一种新戊硅烷中间体制备方法及其应用技术

本发明专利技术公开了一种用于制备新戊硅烷中间体的方法，将通式(1)的硅化合物在叔胺催化剂的存在下反应，以生成含四(三卤代甲硅烷基)硅烷和四卤化硅的第一混合物，反应结束后进一步加入路易斯酸化合物，然后分离掉生成的四卤化硅化合物，得如通式(2）所示的新戊硅烷中间体。本发明专利技术通过加入足够量的路易斯酸进而灭活催化剂将最小化减少副反应的发生，所述副反应将降低新戊硅烷中间体的纯度与产率。本发明专利技术不仅可高产率地生产具有高纯度的新戊硅烷，还可以提高生产的安全性和便捷性，降低生产成本。降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种新戊硅烷中间体制备方法及其应用


[0001]本专利技术涉及用于硅烷合成
，具体涉及一种新戊硅烷中间体制备方法及其应用。

技术介绍

[0002]新戊硅烷是一个可用于化学气相沉积半导体薄膜包括外延硅和多晶硅薄膜的新型前驱体。相较于目前所用的甲硅烷和乙硅烷，新戊硅烷具有成膜温度较低、成膜速度较快，以及所形成的薄膜品质较高的优点。
[0003]新戊硅烷及其制备方法是本领域已知的。例如，Feher等人(I norg.Nucl.Chem.Lett.1974，10(7)，577
‑
579)报道了通过酸分解硅化镁和通过蒸馏和气相色谱进行分离，制备含新戊硅烷的硅烷混合物。
[0004]Hoefler等人(Inorg.Chem.Lett.1973，9(7)，723
‑
725)报道了在二乙醚中在
‑
100℃下用氢化铝锂氢化四(三氯甲硅烷基)硅烷，得到含有1∶2异四硅烷
‑
新戊硅烷混合物的黄棕色的聚合物。
[0005]CN101528813B报道了一个适合工业化生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制备新戊硅烷中间体的方法，其特征在于，包括：将通式(1)的硅化合物在叔胺催化剂的存在下反应，以生成含四(三卤代甲硅烷基)硅烷和四卤化硅的第一混合物，反应结束后进一步加入路易斯酸化合物，然后分离掉生成的四卤化硅化合物，得如通式(2）所示的新戊硅烷中间体，R3Si
‑
(SiR2‑
)
n
R3ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)，Si(SiR3)
4 ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)，其中，R选自Cl、Br和I，以及n是不超过5、不包括0的非负整数。2.根据权利要求1所述的用于制备新戊硅烷中间体的方法，其特征在于，所述的路易斯酸化合物为分子式X1X2X3Al有机铝化合物，式中X1, X2，X
3 独立选自烃基、卤素或烷氧基。3.根据权利要求2所述的用于制备新戊硅烷中间体的方法，其特征在于，所述的路易斯酸化合物为二异丁基氯化铝。4.根据权利要求3所述的用于制备新戊硅烷中间体的方法，其特征在于，所述式(1)的硅化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：周晓兵，郭楠，黄艺，
申请(专利权)人：南大光电半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：