【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法。
技术介绍
1、silicide(金属硅化物)为后续制程的ct和si之间提供一个金-金和金-半的欧姆接触，降低接触电阻。pre-silicide(pai，预非晶化离子注入)可以形成非晶硅层，提高silicide的生长速度。
2、用较重元素(如si，ge)等预非晶化离子注入，会导致非晶硅与晶体硅之间存在粗糙的界面。例如金属层为镍铂合金时ni会快速扩散，导致nisi与si形成粗糙界面以及侵蚀缺陷，增大了晶体管的漏电流。
3、为解决上述问题，需要提出一种新型的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，用于解决现有技术中用较重元素(如si，ge)等预非晶化离子注入，会导致非晶硅与晶体硅之间存在粗糙的界面，导致金属硅化物与硅形成粗糙界面以及侵蚀缺陷，从而增大了晶体管的漏电流的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，包括：
3、步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的栅极多晶硅层，所述栅极多晶硅层的侧壁形成有侧墙；
4、步骤二、在所述衬底上形成覆盖所述栅极多晶硅层的第一保护层，在所述第一保护层上形成光刻胶层，光刻打开需要形成金属硅化物的区域上的光刻胶层使得
5、步骤三、利用ge或si作为离子源对所述需要形成金属硅化物的区域进行离子注入非晶化；
6、步骤四、利用c作为离子源对所述需要形成金属硅化物的区域进行选择性离子注入；
7、步骤五、在所述需要形成金属硅化物的区域形成金属硅化物。
8、优选地，步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
9、优选地，步骤一中的所述侧墙的材料包括二氧化硅或氮化硅中的至少一种。
10、优选地，步骤二中的所述第一保护层的材料为二氧化硅或氮化硅中的至少一种。
11、优选地，步骤三中的所述ge或si的注入能量为2-50kev，注入剂量为1*1013-1*1015/cm2。
12、优选地，步骤四中的所述c的注入能量为1-30kev，注入剂量为1*1013-1*1015/cm2。
13、优选地，步骤四中的所述选择性离子注入为nmos区域。
14、优选地，步骤四中的所述选择性离子注入为nmos区域和pmos区域。
15、优选地，步骤五中所述在所述需要形成金属硅化物的区域形成金属硅化物的方法包括：表面预清洗，淀积金属层，在所述金属层上形成第二保护层，退火，去除所述金属层和所述第二保护层，再退火。
16、优选地，步骤五中的所述金属层的材料为钴、钛、镍或镍铂合金。
17、优选地，步骤五中的所述第二保护层的材料为氮化钛。
18、优选地，步骤五中的所述退火的温度为250℃-500℃，所述再退火的温度为250℃-500℃。
19、如上所述，本专利技术的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，具有以下有益效果：
20、本专利技术的方法能够提高器件的迁移率以及降低漏电流。
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1.一种用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(SOI)衬底。
3.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤一中的所述侧墙的材料包括二氧化硅或氮化硅中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤二中的所述第一保护层的材料为二氧化硅或氮化硅中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤三中的所述Ge或Si的注入能量为2-50Kev，注入剂量为1*1013-1*1015/cm2。
6.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤四中的所述C的注入能量为1-30Kev，注入剂量为1*1013-1*1015/cm2。
7.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于
8.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤四中的所述选择性离子注入为NMOS区域和PMOS区域。
9.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤五中所述在所述需要形成金属硅化物的区域形成金属硅化物的方法包括：表面预清洗，淀积金属层，在所述金属层上形成第二保护层，退火，去除所述金属层和所述第二保护层，再退火。
10.根据权利要求7所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤五中的所述金属层的材料为钴、钛、镍或镍铂合金。
11.根据权利要求7所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤五中的所述第二保护层的材料为氮化钛。
12.根据权利要求7所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤五中的所述退火的温度为250℃-500℃，所述再退火的温度为250℃-500℃。
...【技术特征摘要】
1.一种用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底包括块状半导体衬底或绝缘体上硅(soi)衬底。
3.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤一中的所述侧墙的材料包括二氧化硅或氮化硅中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤二中的所述第一保护层的材料为二氧化硅或氮化硅中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤三中的所述ge或si的注入能量为2-50kev，注入剂量为1*1013-1*1015/cm2。
6.根据权利要求1所述的用于金属硅化物制作的离子注入预非晶化方法，其特征在于：步骤四中的所述c的注入能量为1-30kev，注入剂量为1*1013-1*1015/cm2。
7.根据权利要求1所述的用于金属硅化...
【专利技术属性】
技术研发人员：樊颖涛，郭振强，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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