具有嵌入式晶体管的有源像素制造技术

本发明专利技术公开了一种将１／ｆ噪声最小化的、适用于图像传感器的有源像素，其包括具有“体电流”晶体管结构的放大晶体管，以将产生１／ｆ噪声的表面氧化层陷阱的影响减至最小。此外，该有源像素的复位晶体管、行选择晶体管和／或传输晶体管也可以采用“体电流”晶体管的结构，以进一步降低１／ｆ噪声。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种图像传感器，更具体地讲，本专利技术涉及一种采用嵌入式晶体管(MOSFET)以减少1/f噪声的CMOS图像传感器。
技术介绍
CMOS图像传感器越来越普遍，其广泛地应用于静态图片数字照相机、保安摄像系统、移动电话、医学影像和汽车配备中。用于制造CMOS图像传感器的技术不断大步提升。例如，高分辨率、低功率的消费需求激励了图像传感器的小型化和高集成度的发展。当图像传感器中的像素变得越来越小，像素中的相关有源器件(如各种晶体管)也变得更小了。高集成度所导致结果之一是1/f噪声(1/fnoise)的影响，当每一像素中的晶体管变得更小，1/f噪声更令人关注。可以认为，1/f噪声(也称为“闪烁干扰”)是转换晶体管在其表面引入氧化层陷阱而引起的，这些晶体管可以捕获或者释放电子。对于CMOS图像传感器的有源像素(active pixel)中的晶体管，不同晶体管的开、关转换可导致像素中的1/f噪声。因此，有必要提供一种可消除1/f噪声的有源像素。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可消除转换晶体管所引起的1/f噪声的有源像素。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的一种有源像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源像素３０１，其包括：形成于半导体衬底上的感光元件１０１；与所述感光元件１０１电通信的传感节点，以输出所述感光元件１０１所产生的信号；由所述传感节点所控制的放大晶体管３０３，其中，所述的放大晶体管３０３是形成于 所述半导体衬底上的嵌入式晶体管。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：何新平，
申请(专利权)人：豪威科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]