温度传感器元件及温度传感器制造技术

技术编号：41098069 阅读：3 留言：0更新日期：2024-04-25 13:55

本发明专利技术的温度传感器元件(1)具备：感热体(11)，电阻根据温度而变化；第一覆盖层(20)，将感热体(11)的周围覆盖；以及一对引出线(15、15)，与感热体(11)连接，并且将第一覆盖层(20)贯通而被朝向后端侧引出；以及第二覆盖层(25)，将贯通第一覆盖层(20)而被引出的一对引出线(15、15)的周围覆盖；以及第三覆盖层(30)，将第一覆盖层(20)及第二覆盖层(25、27)的周围覆盖。在温度传感器元件(1)中，第二覆盖层(25)由氧供给氧化物与玻璃的混合物构成。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及具备电特性对应于温度变化而变化的热敏电阻等感热体的温度传感器元件。

技术介绍

1、作为温度传感器元件，具备例如由导电性氧化物烧结体构成的热敏电阻、将热敏电阻的周围覆盖的覆盖层以及与热敏电阻连接并将覆盖层贯通而被引出的一组引出线。

2、如果将该温度传感器元件在还原性气体环境下使用，则还原性气体通过覆盖层与引出线的界面侵入到热敏电阻。由于热敏电阻是氧化物，所以被侵入来的还原性气体还原，有作为温度传感器元件的温度检测精度下降的情况。

3、对于以上的课题，专利文献1除了将热敏电阻的周围覆盖的第1覆盖层以外，还具备将第1覆盖层的外表面中的引出线的延伸出部分包围、主要包含氧供给氧化物而形成的第2覆盖层。专利文献1中的氧供给氧化物包含cr、mn、fe、co、ni、ce、pr中的至少1个氧化物。专利文献1即使是在引出线与第1覆盖层的界面存在间隙的情况下，也通过具备包含氧供给氧化物的第2覆盖层，即使暴露在热敏电阻较强的还原气体环境中也能够抑制还原反应。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2016－12696号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、但是，在专利文献1中，如果将较强的还原性气体环境中的使用长时间继续，则担心氧供给氧化物枯竭。

3、所以，本专利技术的目的是提供一种实现氧供给的提高、能够抑制感热体的还原反应的温度传感器元件。

4、用来解决课题的手段</p>

5、本专利技术的温度传感器元件具备：感热体，电阻根据温度而变化；多个覆盖层，将感热体的周围覆盖；以及一对引出线，与感热体连接，并且将覆盖层贯通而被朝向后端侧引出。

6、在本专利技术的温度传感器元件中，至少一个覆盖层由氧供给氧化物与玻璃的混合物构成。

7、本专利技术的温度传感器元件中的多个覆盖层优选的是具备：第一覆盖层，以感热体为基准而设在最内侧；第二覆盖层，将第一覆盖层的周围覆盖，并且将贯通第一覆盖层而被引出的一对引出线的周围覆盖；以及第三覆盖层，将第二覆盖层的周围覆盖。第一覆盖层、第二覆盖层及第三覆盖层的某一层由氧供给氧化物与玻璃的混合物构成。

8、本专利技术的温度传感器元件中的氧供给氧化物优选的是可以设为过渡金属元素的氧化物。作为该过渡金属元素，优选的是可以设为cr、mn、fe、ni、ta、w及cu的至少一种。

9、本专利技术的温度传感器元件中的氧供给氧化物优选的是可以设为稀土类金属元素的氧化物。作为该稀土类金属元素，可以设为la、ce、pr、nd、sm、eu、gd、tb、yb及lu的至少一种。

10、在本专利技术的温度传感器元件中，优选的是，第一覆盖层由第一氧化物粉末或第一氧化物粉末与玻璃的混合物构成；第三覆盖层为第三氧化物粉末与玻璃的混合物。

11、作为该第一氧化物粉末，可以设为构成感热体的热敏电阻的粉末。

12、进而，在本专利技术中，第二覆盖层可以做成将贯通第一覆盖层而被引出的一对引出线的周围覆盖、并且在第一覆盖层与第三覆盖层之间将第一覆盖层覆盖的形态。

13、进而，在本专利技术中，可以做成第二覆盖层限定将贯通第一覆盖层而被引出的一对引出线的周围而覆盖、第一覆盖层与第三覆盖层直接相接的形态。

14、进而，本专利技术能够提供具备以上的温度传感器元件的温度传感器。

15、专利技术效果

16、根据本专利技术，通过从设在引出线的周围的包含玻璃的第2覆盖层供给氧，提供即使长时间持续较强的还原性气体环境中的使用也能够抑制感热体的还原反应的温度传感器元件。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种温度传感器元件，其特征在于，

2.如权利要求1所述的温度传感器元件，其特征在于，

3.如权利要求1或2所述的温度传感器元件，其特征在于，

4.如权利要求3所述的温度传感器元件，其特征在于，

5.如权利要求1或2所述的温度传感器元件，其特征在于，

6.如权利要求5所述的温度传感器元件，其特征在于，

7.如权利要求2所述的温度传感器元件，其特征在于，

8.如权利要求7所述的温度传感器元件，其特征在于，

9.如权利要求2所述的温度传感器元件，其特征在于，

10.如权利要求2所述的温度传感器元件，其特征在于，

11.一种温度传感器，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种温度传感器元件，其特征在于，

2.如权利要求1所述的温度传感器元件，其特征在于，

3.如权利要求1或2所述的温度传感器元件，其特征在于，

4.如权利要求3所述的温度传感器元件，其特征在于，

5.如权利要求1或2所述的温度传感器元件，其特征在于，

6.如权利要求5所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：新关尚宏，
申请(专利权)人：株式会社芝浦电子，
类型：发明
国别省市：

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