一种半导体器件及其制造方法技术

本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和在所述衬底上的多个呈阵列排布的晶体管柱；对每个所述晶体管柱的顶端进行刻蚀以形成第一凹槽；在所述第一凹槽中依次形成金属硅化物层和第一金属层；所述金属硅化物层覆盖所述第一凹槽底部和侧壁；所述第一金属层填满所述第一凹槽。金属层填满所述第一凹槽。金属层填满所述第一凹槽。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法


[0001]本公开实施例涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]通常，动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)由多个存储单元构成，每个存储单元由一个晶体管所操控的存储电容构成，即，DRAM是1个晶体管1个存储电容(1T1C)的存储单元。在每个存储单元中，晶体管包括栅极、源极和漏极，晶体管的栅极形成字线，晶体管的漏极与位线连接；而存储电容的第一电极层与晶体管的源极连接，存储电容的第二电极层连接公共端。其中，存储电容用于存储写入存储单元中的数据。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例为解决现有技术中存在的至少一个技术问题而提供一种半导体器件及其制造方法。
[0004]为达到上述目的，本公开的技术方案是这样实现的：
[0005]第一方面，本公开实施例提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：
[0006]提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和在所述衬底上的多个呈阵列排布的晶体管柱；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和在所述衬底上的多个呈阵列排布的晶体管柱；对每个所述晶体管柱的顶端进行刻蚀以形成第一凹槽；在所述第一凹槽中依次形成金属硅化物层和第一金属层；所述金属硅化物层覆盖所述第一凹槽底部和侧壁；所述第一金属层填满所述第一凹槽。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述晶体管柱的延伸方向垂直于所述衬底。3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，每个所述晶体管柱的顶端的所述金属硅化物层和所述第一金属层用于实现源极和存储电容之间的电连接。4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述晶体管柱的第一侧壁上依次设有栅氧化层、栅极层和绝缘结构，所述晶体管柱的第二侧壁上设有隔离结构；其中，所述晶体管柱的第一侧壁和所述晶体管柱的第二侧壁为所述晶体管柱的相对两个侧壁。5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对每个所述晶体管柱的顶端进行刻蚀以形成第一凹槽，包括：对每个所述晶体管柱的顶端进行刻蚀以形成第一凹槽，所述第一凹槽的第一侧壁暴露出所述绝缘结构，所述第一凹槽的第二侧壁暴露出所述隔离结构；其中，所述第一凹槽的第一侧壁和所述第一凹槽的第二侧壁为所述第一凹槽的相对两个侧壁。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对每个所述晶体管柱的顶端进行刻蚀以形成第一凹槽之后，所述方法还包括：在所述第一凹槽底部和侧壁上形成硅衬层，以形成第二凹槽。7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述金属硅化物层，包括：形成覆盖所述第二凹槽底部和侧壁的第二金属层；对所述第二金属层进行退火处理，使得所述第一凹槽底部和侧壁形成所述金属硅化物层。8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述对所述第二金属层进行退火处理，使得所述第一凹槽底部和侧壁形成所述金属硅化物层，包括：对所述第二金属层进行第一退火处理，使得所述第二金属层的原子和所述硅衬层的原子反应，以在所述第一凹槽底部和侧壁形成预金属硅化物层；对所述预金属硅化物层进行第二退火处理，使得所述预金属硅化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜丙杰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：