半导体结构及其制作方法以及存储器系统技术方案

本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法以及存储器系统，所述制作方法包括：提供半导体层，形成覆盖所述半导体层的牺牲层；蚀刻所述牺牲层和所述半导体层以形成柱状结构；其中，所述柱状结构包括半导体柱和牺牲部，所述牺牲部覆盖所述半导体柱的一端；形成围绕所述柱状结构的第一绝缘层；去除所述牺牲部以形成第一凹槽，所述第一凹槽的底部显露所述半导体柱；在所述第一凹槽中形成接触部。在所述第一凹槽中形成接触部。在所述第一凹槽中形成接触部。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法以及存储器系统


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构及其制作方法以及存储器系统。

技术介绍

[0002]半导体结构中的晶体管在集成电路中被广泛用于开关器件或者驱动装置。例如，动态随机存储器(dynamic random access memory，DRAM)的存储单元可包括晶体管和存储电容，通过晶体管控制存储电容的数据写入或者读取。
[0003]可以通过缩小晶体管和存储电容的尺寸来增加存储单元的集成度，从而获得动态随机存储器存储容量的提升。然而，随着晶体管和存储电容尺寸的不断缩小，制作工艺难度也随之加大。如何提高动态随机存储器的制作良率成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构的制作方法，包括：
[0005]提供半导体层，形成覆盖所述半导体层的牺牲层；
[0006]蚀刻所述牺牲层和所述半导体层以形成柱状结构；其中，所述柱状结构包括半导体柱和牺牲部，所述牺牲部覆盖所述半导体柱的一端；<br/>[0007]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体层，形成覆盖所述半导体层的牺牲层；蚀刻所述牺牲层和所述半导体层以形成柱状结构；其中，所述柱状结构包括半导体柱和牺牲部，所述牺牲部覆盖所述半导体柱的一端；形成围绕所述柱状结构的第一绝缘层；去除所述牺牲部以形成第一凹槽，所述第一凹槽的底部显露所述半导体柱；在所述第一凹槽中形成接触部。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：形成所述接触部之后，在所述接触部上形成电容结构；其中，所述电容结构与所述接触部耦接。3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述接触部包括连接层和导电部；所述在所述第一凹槽中形成接触部包括：在所述第一凹槽的底部形成所述连接层；在所述连接层上形成所述导电部。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述连接层的导电性介于所述半导体柱的导电性和所述导电部的导电性之间。5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述连接层的厚度小于所述导电部的厚度。6.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述半导体柱的组成材料包括：单晶硅或者多晶硅。7.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述连接层的组成材料包括金属硅化物。8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述连接层的方法包括：在所述第一凹槽的底部形成与所述半导体柱接触的金属材料层，对所述金属材料层和所述半导体柱进行热处理，以形成所述连接层。9.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，形成所述电容结构的方法包括：在所述接触部上形成第二绝缘层；对所述第二绝缘层进行第一蚀刻，以形成贯穿所述第二绝缘层的电容孔；其中，所述电容孔的底部显露所述接触部；所述第一蚀刻对所述第二绝缘层的蚀刻速率，大于所述第一蚀刻对所述接触部的蚀刻速率；填充所述电容孔以形成所述电容结构。10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第二绝缘层之前，所述制作方法还包括：在所述接触部上形成停止层；所述在所述接触部上形成第二绝缘层包括：在所述停止层上形成所述第二绝缘层；其中，所述电容孔贯穿所述第二绝缘层和所述停止层。11.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在相邻的所述柱状结构之间的第一绝缘层中形成气隙。
12.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一绝缘层之前，所述制作方法还...

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，丁潇，左磊，杨敏，华文宇，朱宏斌，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：