【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造，具体涉及一种提升电涡流终点检测稳定性的方法。
技术介绍
1、在过去的几十年里，集成电路技术得到了快速发展，由最初的单个晶体管被专利技术出来，到现在的高度集中的集成电路。随着集成电路的集成度提升，对集成电路的制造工艺的要求也越来越高，晶圆的平坦程度要求也越来越高。高度集成的集成电路的制造常使用化学机械研磨(chemical mechanical planarization，简称cmp)工艺使晶圆平坦化，同时除去不需要的材料层。化学机械研磨过程一般可以分成两个阶段，第一阶段进行晶片的粗研磨，粗研磨后留有一定的合理厚度(安全厚度)，方便第二阶段进行晶片的细研磨。
2、在化学机械研磨工艺中，过多或过少的材料去除都会导致器件的电性减退甚至失效，因此终点检测(end point detection，终点检测)技术的准确度决定着半导体器件的良品率。化学机械研磨终点的检测方法主要包括时间控制的方法、驱动电机电流检测的方法、摩擦力检测的方法、扭矩检测的方法、化学成分检测的方法、光终点检测的方法、声音终点检测的方法、...
【技术保护点】
1.一种提升电涡流终点检测稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的提升电涡流终点检测系统稳定性的方法，其特征在于，步骤一中所述固定涡流电压和固定研磨终点厚度是一一对应的关系。
3.根据权利要求1所述的提升电涡流终点检测系统稳定性的方法，其特征在于，步骤四中以所述不同寿命抛光垫的耗材值为横坐标，所述补偿偏置量为纵坐标。
4.根据权利要求1所述的提升电涡流终点检测系统稳定性的方法，其特征在于，步骤四中所述B为纵截距，K为斜率。
5.根据权利要求1所述的提升电涡流终点检测系统稳定性的方法，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种提升电涡流终点检测稳定性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的提升电涡流终点检测系统稳定性的方法，其特征在于，步骤一中所述固定涡流电压和固定研磨终点厚度是一一对应的关系。
3.根据权利要求1所述的提升电涡流终点检测系统稳定性的方法，其特征在于，步骤四中以所述不同寿命抛光垫的耗材值为横坐标，所述补偿偏置量为纵坐标。
4.根据权利要求1所述的提升电涡流终点检测系统稳定性的方法，其特征在于，步骤四中所述b为纵截距，k为斜率。
【专利技术属性】
技术研发人员：秦国清，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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