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本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和在所述衬底上的多个呈阵列排布的晶体管柱；对每个所述晶体管柱的顶端进行刻蚀以形成第一凹槽；在所述第一凹槽中依次形成金属硅化物层和第一金属层；所述...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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