【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种功率模块及其制备方法。
技术介绍
1、具有例如igbt(绝缘栅双极型晶体管)和/或mosfet(金属－氧化物半导体场效应晶体管)等功率芯片的功率模块广泛应用在各种电子/电力设备上。此类功率模块通常需要设置具有不同厚度或载流能力的电路结构，其中较厚或载流能力较高的电路用于传输大电流，较薄或载流能力较小的电路用于传输小电流(例如控制信号/电流)。
2、现有功率模块中，不同电路结构的布线空间通常是完全分开的，因此需要较大的布线面积，不利于实现模块的小型化。另外，功率芯片在工作过程中会产生大量热量，因此要求模块具有较佳的散热性能。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种有利于小型化且具有较佳散热性能的功率模块及其制备方法。
2、为了实现上述主要目的，本专利技术的第一方面公开了一种功率模块，包括封装体、引线框架以及设置在封装体内的一个或多个功率芯片；其中，引线框架的一侧表面具有凹槽，凹槽内设有电路板；功率芯片具有相对设置的第一表面和第二表面，位于第一表面上的芯片电极与引线框架和电路板电连接；引线框架背对功率芯片的一侧设有从封装体暴露的第一金属散热体，第一金属散热体与引线框架之间连接有第一陶瓷板。
3、进一步地，位于第二表面上的芯片电极通过导电件与引线框架和/或电路板电连接，导电件背对功率芯片的一侧设有第二金属散热体，第二金属散热体与导电件之间连接有第二陶瓷板。
4、进一步地，导电件设置为覆盖功率芯片，并具有容纳功率芯
5、进一步地，封装体背对第一金属散热体的表面设有金属箔，金属箔与第二金属散热体连接。
6、根据本专利技术的一种具体实施方式，封装体包括多层绝缘芯板，第一陶瓷板插入到绝缘芯板之间。
7、根据本专利技术的一种具体实施方式，电路板为fr-4电路板，引线框架采用厚度为0.3mm～2mm的铜框架。
8、根据本专利技术的一种具体实施方式，位于功率芯片第一表面上的芯片电极焊接到引线框架和电路板上，以实现与引线框架及电路板的电连接。
9、本专利技术的第二方面公开了一种功率模块的制备方法，包括如下步骤：
10、制备一侧表面具有凹槽的引线框架，并在引线框架背对凹槽的另一侧依次焊接第一陶瓷板和第一金属散热体；
11、制作第一封装体，使得引线框架、第一陶瓷板和第一金属散热体镶嵌在第一封装体内，且引线框架和第一金属散热体分别暴露在第一封装体的相对两侧；
12、在引线框架的凹槽内安装电路板，然后将位于功率芯片第一表面的芯片电极电连接到引线框架和电路板；
13、制作第二封装体，以实现功率芯片的封装。
14、进一步地，上述制备方法还可以包括在制作第二封装体之前进行的如下步骤：
15、利用导电件将位于功率芯片第二表面上的芯片电极电连接到引线框架和/或电路板，并在导电件背对功率芯片的一侧依次焊接第二陶瓷板和第二金属散热体。
16、本专利技术的制备方法中，可以通过热压多层绝缘芯板的方式制作第一封装体，并使得第一陶瓷板插入到绝缘芯板之间。
17、本专利技术的技术方案至少具有如下有益效果：
18、⑴，将电路板设置在引线框架的凹槽内，有利于简化模块的结构及实现模块的小型化；
19、⑵，芯片产生的热量可通过引线框架、第一陶瓷板和第一金属散热体快速传导至封装体外部，具有较佳的散热效果；
20、⑶，在优选的方案中，芯片产生的热量还可以通过导电件、第二陶瓷板和第二金属散热体传导至封装体外部，实现双面散热，从而进一步提升模块的散热性能。
21、为了更清楚地说明本专利技术的目的、技术方案和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。
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1.一种功率模块，包括封装体、引线框架以及设置在所述封装体内的一个或多个功率芯片；其中，所述引线框架的一侧表面具有凹槽，所述凹槽内设有电路板；所述功率芯片具有相对设置的第一表面和第二表面，位于所述第一表面上的芯片电极与所述引线框架和所述电路板电连接；所述引线框架背对所述功率芯片的一侧设有从所述封装体暴露的第一金属散热体，所述第一金属散热体与所述引线框架之间连接有第一陶瓷板。
2.根据权利要求1所述的功率模块，其中，位于所述第二表面上的芯片电极通过导电件与所述引线框架和/或所述电路板电连接，所述导电件背对所述功率芯片的一侧设有第二金属散热体，所述第二金属散热体与所述导电件之间连接有第二陶瓷板。
3.根据权利要求2所述的功率模块，其中，所述导电件设置为覆盖所述功率芯片，并具有容纳所述功率芯片的容纳槽。
4.根据权利要求2所述的功率模块，其中，所述封装体背对所述第一金属散热体的表面设有金属箔，所述金属箔与所述第二金属散热体连接。
5.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述封装体包括多层绝缘芯板，所述第一陶瓷板插入到所述绝缘芯板之间。p>
6.根据权利要求1所述的功率模块，其中，所述电路板为FR-4电路板，所述引线框架采用厚度为0.3mm～2mm的铜框架。
7.根据权利要求1所述的功率模块，其中，位于所述第一表面上的芯片电极焊接到所述引线框架和所述电路板上，以实现与所述引线框架及所述电路板的电连接。
8.一种功率模块的制备方法，包括如下步骤：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其中，在制作所述第二封装体之前还进行如下步骤：
10.根据权利要求8所述的制备方法，其中，通过热压多层绝缘芯板的方式制作所述第一封装体，并使得所述第一陶瓷板插入到所述绝缘芯板之间。
...【技术特征摘要】
1.一种功率模块，包括封装体、引线框架以及设置在所述封装体内的一个或多个功率芯片；其中，所述引线框架的一侧表面具有凹槽，所述凹槽内设有电路板；所述功率芯片具有相对设置的第一表面和第二表面，位于所述第一表面上的芯片电极与所述引线框架和所述电路板电连接；所述引线框架背对所述功率芯片的一侧设有从所述封装体暴露的第一金属散热体，所述第一金属散热体与所述引线框架之间连接有第一陶瓷板。
2.根据权利要求1所述的功率模块，其中，位于所述第二表面上的芯片电极通过导电件与所述引线框架和/或所述电路板电连接，所述导电件背对所述功率芯片的一侧设有第二金属散热体，所述第二金属散热体与所述导电件之间连接有第二陶瓷板。
3.根据权利要求2所述的功率模块，其中，所述导电件设置为覆盖所述功率芯片，并具有容纳所述功率芯片的容纳槽。
4.根据权利要求2所述的功率模块，其中，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：林伟健，严国安，梁杰辉，
申请(专利权)人：丰鹏电子珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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