置可以应用于等离子刻蚀机，可以用来优化等离子刻蚀机的刻蚀均一性。
技术介绍
1、等离子刻蚀机应用于半导体行业，其基本原理是在真空低气压下，icp射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的rf射频的作用下，这些等离子体对晶圆衬底进行轰击，晶圆衬底图形区域的半导体的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。
2、目前，等离子刻蚀机工作过程中存在等离子体分布不均匀，气流分散于等离子体反应腔各处，导致部分气流被真空泵直接抽走，产生不必要的浪费，还导致对晶圆的刻蚀均一性比较差，以金属铝刻蚀为例，目前市场上的金属铝刻蚀机均一性一般在8％以上。
3、因此，如何克服上述弊端，是本领域技术人员需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本申请提供一种等离子体控流装置，所述等离子体控流装置包括第一环形体...
【技术保护点】
1.等离子体控流装置，其特征在于，所述等离子体控流装置包括第一环形体(101)、第二环形体(102)和环形连接体(103)；所述第一环形体(101)、第二环形体(102)和环形连接体(103)均环绕直线A设置；所述第一环形体(101)和第二环形体(102)沿所述直线A相互间隔，之间形成间隔空间；所述环形连接体(103)位于所述间隔空间中并连接所述第一环形体(101)和第二环形体(102)，与所述第一环形体(101)和第二环形体(102)共同围合形成控流腔；所述第一环形体(101)的内孔形成供等离子体进入所述控流腔的进流口，所述环形连接体(103)设有供等离子体流出所述...
【技术特征摘要】
1.等离子体控流装置，其特征在于，所述等离子体控流装置包括第一环形体(101)、第二环形体(102)和环形连接体(103)；所述第一环形体(101)、第二环形体(102)和环形连接体(103)均环绕直线a设置；所述第一环形体(101)和第二环形体(102)沿所述直线a相互间隔，之间形成间隔空间；所述环形连接体(103)位于所述间隔空间中并连接所述第一环形体(101)和第二环形体(102)，与所述第一环形体(101)和第二环形体(102)共同围合形成控流腔；所述第一环形体(101)的内孔形成供等离子体进入所述控流腔的进流口，所述环形连接体(103)设有供等离子体流出所述控流腔的出流口(103b)。
2.根据权利要求1所述的等离子体控流装置，其特征在于，所述第二环形体(102)的外周尺寸小于所述第一环形体(101)的外周尺寸。
3.根据权利要求1所述的等离子体控流装置，其特征在于，所述第一环形体(101)和所述第二环形体(102)均为板状结构。
4.根据权利要求1所述的等离子体控流装置，其特征在于，所述环形连接体(103)包括多个连接柱(103a)，各所述连接柱(103a)环绕所述直线a依次间隔布置，相邻所述连接柱(103a)之间形成所述出流口(103b)。
5.等离子刻蚀机，其特征在于，所述等离子刻蚀机包括等离子体反应腔(200)、晶圆支撑台(301)和权利要求1-4任一项所述的等离子体控流装置；所述晶圆支撑台(301)位于所述等离子体反应腔(200)的进气口(202a)和排气口(201a)之间，所述等离子体控流装置位于所述等离子体反应腔(200)的进气口(202a)和所述晶圆支撑台(301)之间，所述等离子体控流装置的第一环形体(101)靠近所述进气口(202a)，第二环形体(102)靠近所述晶圆支撑台(301)；所述晶圆支撑台(301)的晶圆放置区域位于所述第一环形体(101)的内孔在所述晶圆支撑台(301)上的投影区域内，也位于所述第二环形体(102)的内...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭颂，刘小波，陈兆超，车东晨，叶联，刘磊，陈龙保，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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