【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工设备，特别涉及一种等离子体刻蚀设备、刻蚀机台及聚焦环顶升结构。
技术介绍
1、随着半导体器件的发展，晶片图形精度越来越高，逐步发展了一系列干法刻蚀技术。其中，电感耦合等离子体刻蚀(icp)是一种加工微纳结构的等离子刻蚀技术，具有刻蚀快、选择比高、各向异性高、刻蚀损伤小、断面轮廓可控性高、刻蚀表面平整度高等优点，目前被广泛应用。
2、icp设备中的刻蚀发生在真空反应腔室内，静电吸附卡盘放置在真空反应腔室中部的基座上，晶圆位于静电吸附卡盘的上表面，并且在晶圆的周边会安装有聚焦环来改变晶圆边缘区域等离子体鞘层的分布和形态。
3、聚焦环长期在充满刻蚀气体的等离子体中，上表面材料会被消耗，高度随之下降。聚焦环高度下降会带来一系列刻蚀参数的变化，较为严重的影响是产生晶圆边缘刻蚀路径倾斜现象，降低刻蚀均一性。在成熟的现有技术中，通过抬高聚焦环来补偿被刻蚀量是一种行之有效的方法。
4、聚焦环被顶升后，底部会产生一定的空间，如图1所示。随着工艺进程的不断发展，聚焦环顶升高度在不断的加高，底部空间不断...
【技术保护点】
1.一种聚焦环顶升结构，用于具有多个层叠设置的环体的聚焦环的顶升，其特征在于，所述聚焦环顶升结构包括：
2.根据权利要求1所述的聚焦环顶升结构，其特征在于，所述传动杆包括杆体、定法兰以及波纹管，所述定法兰用于与刻蚀机台密封固定连接，所述杆体穿过所述定法兰与所述顶针构件传动连接，所述波纹管的两端分别与所述定法兰以及所述杆体的底座密封连接。
3.根据权利要求2所述的聚焦环顶升结构，其特征在于，所述聚焦环顶升结构还包括安装座，所述驱动装置通过所述安装座安装于刻蚀机台的基座。
4.根据权利要求3所述的聚焦环顶升结构，其特征在于，所述安装座设...
【技术特征摘要】
1.一种聚焦环顶升结构，用于具有多个层叠设置的环体的聚焦环的顶升，其特征在于，所述聚焦环顶升结构包括：
2.根据权利要求1所述的聚焦环顶升结构，其特征在于，所述传动杆包括杆体、定法兰以及波纹管，所述定法兰用于与刻蚀机台密封固定连接，所述杆体穿过所述定法兰与所述顶针构件传动连接，所述波纹管的两端分别与所述定法兰以及所述杆体的底座密封连接。
3.根据权利要求2所述的聚焦环顶升结构，其特征在于，所述聚焦环顶升结构还包括安装座，所述驱动装置通过所述安装座安装于刻蚀机台的基座。
4.根据权利要求3所述的聚焦环顶升结构，其特征在于，所述安装座设置有导向限位腔，所述传动杆穿过所述导向限位腔与所述驱动装置连接，所述导向限位腔与所述杆体的底座配合对所述传动杆进行导向限位。
5.根据权利要求4所述的聚焦环顶升结构，其特征在于，所述安装座的侧壁设置与所述导向限位腔连通的限位滑槽，所述杆体的底座设置止转销，所述止转销与所述限位滑槽配合，以避免所述传动杆转动。
6.根据权利要求3-5任意一项所述的聚焦环顶升结构，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹格华，刘海洋，刘小波，许跃跃，车东晨，胡冬冬，石小丽，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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