基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术构思提供了一种基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在该腔室中具有处理空间；支撑单元，其位于处理空间内并且被配置为支撑基板；以及等离子体生成单元，其被配置为从供应到处理空间的加工气体生成等离子体，并且其中，等离子体生成单元包括：底部电极构件以及被设置为与底部电极相对的顶部电极构件，并且其中，顶部电极构件包括：第一极板；以及在第一极板上并且具有图案的电极图案。极板上并且具有图案的电极图案。极板上并且具有图案的电极图案。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置


[0001]本文描述的本专利技术构思的实施例涉及用于使用等离子体处理基板的基板处理装置。

技术介绍

[0002]为了制造半导体元件，通过执行诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺、薄膜沉积工艺和清洗工艺的各种工艺，在基板上形成期望图案。其中，蚀刻工艺是从基板上形成的膜中去除选定区域的工艺，并且使用湿法蚀刻和干法蚀刻。
[0003]它们之中，使用等离子体的蚀刻设备用于干法蚀刻。通常，为了形成等离子体，在腔室的内部空间中形成电磁场，并且电磁场从腔室中提供的加工气体生成等离子体。
[0004]等离子体是指由离子、电子或自由基制成的电离气体状态。在半导体元件制造工艺中，使用等离子体执行蚀刻工艺。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的实施例提供了一种基板处理装置，其可以在一个腔室中执行等离子体处理和快速加热，并且可以改善基板上的蚀刻或膜形成的均匀性。
[0006]本专利技术构思的技术目的不限于上述目的，并且其他未提及的技术目的对于本领域技术人员来说将从以下描述中变得显而易见。
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其包括：腔室，在所述腔室中具有处理空间；支撑单元，其位于所述处理空间内并且被配置为支撑基板；以及等离子体生成单元，其被配置为从供应到所述处理空间的加工气体生成等离子体，并且其中，所述等离子体生成单元包括：底部电极构件；顶部电极构件，其被设置为与所述底部电极相对，以及高频电源，其用于将高频电力施加到所述顶部电极构件，并且其中，所述顶部电极构件包括：第一极板；以及电极图案，其在所述第一极板上并且包括电绝缘的第一电极图案和第二电极图案。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述高频电源被配置为以预定时间间隔将相同频率的高频电力供应到所述第一电极图案和所述第二电极图案。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述高频电源包括第一高频电源和第二高频电源，所述第一高频电源和所述第二高频电源被配置为将不同频率的高频电力供应到所述第一电极图案和所述第二电极图案。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述电极图案由透明电极制成和/或包括透明电极。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述透明电极由ITO、MnSnO、CNT、ZnO、IZO、ATO、SnO2、IrO2、RuO2、石墨烯、碳纳米管(CNT)、AZO、FTO、GZO、In2O3、MgO、导电聚合物、金属纳米线、它们的混合物或它们的多个层形成。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一电极图案和所述第二电极图案分别包括条形连接部分和多组成对半圆形部分，相邻的成对半圆形部分彼此间隔开，给定的成对半圆形部分中的两个半圆形部分从所述连接部分的相对侧壁朝向彼此延伸以限定所述两个半圆形部分之间的间隙，所述第一电极图案的连接部分和所述第二电极图案的连接部分沿直线设置，使得所述第一电极图案的半圆形部分和所述第二电极图案的半圆形部分交替布置。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一电极图案和所述第二电极图案包括并排布置的多个线电极段。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一电极图案和所述第二电极图案包括多个环形同心电极，每个环形电极段具有彼此间隔开的弧形部分，并且所述多个环形同心电极的相应弧形部分通过相应连接部分彼此连接。9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一极板由透明材料制成和/或包括透明材料。10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一极板由电介质物质制成和/或包括电介质物质。11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第一极板由石英材料制成和/或包括石英材料。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，在所述第一极板的面...

【专利技术属性】
技术研发人员：全珉星，金润相，崔圣慜，张东荣，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：