去除氮化镓残留的方法和巨量转移方法技术

本申请涉及一种去除氮化镓残留的方法和巨量转移方法，去除氮化镓残留的方法包括：提供一电路背板；电路背板上键合有若干发光芯片；在电路背板上形成一保护层；保护层相对电路背板的高度低于发光芯片远离电路背板的表面的高度；透过一酸性溶液对各发光芯片进行清洗，以去除各发光芯片表面的氮化镓残留。通过形成保护层，能够暴露发光芯片上的氮化镓残留，使得氮化镓残留能够与酸性溶液接触并发生腐蚀反应而被去除，提升发光芯片发光效果，优化视校，同时保护层能阻挡酸性溶液与电路背板接触，使得电路背板被保护层保护，避免电路背板被腐蚀而损伤，能提升良率和产品可靠性。能提升良率和产品可靠性。能提升良率和产品可靠性。

【技术实现步骤摘要】
去除氮化镓残留的方法和巨量转移方法


[0001]本申请涉及半导体制程
，尤其涉及一种去除氮化镓残留的方法和巨量转移方法。

技术介绍

[0002]蓝宝石基板上通过沉积氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)外延结构来生长微发光二极管(Micro LED)芯片，由于蓝宝石本身偏厚且材质导热慢，后续需要用激光剥离GaN层，然后通过巨量转移工艺与电路背板进行键合(Bonding，也可称绑定)才能实现Micro LED的产品端应用。
[0003]激光可以使表层的GaN进行分解，但是芯片表面仍有残留的GaN，目前Micro LED产品普遍使用底发光结构，残留的GaN会严重的影响Micro LED发光效果，导致视校降低。
[0004]但是现有的酸洗方法有损伤电路背板上的焊盘(UBM)及驱动电路的风险，导致良率降低、产品可靠性下降。
[0005]因此，如何能去除氮化镓残留，且不损伤电路背板上的焊盘和驱动电路是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0006]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种去除氮化镓残留的方法和巨量转移方法，旨在解决能去除氮化镓残留，且不损伤电路背板上的焊盘和驱动电路的问题。
[0007]一种去除氮化镓残留的方法，包括：
[0008]提供一电路背板；其中，所述电路背板上键合有若干发光芯片；在电路背板上形成一保护层；其中，所述保护层相对所述电路背板的高度低于所述发光芯片远离所述电路背板的表面的高度；以及透过一酸性溶液对各所述发光芯片进行清洗，以去除各所述发光芯片表面的氮化镓残留。
[0009]通过在电路背板上形成保护层，同时设置保护层的高度低于发光芯片的高度，能够暴露发光芯片上的氮化镓残留，使得氮化镓残留能够与酸性溶液接触并发生腐蚀反应而被去除，提升发光芯片发光效果，优化视校，同时保护层能阻挡酸性溶液与电路背板接触，使得电路背板被保护层保护，避免电路背板被腐蚀而损伤，能提升良率和产品可靠性。
[0010]可选的，所述发光芯片的电极与所述电路背板的焊盘键合；所述保护层相对所述电路背板的高度不低于所述焊盘和所述电极的总高度。设置如此的保护层，一方面能够暴露出发光芯片表面的氮化镓残留，另一方面，保护层能够覆盖电路背板。
[0011]可选的，所述发光芯片的电极与所述电路背板的焊盘键合；所述保护层相对所述电路背板的高度介于所述焊盘高度与所述电极高度加所述焊盘高度的总高度之间。设置如此的保护层，一方面能够暴露出发光芯片表面的氮化镓残留，另一方面，保护层能够覆盖电路背板，以及包裹第一焊盘、第二焊盘，并可包裹部分第一电极和第二电极，能避免第一焊
盘、第二焊盘、部分第一电极和第二电极与酸性溶液接触而发生反应，能够保护电路背板的驱动电路，以及第一焊盘、第二焊盘、部分第一电极和第二电极，进一步提升良率和产品的可靠性。
[0012]可选的，采用喷墨打印工艺形成所述保护层。采用喷墨打印工艺形成保护层可以在各种尺寸上形成所需的结构，由于Micro LED和Mini LED的尺寸等级都在微米级，喷墨打印工艺可以满足微观尺寸的加工需要，且喷墨打印工艺相对成熟，工艺难度低，容易实现。
[0013]可选的，所述形成所述保护层的步骤包括：提供一喷墨打印装置，所述喷墨打印装置包括多个喷头；将各所述喷头插入各相邻的两个所述发光芯片之间，并透过各所述喷头向所述电路背板喷涂预定厚度的所述保护层；对所述保护层进行烘烤固化。设置多个喷头伸入多个发光芯片之间的间隔中，可以使得保护层形成的更为均匀，使得电路背板被均匀覆盖，各发光芯片均被均匀的包裹，避免覆盖或包裹不均造成局部保护效果的失效。同时，多个喷头喷射墨水打印形成保护层，可以提高形成保护层的效率。
[0014]可选的，喷涂的所述保护层的预定厚度介于4μm
‑
6μm之间。使得保护层可覆盖电路背板，并包覆各个焊盘和发光芯片的电极，保护效果佳。
[0015]可选的，所述酸性溶液为浓度介于20％
‑
30％的盐酸。盐酸为常用化工原料，容易取得，成本低，同时，市场中有浓度已经配好的盐酸，例如浓度为25％可直接购买，无需再自行配制，节约工艺。
[0016]可选的，还包括：待所述发光芯片清洗完毕，去除所述保护层。去除保护层可以使得电路背板和发光芯片完全暴露，避免保护层对发光效果的影响，同时，当其中有发光芯片损坏时，由于无保护层的阻碍，也能更方便的进行维修。
[0017]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种巨量转移方法，包括：提供一基板，所述基板上形成有若干发光芯片；将所述基板具有所述发光芯片的一面与电路背板键合；透过一激光剥离所述基板，并透过前述实施方式中任一项所述的去除氮化镓残留的方法对所述发光芯片进行处理。
[0018]通过采用本申请的去除氮化镓残留的方法，通过在电路背板上形成保护层，同时设置保护层的高度低于发光芯片的高度，能够暴露发光芯片上的氮化镓残留，使得氮化镓残留能够与酸性溶液接触并发生腐蚀反应而被去除，提升发光芯片发光效果，优化视校，同时保护层能阻挡酸性溶液与电路背板接触，使得电路背板被保护层保护，避免电路背板被腐蚀而损伤，能提升良率和产品可靠性。
[0019]可选的，所述基板包括生长基板、暂态基板或临时基板中的任意一种。
附图说明
[0020]图1为一种实施例的巨量转移方法的一个步骤的结构示意图。
[0021]图2为一种实施例的巨量转移方法的一个步骤的结构示意图。
[0022]图3为一种实施例的巨量转移方法的一个步骤的结构示意图。
[0023]图4为一种实施例的巨量转移方法的一个步骤的结构示意图。
[0024]图5为一种实施例的去除氮化镓残留的方法的流程图。
[0025]图6为一种实施例的去除氮化镓残留的方法的一个步骤的结构示意图。
[0026]图7为一种实施例的去除氮化镓残留的方法的一个步骤的结构示意图。
[0027]图8为一种实施例的去除氮化镓残留的方法的一个步骤的结构示意图。
[0028]图9为一种实施例的去除氮化镓残留的方法的一个步骤的结构示意图。
[0029]图10为一种实施例的去除氮化镓残留的方法的一个步骤的结构示意图。
[0030]附图标记说明：
[0031]10
‑
生长基板，11
‑
氮化镓层，12
‑
氮化镓残留；
[0032]20
‑
发光芯片，21
‑
外延结构，22
‑
第一电极，23
‑
第二电极；
[0033]30
‑
电路背板；
[0034]40
‑
喷墨打印装置，41
‑
主体部，42
‑
喷头；
[0035]50
‑
保护层。
具体实施方式
[0036]为了便于理解本申请，下面将参本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种去除氮化镓残留的方法，其特征在于，包括：提供一电路背板；其中，所述电路背板上键合有若干发光芯片；在电路背板上形成一保护层；其中，所述保护层相对所述电路背板的高度低于所述发光芯片远离所述电路背板的表面的高度；以及透过一酸性溶液对各所述发光芯片进行清洗，以去除各所述发光芯片表面的氮化镓残留。2.如权利要求1所述的去除氮化镓残留的方法，其特征在于，所述发光芯片的电极与所述电路背板的焊盘键合；所述保护层相对所述电路背板的高度不低于所述焊盘和所述电极的总高度。3.如权利要求1所述的去除氮化镓残留的方法，其特征在于，所述发光芯片的电极与所述电路背板的焊盘键合；所述保护层相对所述电路背板的高度介于所述焊盘高度与所述电极高度加所述焊盘高度的总高度之间。4.如权利要求1所述的去除氮化镓残留的方法，其特征在于，采用喷墨打印工艺形成所述保护层。5.如权利要求4所述的去除氮化镓残留的方法，其特征在于，所述形成所述保护层的步骤包括：提供一喷墨打印装置，所述喷墨打印装...

【专利技术属性】
技术研发人员：范春林，萧俊龙，蔡明达，汪楷伦，王斌，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：