发光二极管组件及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管组件及其制作方法，发光二极管组件包括在基板正面上相邻设置的具有高度差的第一发光二极管和第二发光二极管，该高度差使得第二发光二极管的第二有源层在基板正面上的高度，高于第一发光二极管的第二半导体层在基板正面上的高度，从而避免或尽可能减少第二发光二极管的第二有源层产生的光被与之相邻的第一发光二极管的半导体层吸收，提升发光二极管组件整体的出光效率，且不用刻意增大相邻的第一发光二极管和第二发光二极管之间的间距来提升出光效率。发光二极管之间的间距来提升出光效率。发光二极管之间的间距来提升出光效率。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管组件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及发光芯片领域，尤其涉及一种发光二极管组件及其制作方法。

技术介绍

[0002]目前的发光二极管(Light
‑
emitting diode，LED)，其典型的外延层结构一般由依次叠加的N型半导体层、有源层、P型半导体层组成。而在相关技术中，为了提升出光量，将多颗发光二极管在同一基板上组合成阵列。但是由于组合成阵列后，各发光二极管的半导体层不仅会吸收发光二极管自身的有源层产生的光线，还会吸收相邻的其他发光二极管所产生的光线，特别是随着发光二极管尺寸的小型化，组成阵列的发光二极管之间的间距也越来越小，则发光二极管阵列中各发光二极管的半导体层吸收相邻发光二极管所产生的光线的情况会更严重，导致整体出光效率差。
[0003]因此，如何提升发光二极管阵列的出光效率是目前亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种发光二极管组件及其制作方法，旨在解决相关技术中，如何提升发光二极管阵列的出光效率的问题。
[0005]本专利技术提供一种发光二极管组件，包括基板，设于所述基板正面之上的第一发光二极管，设于所述基板正面之上并与所述第一发光二极管相邻的第二发光二极管；
[0006]所述第一发光二极管包括自远离所述基板正面的方向依次叠加的第一半导体层、第一有源层和第二半导体层，所述第二发光二极管包括自远离所述基板正面的方向依次叠加的第三半导体层、第二有源层和第四半导体层；
[0007]所述第二半导体层远离所述基板正面的一面到所述基板正面之间的第一距离，小于等于所述第三半导体层远离所述基板正面的一面到所述基板正面之间的第二距离。
[0008]上述发光二极管组件中，其包括在基板正面上相邻设置的第一发光二极管和第二发光二极管，第一发光二极管的第一半导体层和第二发光二极管的第三半导体层靠近基板正面，第一发光二极管的第二半导体层和第二发光二极管的第四半导体层远离基板正面，且第一发光二极管的第二半导体层远离基板正面的一面到基板正面之间的第一距离，小于等于第二发光二极管的第三半导体层远离基板正面的一面到基板正面之间的第二距离，从而使得第二发光二极管的第二有源层在基板正面上的高度，高于第一发光二极管的第二半导体层在基板正面上的高度，发光二极管光线强度最强的位置在有源层的中心处，因此可利用该高度差避免或尽可能减少第二发光二极管的第二有源层产生的光被与之相邻的第一发光二极管的半导体层吸收，从而提升发光二极管组件整体的出光效率，尤其是第二发光二极管所产生的光(例如紫外光)的光能量高容易被半导体材料吸收被转换成热能时，可更好的提升出光效率；且不用刻意增大相邻的第一发光二极管和第二发光二极管之间的间距来提升出光效率。
[0009]基于同样的专利技术构思，本专利技术还提供一种所述的发光二极管组件的制作方法，包
括：
[0010]在所述基板正面上制作所述第一发光二极管，并单独制作所述第二发光二极管；
[0011]将制作好的所述第二发光二极管转移至所述基板正面上并与所述第一发光二极管相邻设置。
[0012]上述发光二极管组件的制作方法所制得的发光二极管组件，其包括的在基板正面上相邻设置的第一发光二极管和第二发光二极管具有高度差，该高度差使得第二发光二极管的第二有源层在基板正面上的高度，高于第一发光二极管的第二半导体层在基板正面上的高度，从而避免或尽可能减少第二发光二极管的第二有源层产生的光被与之相邻的第一发光二极管的半导体层吸收，提升发光二极管组件整体的出光效率，且不用刻意增大相邻的第一发光二极管和第二发光二极管之间的间距来提升出光效率。
附图说明
[0013]图1为相关技术中的发光二极管阵列结构示意图；
[0014]图2为本专利技术实施例提供的第一发光二极管和第二发光二极管分布示意图一；
[0015]图3为本专利技术实施例提供的第一发光二极管和第二发光二极管分布示意图二；
[0016]图4为本专利技术实施例提供的第一发光二极管和第二发光二极管分布示意图三；
[0017]图5为本专利技术实施例提供的第一发光二极管和第二发光二极管分布示意图四；
[0018]图6为本专利技术实施例提供的第一发光二极管和第二发光二极管分布示意图五；
[0019]图7为本专利技术实施例提供的第一发光二极管和第二发光二极管分布示意图六；
[0020]图8为本专利技术另一可选实施例提供的发光二极管组件示意图一；
[0021]图9为本专利技术另一可选实施例提供的发光二极管组件示意图二；
[0022]图10为本专利技术另一可选实施例提供的发光二极管组件示意图三；
[0023]图11为本专利技术另一可选实施例提供的发光二极管组件示意图四；
[0024]图12为本专利技术另一可选实施例提供的发光二极管组件示意图五；
[0025]图13为本专利技术另一可选实施例提供的发光二极管组件示意图六；
[0026]图14为本专利技术另一可选实施例提供的发光二极管组件示意图七；
[0027]图15为本专利技术另一可选实施例提供的发光二极管组件示意图八；
[0028]图16为本专利技术另一可选实施例提供的发光二极管组件示意图九；
[0029]图17为本专利技术另一可选实施例提供的光束反射示意图；
[0030]图18为本专利技术另一可选实施例提供的发光二极管组件示意图十；
[0031]图19为本专利技术又一可选实施例提供的发光二极管组件制作方法流程示意图；
[0032]图20为本专利技术又一可选实施例提供的第二发光二极管制作过程示意图；
[0033]图21为本专利技术又一可选实施例提供的发光二极管组件制作过程示意图；
[0034]附图标记说明：
[0035]10
‑
紫外发光二极管，101
‑
N型半导体层，102
‑
有源层，103
‑
P型半导体层，1
‑
基板，2
‑
第一发光二极管，21
‑
第一半导体层，22
‑
第一有源层，23
‑
第二半导体层，3
‑
第二发光二极管，31
‑
第三半导体层，32
‑
第二有源层，33
‑
第四半导体层，34
‑
反射层，341
‑
粘接层，342
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第二反射层，4
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功能层，41
‑
缓冲层，42
‑
N型电极层，5
‑
生长基板，6
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临时基板，7
‑
牺牲层。
具体实施方式
[0036]为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施方式。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管组件，其特征在于，包括基板，在所述基板正面之上相邻设置的第一发光二极管和第二发光二极管；所述第一发光二极管包括自远离所述基板正面的方向依次叠加的第一半导体层、第一有源层和第二半导体层，所述第二发光二极管包括自远离所述基板正面的方向依次叠加的第三半导体层、第二有源层和第四半导体层；所述第二半导体层远离所述基板正面的一面到所述基板正面之间的第一距离，小于等于所述第三半导体层远离所述基板正面的一面到所述基板正面之间的第二距离。2.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，所述第二半导体层远离所述基板正面的一面，到所述第一半导体层靠近所述基板正面的一面的第三距离，小于等于所述第三半导体层远离所述基板正面的一面，到所述第三半导体层靠近所述基板正面的一面的第四距离。3.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，所述第一半导体层和所述第三半导体层为N型半导体层，所述发光二极管组件还包括设于所述基板正面与所述第一半导体层和所述第三半导体层之间的N电极层，所述N电极层与所述第一半导体层和所述第三半导体层电连接。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的发光二极管组件，其特征在于，所述第四半导体层靠近所述第一发光二极管的侧面上还设有反射层。5.如权利要求4所述的发光二极管组件，其特征在于，所述反射层包括贴附于所述侧面上的第一反射层；或，所述反射层包括粘接层和第二反射层，所述粘接层贴附于...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡明达，张杨，陈靖中，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：