一种烷氧基硅烷组合物的纯化方法技术

本发明专利技术公开一种烷氧基硅烷组合物的纯化方法，所述组合物包含烷氧基硅烷和氯化物，其中当烷氧基硅烷包含多个烷氧基时，这些烷氧基相同；所述方法包括：1）将烷氧基硅烷组合物与醇混合，得到混合物，其中所述醇的烷基与所述烷氧基硅烷的烷氧基中的烷基相同，优选具有C1至C10烷基；2）使混合物反应，以将所述组合物中所含的有机氯化物转化为氯化氢；3）将混合物与惰性气体相接触，去除氯化氢，得到经纯化的烷氧基硅烷组合物。本发明专利技术的纯化方法便捷，能够充分地除去烷氧基硅烷组合物中的无机氯，并且不会给原有体系引入额外杂质。不会给原有体系引入额外杂质。

【技术实现步骤摘要】
一种烷氧基硅烷组合物的纯化方法


[0001]本专利技术涉及有机硅领域，具体涉及一种烷氧基硅烷硅组合物的纯化方法及相应产品。

技术介绍

[0002]烷氧基硅烷主要用于合成有机硅中间体及高分子化合物，也可作为氢化硅烷化试剂。同时，其可应用于半导体器件。为减少电阻电容（RC）延迟和互连延迟，改善半导体器件性能，提高电路速度，需要低介电常数（k）甚至超低k介电材料。目前通用的超低k介电层采用低k多孔结构（SiCOH，k=2.2
‑
2.5），使用硅氮化碳（k=4.8）和非晶碳化硅（k=2
‑
3.6）为电介质阻挡层，利用PCVD/ALD薄膜在金属导线之间使用牺牲材料形成空洞，实现低k介质层间的金属互连。以超低k介质掩膜层为例，例如采用烷氧基硅烷在衬底上形成超低k介质掩膜层，其中烷氧基硅烷和氧反应生成二氧化硅玻璃体形成薄氧层，该超低k介质层表面平整，克服了原有的凸起缺陷，改进了超低k介质层的性能。
[0003]烷氧基硅烷，以二乙氧基甲基硅烷（DEMS）为例，其通常采用二氯甲基硅烷与乙醇反应生成，如以下化学反应所示：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种烷氧基硅烷组合物的纯化方法，其特征在于，所述组合物包含烷氧基硅烷和氯化物，其中当烷氧基硅烷包含至少2个烷氧基时，这些烷氧基相同；所述方法包括：1）将烷氧基硅烷组合物与醇混合，得到混合物，其中所述醇具有C1至C10烷基，所述烷基与所述烷氧基硅烷的烷氧基中的烷基相同；2）使混合物反应，以将所述组合物中所含的有机氯化物转化为氯化氢；3）将混合物与惰性气体相接触，去除氯化氢，得到经纯化的烷氧基硅烷组合物。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1）中醇的用量要使得醇与烷氧基硅烷组合物中所含的有机氯化物中的氯之间的摩尔浓度比为1~106：1，且醇的用量不超过烷氧基硅烷组合物重量的10%。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤2）中在常压或减压下使混合物在沸腾状态下回流。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述回流时间持续1
‑
30小时。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述回流时间持续1
‑
24小时。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤3）中惰性气体在混合物回流结束并仍处于沸腾状态下通入。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合物与惰性气体的接触时间为2
‑
48小时。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，惰性气体选自氮气、氩气、氦气、氖气、氢气中的一种或多种。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，惰性气体的流速小于或等于10升/分。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，惰性气体的总通入量为烷氧基硅烷组合物中氯化物含量的103‑
106倍。11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，烷氧基硅烷选自下列物质中的至少一种：Ⅰ、通式R
1n
(R2O)4‑
n
Si的化合物，其中R1可以独立地表示H或C1至C
10
，所述C1至C
10
是线型或者支链型、饱和、单或者多不饱和型、环状、部分或者完全氟化的；R2可以表示C1至C
10
，所述C1至C
10
是线型或者支链型、饱和、单或者多不饱和型、环状、芳香族的、部分或者完全氟化的；n是0、1、2或3；Ⅱ、通式R
1n
(R2O)3‑
n
Si
‑
O
‑
SiR
3m
(OR4)3‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：范光华，宛志文，蒋寅斌，陈德义，陆平，茅炳荣，袁磊，杨敏，
申请(专利权)人：南大光电半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：