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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法以及存储器系统，所述制作方法包括：提供半导体层，形成覆盖所述半导体层的牺牲层；蚀刻所述牺牲层和所述半导体层以形成柱状结构；其中，所述柱状结构包括半导体柱和牺牲部，所述牺牲部覆盖所述半导体柱的一端；...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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