【技术实现步骤摘要】
本申请涉及微控制，尤其涉及一种阵列基板母版、阵列基板母版的制备方法和微流控芯片。
技术介绍
1、微流控技术指的是使用微管道处理或操纵微小液滴的一种技术。微流控芯片是微流控技术实现的主要平台。微流控芯片具有并行采集和处理样品、集成化高、高通量、分析速度快、功耗低、物耗少，污染小等特点。微流控芯片技术可以应用于生物基因工程、疾病诊断和药物研究、细胞分析、环境监测与保护、卫生检疫、司法鉴定等领域，现有的微流控芯片主要用于驱动液滴流动。
2、现有生产微流控基板的方案通常是在一个母版上进行制备，但是由于微流控基板所需尺寸较小，绝大多数的尺寸为1至5寸，直接在一个母版上进行制备，容易导致浪费问题，使得微流控基板的生产成本增加。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种阵列基板母版、阵列基板母版的制备方法和微流控芯片，节约微流控基板的生产成本。
2、本申请公开了一种阵列基板母版，包括衬底，以及沿着背离所述衬底方向上依次堆叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和第二绝缘层；阵列基板母版划分为阵列基板区域和微流控基板区域，所述阵列基板区域切割形成阵列基板，所述微流控基板区域切割形成微流控基板；
3、在所述阵列基板区域，所述阵列基板母版还包括半导体层和像素电极层、所述半导体层位于所述第二金属层与所述第一绝缘层之间，且所述第二金属层包括间隔设置的源极和漏极，所述半导体层的两侧分别连接所述源极和漏极，所述像素电极层位于所述第二绝缘层远离所述衬底的一侧，并与所述漏极连
4、在所述微流控基板区域，所述第一金属层包括多条第一数据线，所述第二金属层包括多条第二数据线，多条所述第一数据线和多条所述第二数据线横纵排布设置，并限定出多个像素区域；所述第一金属层和/或所述第二金属层包括第一电极和/或第二电极，所述第一电极与所述第一数据线连接，所述第二电极与所述第二数据线连接，每个所述像素区域均设置有所述第一电极和所述第二电极。
5、可选的，所述第二金属层包括所述第一电极和所述第二电极。
6、可选的，所述第一金属层包括所述第一电极，所述第二金属层包括所述第二电极。
7、可选的，所述第一电极在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影不重叠，所述第一电极在所述衬底上的正投影面积大于所述第二电极在所述衬底上的正投影面积。
8、可选的，所述第一电极包括多个连接的第一子电极，所述第二电极包括多个连接的第二子电极，多个所述第一子电极和多个所述第二子电极间隔设置，且呈矩阵排布；所述第一金属层包括所述第一子电极和所述第二子电极，所述第二金属层包括所述第一子电极和所述第二子电极；
9、所述像素区域划分为中心区域和边缘区域，所述边缘区域环绕所述中心区域设置，所述中心区域内仅设置有所述第二金属层内的所述第一子电极和所述第二子电极，所述边缘区域内仅设置有所述第一金属层内的所述第一子电极和所述第二子电极。
10、可选的，在所述微流控基板区域，所述阵列基板母版还包括半导体层，所述半导体层位于所述第二金属层与所述第一绝缘层之间。
11、可选的，所述第一电极包括多个连接的第一子电极，所述第二电极包括多个连接的第二子电极，多个所述第一子电极和多个所述第二子电极间隔设置，且呈矩阵排布；所述第一金属层包括所述第一子电极和所述第二子电极，所述第二金属层包括所述第一子电极和所述第二子电极；
12、所述像素区域划分为中心区域、过渡区域和边缘区域，所述过渡区域环绕所述中心区域设置，所述边缘区域环绕所述中心区域设置；
13、所述中心区域内和所述过渡区域内仅设置有所述第二金属层内的所述第一子电极和所述第二子电极，所述边缘区域内仅设置有所述第一金属层内的所述第一子电极和所述第二子电极；
14、且所述半导体层仅设置于所述中心区域的第一子电极和第一绝缘层之间以及第二子电极和所述第一绝缘层之间。
15、本申请还公开了一种阵列基板母版的制备方法，其特征在于，用于制备上述所述的阵列基板母版，所述阵列基板母版划分为阵列基板区域和微流控基板区域，所述阵列基板区域切割形成阵列基板，所述微流控基板区域切割形成微流控基板；包括步骤：
16、在衬底上制备所述第一金属层；
17、在所述第一金属层上制备第一绝缘层；
18、在所述阵列基板区域的第一绝缘层上制备半导体层；
19、在所述阵列基板区域的半导体层上和在所述微流控基板区域的上制备所述第二金属层；
20、在所述第二金属层上制备所述第二绝缘层；
21、在所述阵列基板区域的所述第二绝缘层上设置所述像素电极层；
22、其中在所述阵列基板区域，所述第二金属层包括源极和漏极，在所述微流控基板区域，所述第一金属层包括第一数据线，所述第二金属层包括第二数据线，所述第一金属层和/或所述第二金属层包括第一电极和/或第二电极。
23、可选的，在所述阵列基板区域的半导体层上和在所述微流控基板区域上制备所述第二金属层的步骤包括：
24、在所述微流控基板区域的第一绝缘层上制备所述半导体层；
25、在所述阵列基板区域的半导体层上和在所述微流控基板区域的半导体层上制备所述第二金属层。
26、本申请还公开了一种微流控芯片，所述微流控芯片包括对置基板和由上述所述的阵列基板母版内所述微流控基板区域切割得到的微流控基板，所述微流控基板与所述对置基板相对设置，所述对置基板和所述微流控基板之间形成通道层，所述通道层用于容纳液滴。
27、相对于现有的生产微流控基板需要独自占用一整个母版进行制备的方案来说，本申请对所述微流控基板的结构进行了重新设计，使得所述微流控基板仅包括第一金属层和第二金属层，从而可以利用阵列基板母版上的空余区域，将所述阵列基板和所述微流控基板设置在一个阵列基板母版上进行生产，从而节约微流控基板的生产成本。
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1.一种阵列基板母版，其特征在于，包括衬底，以及沿着背离所述衬底方向上依次堆叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和第二绝缘层；阵列基板母版划分为阵列基板区域和微流控基板区域，所述阵列基板区域切割形成阵列基板，所述微流控基板区域切割形成微流控基板；
2.根据权利要求1所述的阵列基板母版，其特征在于，所述第二金属层包括所述第一电极和所述第二电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板母版，其特征在于，所述第一金属层包括所述第一电极，所述第二金属层包括所述第二电极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板母版，其特征在于，所述第一电极在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影不重叠，所述第一电极在所述衬底上的正投影面积大于所述第二电极在所述衬底上的正投影面积。
5.根据权利要求1所述的阵列基板母版，其特征在于，所述第一电极包括多个连接的第一子电极，所述第二电极包括多个连接的第二子电极，多个所述第一子电极和多个所述第二子电极间隔设置，且呈矩阵排布；所述第一金属层包括所述第一子电极和所述第二子电极，所述第二金属层包括所述第一子电极和所
6.根据权利要求1所述的阵列基板母版，其特征在于，在所述微流控基板区域，所述阵列基板母版还包括半导体层，所述半导体层位于所述第二金属层与所述第一绝缘层之间。
7.根据权利要求6所述的阵列基板母版，其特征在于，所述第一电极包括多个连接的第一子电极，所述第二电极包括多个连接的第二子电极，多个所述第一子电极和多个所述第二子电极间隔设置，且呈矩阵排布；所述第一金属层包括所述第一子电极和所述第二子电极，所述第二金属层包括所述第一子电极和所述第二子电极；
8.一种阵列基板母版的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-7中任意一项所述的阵列基板母版，所述阵列基板母版划分为阵列基板区域和微流控基板区域，所述阵列基板区域切割形成阵列基板，所述微流控基板区域切割形成微流控基板；包括步骤：
9.根据权利要求8所述的阵列基板母版的制备方法，其特征在于，在所述阵列基板区域的半导体层上和在所述微流控基板区域上制备所述第二金属层的步骤包括：
10.一种微流控芯片，其特征在于，所述微流控芯片包括对置基板和由如权利要求1-7中任意一项所述的阵列基板母版内所述微流控基板区域切割得到的微流控基板，所述微流控基板与所述对置基板相对设置，所述对置基板和所述微流控基板之间形成通道层，所述通道层用于容纳液滴。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板母版，其特征在于，包括衬底，以及沿着背离所述衬底方向上依次堆叠设置的第一金属层、第一绝缘层、第二金属层和第二绝缘层；阵列基板母版划分为阵列基板区域和微流控基板区域，所述阵列基板区域切割形成阵列基板，所述微流控基板区域切割形成微流控基板；
2.根据权利要求1所述的阵列基板母版，其特征在于，所述第二金属层包括所述第一电极和所述第二电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板母版，其特征在于，所述第一金属层包括所述第一电极，所述第二金属层包括所述第二电极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板母版，其特征在于，所述第一电极在所述衬底上的正投影与所述第二电极在所述衬底上的正投影不重叠，所述第一电极在所述衬底上的正投影面积大于所述第二电极在所述衬底上的正投影面积。
5.根据权利要求1所述的阵列基板母版，其特征在于，所述第一电极包括多个连接的第一子电极，所述第二电极包括多个连接的第二子电极，多个所述第一子电极和多个所述第二子电极间隔设置，且呈矩阵排布；所述第一金属层包括所述第一子电极和所述第二子电极，所述第二金属层包括所述第一子电极和所述第二子电极；
6.根据权利要求1所述的阵列基板母版，其特征在于，在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张合静，叶利丹，
申请(专利权)人：重庆惠科金渝光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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