具有低寄生电感和低热阻的功率集成模块制造技术

本发明专利技术实施例涉及一种具有低寄生电感和低热阻的功率集成模块，包括半导体开关器件、电路板和金属框架；金属框架包括相互分离的散热片和多个电极端子，半导体开关器件设置在电路板和散热片之间，电路板相对于半导体开关器件的表面安装有与半导体开关器件形成电流回路的电容；半导体开关器件的两个相对表面分别形成有导热盘和多个电极，多个电极经由电路板与多个电极端子电连接，导热盘与散热片热连接；封装体包裹电路板、半导体开关器件和电容，并露出多个电极端子和散热片。将半导体开关器件和电容分别设置在电路板的相对两侧而形成垂直布局，便于减小电流回路面积以降低寄生电感；半导体开关器件与散热片热连接，使模块具有低热阻特性。

Power integration module with low parasitic inductance and low thermal resistance

【技术实现步骤摘要】
具有低寄生电感和低热阻的功率集成模块
本专利技术涉及一种功率集成模块；更具体地，是涉及一种同时具有低寄生电感和低热阻的功率集成模块。
技术介绍
与传统Si(硅)功率器件相比，例如GaNMOSFET的GaN(氮化镓)功率器件具有较低的品质因数(FigureofMerit,FOM)。其中，FOM定义为RDS,ON和(QGS+QGD)的乘积，RDS,ON为导通电阻，QGS为栅源极电荷，QGD为栅漏极电荷。这意味着当具有与Si功率器件相同的RDS,ON时，GaN功率器件的QGS+QGD将远小于Si功率器件。较低的QGS+QGD将会造成较快的电流和电压变化速率，即di/dt和dv/dt将会变大。在开关电源的应用下，GaN功率器件具有较高di/dt将使得电路寄生电感产生较高的峰值电压(voltagespike)，较高的峰值电压容易造成较大的电磁干扰(EMI)且增加其开关功率损耗。因此，功率集成模块的线路布局需要最小化寄生电感，从而达到GaN功率器件该有的开关特性。图1是开关电源应用下的一种典型功率集成模块的桥臂电路原理图。如图1所示，该功率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有低寄生电感和低热阻的功率集成模块，包括：/n金属框架，包括相互分离的散热片和多个电极端子；/n电路板，包括绝缘基板和形成在所述绝缘基板两个相对表面的导电图案层，所述绝缘基板的两个相对表面的导电图案层之间通过贯穿所述绝缘基板的导电路径电连接；/n半导体开关器件，其一个表面具有多个电极，相对的另一个表面具有导热盘；所述半导体开关器件设置在所述电路板和所述散热片之间，所述导热盘与所述散热片热连接，所述多个电极经由所述电路板与所述多个电极端子电连接；/n电容，安装在所述电路板相对于所述半导体开关器件的表面；所述电容和所述半导体开关器件之间形成电流回路；/n封装体，包裹所述电路板、所述半导体...

【技术特征摘要】
1.一种具有低寄生电感和低热阻的功率集成模块，包括：
金属框架，包括相互分离的散热片和多个电极端子；
电路板，包括绝缘基板和形成在所述绝缘基板两个相对表面的导电图案层，所述绝缘基板的两个相对表面的导电图案层之间通过贯穿所述绝缘基板的导电路径电连接；
半导体开关器件，其一个表面具有多个电极，相对的另一个表面具有导热盘；所述半导体开关器件设置在所述电路板和所述散热片之间，所述导热盘与所述散热片热连接，所述多个电极经由所述电路板与所述多个电极端子电连接；
电容，安装在所述电路板相对于所述半导体开关器件的表面；所述电容和所述半导体开关器件之间形成电流回路；
封装体，包裹所述电路板、所述半导体开关器件和所述电容，并部分地露出所述多个电极端子和所述散热片。


2.根据权利要求1所述的功率集成模块，其中，所述电路板与所述多个电极端子间隔设置，且所述电路板和所述多个电极之间通过多个金属连接件电连接。


3.根据权利要求1所述的功率集成模块，其中，所述多个电极端子构造为直接电连接至所述电路板。


4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：林伟健，李汉祥，
申请(专利权)人：丰鹏电子珠海有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44