【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种光刻过程引起的芯片失效的检测方法。
技术介绍
1、当前芯片制造厂的光刻过程中会出现问题引起芯片失效。一些有明显特征的失效可在晶圆测试(cp)的晶圆图(map)即cp map中有体现。但是一些失效较为轻微，这些cp map较难通过肉眼检测到或通过不良率(fail ratio)卡控到。具体有以下两种情形：
2、(1)掩模版缺陷很多源自于引入的外来颗粒。这些外来颗粒附着于掩模版上，造成曝光过程中的图形缺陷，引起cp测试过程中芯片失效。这种缺陷无法通过肉眼或failratio卡控检测到。
3、(2)经常发现一些和曝光单元相关的失效(by shot fail)的cp map。如果失效情况较为轻微，则无法肉眼判断以及无法通过fail ratio无法卡控到。例如，在一个曝光单元内虽然会出现失效区域，但是，曝光单元内的整体晶粒(die)的良率正常，fail ratio较小，故测试是通过的，所以，无法检测出这种by shot fail。
4、所以，本申请着力于如何
【技术保护点】
1.一种光刻过程引起的芯片失效的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的光刻过程引起的芯片失效的检测方法，其特征在于：在所述晶圆上，所述曝光单元二维排列；
3.如权利要求1所述的光刻过程引起的芯片失效的检测方法，其特征在于：步骤三中，所述晶粒的总数量是指所述晶圆上的各所述曝光单元中具有相同的所述编号值的所述晶粒的数量和。
4.如权利要求3所述的光刻过程引起的芯片失效的检测方法，其特征在于：所述晶圆测试数据中，各所述晶粒的测试结果为测试通过或者为测试失败。
5.如权利要求1所述的光刻过程引起的芯片失效的...
【技术特征摘要】
1.一种光刻过程引起的芯片失效的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的光刻过程引起的芯片失效的检测方法，其特征在于：在所述晶圆上，所述曝光单元二维排列；
3.如权利要求1所述的光刻过程引起的芯片失效的检测方法，其特征在于：步骤三中，所述晶粒的总数量是指所述晶圆上的各所述曝光单元中具有相同的所述编号值的所述晶粒的数量和。
4.如权利要求3所述的光刻过程引起的芯片失效的检测方法，其特征在于：所述晶圆测试数据中，各所述晶粒的测试结果为测试通过或者为测试失败。
5.如权利要求1所述的光刻过程引起的芯片失效的检测方法，其特征在于：步骤一中，所述晶圆测试数据包括由晶圆测试的晶圆图。
...
【专利技术属性】
技术研发人员：何云飞，吴苑，苏凤梅，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。