温度传感器元件及温度传感器制造技术

技术编号:41093615 阅读:39 留言:0更新日期:2024-04-25 13:52
目的是提供一种即使长时间继续较强的还原性气体环境中的使用也能够抑制感热体的还原反应的温度传感器元件。温度传感器元件(1)具备:感热体(11),根据温度而电阻变化;第一覆盖层(20),将感热体(11)的周围覆盖;一对引出线(15、15),与感热体(11)连接,并且贯通第一覆盖层(20)而朝向后端侧被引出;第二覆盖层(25),将贯通第一覆盖层(20)而被引出的一对引出线(15、15)的周围覆盖;以及第三覆盖层(30),将第一覆盖层(20)及第二覆盖层(25)的周围覆盖;第二覆盖层(25)由氧化铬、氧化锰、氧化钌粉末、氧化铱粉末及氧化铂的至少一种与玻璃的混合物构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及具备电特性对应于温度变化而变化的热敏电阻等的感热体的温度传感器元件。


技术介绍

1、作为温度传感器元件,具备例如由导电性氧化物烧结体构成的热敏电阻、将热敏电阻的周围覆盖的覆盖层以及与热敏电阻连接并将覆盖层贯通而被引出的一组引出线。

2、如果将该温度传感器元件在还原性气体环境下使用,则还原性气体通过覆盖层与引出线的界面侵入到热敏电阻。由于热敏电阻是氧化物,所以被侵入来的还原性气体还原,有作为温度传感器元件的温度检测精度下降的情况。

3、对于以上的课题,专利文献1除了将热敏电阻的周围覆盖的第1覆盖层以外,还具备将第1覆盖层的外表面中的引出线的延伸出部分包围、主要包含氧供给氧化物而形成的第2覆盖层。专利文献1中的氧供给氧化物包含cr、mn、fe、co、ni、ce、pr中的至少1种氧化物。专利文献1是在引出线与第1覆盖层的界面存在间隙的情况下,也通过具备包含氧供给氧化物的第2覆盖层,即使热敏电阻被暴露在较强的还原气体环境中,也能够抑制还原反应。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种温度传感器元件,其特征在于,

2.如权利要求1所述的温度传感器元件,其特征在于,

3.如权利要求2所述的温度传感器元件,其特征在于,

4.如权利要求1或2所述的温度传感器元件,其特征在于,

5.如权利要求4所述的温度传感器元件,其特征在于,

6.如权利要求1或2所述的温度传感器元件,其特征在于,

7.如权利要求1或2所述的温度传感器元件,其特征在于,

8.一种温度传感器,其特征在于,

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种温度传感器元件,其特征在于,

2.如权利要求1所述的温度传感器元件,其特征在于,

3.如权利要求2所述的温度传感器元件,其特征在于,

4.如权利要求1或2所述的温度传感器元件,其特征在于,

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【专利技术属性】
技术研发人员:新关尚宏
申请(专利权)人:株式会社芝浦电子
类型:发明
国别省市:

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