半导体装置制造方法及图纸

提供即使对于SiC半导体元件通电的情况下、密封材料也不易劣化、可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，其为利用含有紫外线吸收剂的密封材料(20)将被安装于层叠基板(12)上的SiC半导体元件(11)和导电性连接构件(14)、(18)密封而成的。(18)密封而成的。(18)密封而成的。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]相关申请的相互参照
[0002]本专利技术主张享受2021年7月16日申请的日本专利申请第2021
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118288的优先权的利益。


[0003]本专利技术涉及半导体装置。本专利技术特别是涉及即使使用SiC半导体元件的情况下、也不易产生密封SiC半导体元件的树脂的劣化、可靠性高的半导体装置。

技术介绍

[0004]功率半导体组件被广泛适用于要求有效的电力变换的领域。例如在产业机器、电动汽车、家电产品等电力电子领域适用范围扩大。在这些功率半导体组件内置开关元件和二极管，元件使用Si(硅)半导体元件、SiC(碳化硅)半导体元件。
[0005]其中，SiC半导体元件由于介质击穿电场强度比Si半导体元件高约10倍，因此可以通过与Si半导体元件相比高的杂质浓度并且薄的膜厚的漂移(drift)层制作600V～几千V的高耐压功率器件。因此，SiC半导体元件作为单位面积的导通电阻非常低的高耐压设备，实用化进展。
[0006]以往，作为半导体元件的密封材料，已知含有各种功能性材料的树脂，为了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其为利用含有紫外线吸收剂的密封材料将被安装于层叠基板上的SiC半导体元件和导电性连接构件密封而成的。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述密封材料包含热固性树脂密封层，该热固性树脂密封层含有热固性树脂主剂、固化剂、无机填料和紫外线吸收剂。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述热固性树脂密封层包含含有热固性树脂主剂、固化剂、无机填料和紫外线吸收剂的层。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述热固性树脂密封层包含覆盖SiC半导体元件的周围的第1密封层、和覆盖该第1密封层的第2密封层，该第1密封层含有热固性树脂主剂、固化剂、无机填料和紫外线吸收剂。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述密封材料包含覆盖所述SiC半导体元件和导电性连接构件的底漆层、和覆盖该底漆层的热固性树脂密封层，该底漆层含有紫外线吸收剂。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：仲俣祐子，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：