一种掩模版传输的非对称吸附及吸附补偿装置制造方法及图纸

一种掩模版传输的非对称吸附及吸附补偿装置，包括连接底板、非对称式吸附装置以及吸附补偿装置，非对称式吸附装置相对设置在连接底板的上下两侧，吸附补偿装置相对设置在连接底板左右两侧的中间位置，非对称式吸附装置上设有第一吸附孔，吸附补偿装置上设有第二吸附孔，设于连接底板上下两侧的非对称式吸附装置上的第一吸附孔之间沿连接底板的中心线呈不对称分布，非对称式吸附装置内设置有与第一吸附孔连通的第一真空通道，吸附补偿装置设有与第二吸附孔连通的第二真空通道，本发明专利技术结构上改变掩模版传输过程中的吸附方式，掩模版在被吸附的过程中受力点不对称，减小了掩模版在传输过程中产生的变形，减少了掩模版的损伤，提高传输精度。高传输精度。高传输精度。

【技术实现步骤摘要】
一种掩模版传输的非对称吸附及吸附补偿装置


[0001]本专利技术涉及半导体加工领域，特别是一种掩模版传输的非对称吸附及吸附补偿装置。

技术介绍

[0002]光刻设备是一种将掩模版上的图案曝光成像到硅片或玻璃基板上的设备，掩模传输主要负责将掩模版传输至掩模台上进行曝光。
[0003]掩模版也叫MASK，IC行业称Reticle，中文称呼还有光罩，铬板。掩模版主要作为图形信息的载体通过曝光过程，将图形转移到被曝光产品(硅片，导电玻璃，铜箔等)上，从而实现图形的转移。掩模版主要由基板和不透光的遮光膜组成。基板通常是高纯度低反射率、低热膨胀系数的石英玻璃或者透明树脂。而遮光膜主要分为硬质遮光膜和乳胶，其中硬质遮光膜的材料主要为铬，乳胶硬度小且易吸附灰尘。掩模版的应用十分广泛，在涉及光刻工艺的领域都需要使用掩模版。
[0004]由于掩模版的基板制作材料和乳胶遮光膜的硬度都比较小，在掩模版传输过程中，掩模版传输机械手产生的吸附负压力会使掩模版产生一定范围的变形，造成掩模版平整度不够甚至造成掩模版的损坏，从而对后续掩模版传输精度以及曝光产生一定影响，最终影响光刻精度。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种掩模版传输的非对称吸附及吸附补偿装置，以解决上述技术背景中所提出的问题。
[0006]本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0007]一种掩模版传输的非对称吸附及吸附补偿装置，包括连接底板、非对称式吸附装置以及吸附补偿装置，所述非对称式吸附装置相对设置在连接底板的上下两侧，所述吸附补偿装置相对设置在连接底板左右两侧的中间位置，非对称式吸附装置上设有第一吸附孔，吸附补偿装置上设有第二吸附孔，设于连接底板上下两侧的非对称式吸附装置上的第一吸附孔之间沿连接底板的中心线呈不对称分布，非对称式吸附装置内设置有与第一吸附孔连通的第一真空通道，吸附补偿装置设有与第二吸附孔连通的第二真空通道。
[0008]上述
技术实现思路
中，进一步的，还包括掩模版传输机械手，所述掩模版传输机械手上设有上气阀体和气体汇集块，所述上气阀体用于产生负压，所述气体汇集块通过管道分别与上气阀体、第一真空通道以及第二真空通道连通。
[0009]上述
技术实现思路
中，进一步的，所述非对称式吸附装置包括四个非对称式吸附装置，所述四个非对称式吸附装置以两两相对的方式设置在连接底板的上下两侧，吸附补偿装置包括两个吸附补偿装置，所述两个吸附补偿装置以相对的方式设置在连接底板左右两侧的中间位置，且两个吸附补偿装置上的第二吸附孔沿连接底板的中心线对称设置。
[0010]上述
技术实现思路
中，进一步的，所述四个非对称式吸附装置中位于连接底板上侧的
两个非对称式吸附装置上的第一吸附孔分别设置在两个非对称式吸附装置的最左侧和最右侧，四个非对称式吸附装置中位于连接底板下侧的两个非对称式吸附装置上的第一吸附孔分别设置在两个非对称式吸附装置的中间位置和最右侧。
[0011]上述
技术实现思路
中，进一步的，所述第一吸附孔和第二吸附孔的上表面均设有垫片。
[0012]上述
技术实现思路
中，进一步的，所述垫片为PEEK材料制成。
[0013]上述
技术实现思路
中，进一步的，所述连接底板上设有用于将连接底板固定在掩模版传输机械手上的螺栓孔。
[0014]本专利技术的有益效果是：
[0015]本专利技术结构上改变掩模版传输过程中的吸附方式，掩模版在被吸附的过程中受力点不对称，减小了掩模版在传输过程中产生的变形，减少了掩模版的损伤，提高传输精度。
附图说明
[0016]图1为本专利技术的结构示意图；
[0017]图2为本专利技术非对称吸附装置局部放大图；
[0018]图3为本专利技术吸附补偿装置局部放大图；
[0019]图4为本专利技术掩模传输机械手的结构示意图；
[0020]图5为本实施例中掩模版传输机械手吸附掩模版时的结构示意图；
[0021]图6为本专利技术图5的仰视图；
[0022]图7为本专利技术实验例中未采用吸附补偿的对称吸附掩模版变形云图；
[0023]图8为本专利技术实验例中未采用吸附补偿的非对称吸附掩模版变形云图；
[0024]图9为本专利技术实验例中采用吸附补偿的对称吸附掩模版变形云图；
[0025]图10为本专利技术实验例中采用吸附补偿的非对称吸附掩模版变形云图。
[0026]图中，1
‑
掩模版传输机械手，2
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掩模版，3
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非对称式吸附装置，4
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吸附补偿装置，5
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垫片，6
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连接底板，7
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螺栓孔，8
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上气阀体，9
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气体汇集块，10
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第一吸附孔，11
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第二吸附孔。
具体实施方式
[0027]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0028]需要说明的是，以下实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0029]实施例1：
[0030]一种掩模版传输的非对称吸附及吸附补偿装置，请参阅附图1
‑
附图4所示，包括连接底板6、非对称式吸附装置3以及吸附补偿装置4，所述非对称式吸附装置3相对设置在连接底板6的上下两侧，所述吸附补偿装置4相对设置在连接底板6左右两侧的中间位置，非对
称式吸附装置3上设有第一吸附孔10，吸附补偿装置4上设有第二吸附孔11，设于连接底板6上下两侧的非对称式吸附装置3上的第一吸附孔10之间沿连接底板6的中心线呈不对称分布，非对称式吸附装置3内设置有与第一吸附孔10连通的第一真空通道(图中未示出)，吸附补偿装置4设有与第二吸附孔11连通的第二真空通道(图中未示出)。
[0031]进一步的，还包括用于抓取掩模版2的掩模版传输机械手1，连接底板6上设有用于将连接底板6固定在掩模版传输机械手1上的螺栓孔7，掩模版传输机械手1上设有上气阀体8和气体汇集块9，所述上气阀8体用于产生负压，所述气体汇集块9通过管道分别与上气阀体8、第一真空通道(图中未示出)以及第二真空通道(图中未示出)连通，具体的，上气阀8产生负压，然后通过气体汇集块9使非对称式吸附装置3和吸附补偿装置4上的第一吸附孔10和第二吸附孔11内产生负压，从而使掩模版2吸附在第一吸附孔10和第二吸附孔11的表面。
[0032]上述实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版传输的非对称吸附及吸附补偿装置，其特征在于，包括连接底板、非对称式吸附装置以及吸附补偿装置，所述非对称式吸附装置相对设置在连接底板的上下两侧，所述吸附补偿装置相对设置在连接底板左右两侧的中间位置，非对称式吸附装置上设有第一吸附孔，吸附补偿装置上设有第二吸附孔，设于连接底板上下两侧的非对称式吸附装置上的第一吸附孔之间沿连接底板的中心线呈不对称分布，非对称式吸附装置内设置有与第一吸附孔连通的第一真空通道，吸附补偿装置设有与第二吸附孔连通的第二真空通道。2.根据权利要求1所述的一种掩模版传输的非对称吸附及吸附补偿装置，其特征在于，还包括掩模版传输机械手，所述掩模版传输机械手上设有上气阀体和气体汇集块，所述上气阀体用于产生负压，所述气体汇集块通过管道分别与上气阀体、第一真空通道以及第二真空通道连通。3.根据权利要求2所述的一种掩模版传输的非对称吸附及吸附补偿装置，其特征在于，所述非对称式吸附装置包括四个非对称式吸附装置，所述四个非对称式吸附装置以两两相对的方式设置在连接底板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周勇宇，郭鹏，姜晨，焦培俊，
申请(专利权)人：上海微高精密机械工程有限公司，
类型：发明
国别省市：