本发明专利技术提供半导体装置及半导体装置的制造方法，能够提高密封部件与冷却板的紧贴性。冷却板(70)具备结合部(80)，该结合部(80)包括形成于冷却板(70)正面的凹状的凹陷部(81)和形成于凹陷部(81)的内部且相对于冷却板(70)的正面以锐角倾斜的卡合面(82b)。若这样的结合部(80)也被密封部件密封，则突起部(82)的卡合面(82b)对于密封部件具有锚固效果。因此，抑制密封部件从冷却板(70)剥离。制密封部件从冷却板(70)剥离。制密封部件从冷却板(70)剥离。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置及半导体装置的制造方法
[0001]本专利技术涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。
技术介绍
[0002]半导体装置包含功率器件，并且被用作电力转换装置。功率器件例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。另外，半导体装置将配置在由金属构成的冷却板上的绝缘电路基板和包含功率器件的半导体芯片收纳在壳体中，并利用密封部件将壳体内密封。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2013
‑
115297号公报
技术实现思路
[0006]技术问题
[0007]但是，在半导体装置中，密封部件与冷却板通过彼此的紧贴性而紧贴。这样的紧贴性经年劣化，难以随着时间的经过而维持。若紧贴力降低，则有时导致密封部件剥离，水分从剥离部位浸入。由此，无法维持半导体芯片及绝缘电路基板等的绝缘性。另外，若紧贴力降低，则半导体芯片及绝缘电路基板也有可能从壳体脱离。因此，半导体装置的可靠性降低。
[0008]本专利技术是鉴于这样的问题而做出的，其目的在于提供一种提高了密封部件与冷却板的紧贴性的半导体装置及半导体装置的制造方法。
[0009]技术方案
[0010]根据本专利技术的一个观点，提供一种半导体装置，其具备：半导体单元，其包括半导体芯片；冷却板，其在冷却正面供所述半导体单元配置；壳体，其经由粘接剂沿所述冷却正面的外缘部设置于所述外缘部且包围所述半导体单元；以及密封部件，其将所述壳体内的所述冷却板上的所述半导体单元密封，所述冷却板具备结合部，所述结合部包括形成于所述冷却正面的凹状的凹陷部以及形成于所述凹陷部的内部且相对于所述冷却正面以锐角倾斜的卡合面。
[0011]另外，根据本专利技术的一个观点，提供一种半导体装置的制造方法，其包括：准备工序，准备包括半导体芯片的半导体单元和冷却板；配置工序，在所述冷却板的冷却正面配置所述半导体单元，在所述冷却正面的外缘部经由粘接剂沿所述外缘部配置包围所述半导体单元的壳体；以及密封工序，利用密封部件将所述壳体内的所述冷却板上的所述半导体单元密封，在所述配置工序之前还包括：形成工序，在所述冷却板的所述冷却正面形成凹状的凹陷部、和突起部，所述突起部在所述凹陷部的内部从凹陷底面向所述半导体单元相对于所述冷却板的层叠方向突出，并且包括与所述层叠方向平行的卡合面以及与所述卡合面相
反的一侧的内表面；以及倾斜工序，以使所述卡合面相对于所述冷却正面以锐角倾斜的方式使所述突起部倾斜。
[0012]技术效果
[0013]根据公开的技术，能够提高密封部件与冷却板的紧贴性，从而能够抑制半导体装置的可靠性的降低。
附图说明
[0014]图1是第一实施方式中的半导体装置的俯视图。
[0015]图2是第一实施方式中的半导体装置的侧剖视图。
[0016]图3是第一实施方式中的半导体装置所包括的半导体单元的俯视图。
[0017]图4是在第一实施方式中的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的立体图。
[0018]图5是在第一实施方式中的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的侧剖视图。
[0019]图6是示出第一实施方式中的半导体装置的制造方法的流程图。
[0020]图7是第一实施方式中的半导体装置的制造方法所包括的搭载工序的图。
[0021]图8是第一实施方式中的半导体装置的制造方法所包括的安装工序的图。
[0022]图9是示出第一实施方式中的冷却板的结合部的制造方法的流程图。
[0023]图10是第一实施方式中的冷却板的结合部的制造方法所包括的凹陷形成工序的俯视图。
[0024]图11是第一实施方式中的冷却板的结合部的制造方法所包括的凹陷形成工序的侧剖视图。
[0025]图12是第一实施方式中的冷却板的结合部的制造方法所包括的倾斜施加工序的图(其一)。
[0026]图13是第一实施方式中的冷却板的结合部的制造方法所包括的倾斜施加工序的图(其2)。
[0027]图14是在第一实施方式的变形例1
‑
1中的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的侧剖视图。
[0028]图15是第二实施方式中的半导体装置的俯视图。
[0029]图16是在第二实施方式中的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的俯视图。
[0030]图17是在第二实施方式中的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的侧剖视图。
[0031]图18是在第二实施方式的变形例2
‑
1中的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的俯视图。
[0032]图19是在第三实施方式中的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的侧剖视图。
[0033]图20是在第三实施方式中的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的俯视图。
[0034]图21是在第四实施方式中的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的侧剖视图。
[0035]图22是在第四实施方式中的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的俯视图。
[0036]图23是在第五实施方式的半导体装置所包括的冷却板形成的结合部的剖视图。
[0037]符号说明
[0038]10 半导体装置
[0039]20 绝缘电路基板
[0040]21 绝缘板
[0041]22a、22b、22c 电路图案
[0042]23 金属板
[0043]24a、24b、24c 导电块部
[0044]30 半导体芯片
[0045]31 输出电极
[0046]32 控制电极
[0047]40、41 布线部件
[0048]50 半导体单元
[0049]51 引线
[0050]52 接合部件
[0051]60 壳体
[0052]61 框部
[0053]61a、61b、61c、61d 外侧面
[0054]61e、61f、61g、61h 内壁面
[0055]61i 收纳区域
[0056]62a、62b 端子台
[0057]63、64、65 外部连接端子
[0058]66a、66b 控制端子
[0059]67 粘接剂
[0060]68 密封部件
[0061]70 冷却板
[0062]80、80a、80b、80c、80d 结合部
[0063]81 凹陷部
[0064]81a 凹陷底面
[0065]81b 内壁部
[0066]82 突起部
[0067]82a 内表面
[0068]82b 卡合面
[0069]83 中本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体单元，其包括半导体芯片；冷却板，其在冷却正面配置有所述半导体单元；壳体，其经由粘接剂沿所述冷却正面的外缘部设置于所述外缘部，并且包围所述半导体单元；以及密封部件，其将所述壳体内的所述冷却板上的所述半导体单元密封，所述冷却板具备结合部，所述结合部包括形成于所述冷却正面的凹状的凹陷部、以及形成于所述凹陷部的内部且相对于所述冷却正面以锐角倾斜的卡合面。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述结合部还包括突起部，所述突起部从所述凹陷部的凹陷底面向所述半导体单元相对于所述冷却板的层叠方向突出，并且具备所述卡合面，所述凹陷底面位于比所述冷却正面更低的位置。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述突起部越过所述冷却正面而从所述凹陷底面突出。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述突起部呈在与所述卡合面相反的一侧包括内表面的块状，所述内表面与所述卡合面一起倾斜。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，从所述凹陷底面突出有多个所述突起部。6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，在俯视时，所述突起部以所述卡合面朝向外侧的方式隔开间隙而等间隔地形成为环状。7.如权利要求2至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述凹陷部在俯视时呈包括直线部分的槽状，所述卡合面沿所述凹陷部的直线方向形成于所述凹陷部。8.如权利要求7所述的半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：榎本一雄，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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