光刻方法技术

本申请提供一种光刻方法，包括：将待光刻的晶圆放置在工作台上；移动有机溶剂喷嘴使其对准晶圆的中心；以第一转速转动工作台，进行晶圆中心的有机溶剂喷涂；以大于第一转速的第二转速转动工作台，将有机溶剂喷嘴从晶圆中心沿晶圆径向往晶圆边缘区域移动，进行晶圆过渡区域的有机溶剂喷涂；以大于第二转速的第三转速转动工作台，将有机溶剂延展至晶圆最外侧；利用光刻胶喷嘴向晶圆喷射光刻胶，进行光刻胶涂覆和铺展操作。本申请通过低‑中‑高逐渐上升的转速梯度并配合有机溶剂喷嘴的径向移动来完成有机溶剂的喷涂，使得有机溶剂平缓不堆积，避免了因光刻胶应力不同而造成有机溶剂飞溅到相邻工作台上的晶圆表面导致簇状溶剂残留缺陷的情况。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，具体涉及一种光刻方法。

技术介绍

1、集成电路制造主要包括光刻、刻蚀、淀积膜层以及cmp(化学机械研磨)等工艺，其中，光刻工艺是其中最重要的版图图形形成工序，版图图形形成主要包括：喷涂光刻材料、曝光和显影等，其中的每一步都很重要，缺一不可。

2、在光刻工艺中，通常可以采用rrc(resist reduction consumption)工艺喷涂光刻材料，其中，rrc工艺是指在涂覆光刻胶之前，用有机溶剂湿润衬底表面，以达到减少光刻胶用量和提高工艺质量的目的。

3、目前，常用的rrc工艺为超级(super)rrc工艺，即，在有机溶剂喷涂后还未铺满整个晶圆表面时，就开始喷涂光刻胶，利用有机溶剂的延展性使得光刻胶和有机溶剂一起从晶圆中心区域向晶圆边缘区域铺展。

4、目前涂胶工艺腔体一般包括6至8个子腔体，但为了机械臂传输效率和节省空间，一般是两两组合的，两个子腔体共用一套喷涂设备(一个机械臂)，每个子腔室各自设置一工作台，两个工作台共用一套喷涂设备，两个工作台在rrc工艺过程中无任何隔档。如果采用超级rrc本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻方法，其特征在于，用于所述光刻方法的喷涂设备包括：有机溶剂喷嘴、有机溶剂贮存设备、光刻胶喷嘴、光刻胶贮存设备和机械臂，所述有机溶剂喷嘴和所述光刻胶喷嘴间隔安装在所述机械手臂上，所述有机溶剂喷嘴与所述有机溶剂贮存设备相连，所述光刻胶喷嘴与所述光刻胶贮存设备相连；其中，

2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述第一转速小于100rpm/min；所述第二转速为100rpm/min～200rpm/min；所述第三转速大于或者等于500rpm/min。

3.根据权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述第三转速为1000rpm/min～2000rpm/...

【技术特征摘要】

1.一种光刻方法，其特征在于，用于所述光刻方法的喷涂设备包括：有机溶剂喷嘴、有机溶剂贮存设备、光刻胶喷嘴、光刻胶贮存设备和机械臂，所述有机溶剂喷嘴和所述光刻胶喷嘴间隔安装在所述机械手臂上，所述有机溶剂喷嘴与所述有机溶剂贮存设备相连，所述光刻胶喷嘴与所述光刻胶贮存设备相连；其中，

2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述第一转速小于100rpm/min；所述第二转速为100rpm/min～200rpm/min；所述第三转速大于或者等于500rpm/min。

3.根据权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述第三转速为1000rpm/min～2000rpm/min。

4.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述晶圆的边缘区域的沿晶圆径向上的长度不超过所述晶圆的半径的1/3。

5.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，以第一转速转动所述工作台，并利用所述有机溶剂喷嘴向所述晶圆喷射有机溶剂的过程中，所述有机溶剂的流量为75ml/min～95m...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘希仕，王绪根，朱联合，姚振海，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：