一种拼接铌靶的焊接方法技术

技术编号:35949726 阅读:19 留言:0更新日期:2022-12-14 10:41
本发明专利技术涉及一种拼接铌靶的焊接方法,所述焊接方法包括如下步骤:(1)对背板的焊接面进行预处理,得到预处理背板;(2)步骤(1)所得预处理背板依次进行预浸润处理与精浸润处理,然后在焊接面贴附间隔条,得到间隔背板;(3)将第一铌靶、第二铌靶以及第三铌靶依次拼接在步骤(2)所得间隔背板上,使所述拼接的缝隙宽度与间隔条的宽度相等;然后进行加压处理,得到所述拼接铌靶。本发明专利技术通过对背板与铌靶进行预处理与浸润处理,提高二者的焊接结合率;通过在背板焊接面贴附间隔条,使得铌靶拼接的缝隙宽度可调可控,从而满足溅射的使用要求。从而满足溅射的使用要求。从而满足溅射的使用要求。

【技术实现步骤摘要】
一种拼接铌靶的焊接方法


[0001]本专利技术涉及溅射靶材
,具体涉及一种拼接铌靶的焊接方法。

技术介绍

[0002]溅射技术在半导体制造领域是较为常用的工艺技术。溅射技术中,靶材作为核心的溅射材料,其对溅射后的成膜质量影响较大。靶材通常与背板焊接形成靶材组件用于实际的溅射镀膜中,由于靶材组件的工作环境比较恶劣,因此对靶材与背板的焊接结合程度提出了更高的要求。
[0003]CN 207793415U公开了一种拼接靶材,包括背板、设置在所述背板上的靶材组合件;所述靶材组合件包括若干靶材单元;所述若干靶材单元相互拼接形成所述靶材组合件;所述靶材组合四周边缘高度高于所述靶材组合件的中间高度。该拼接靶材可以满足溅射对靶材尺寸的要求,避免资源浪费。
[0004]CN 111690903A公开了一种靶材二次利用方法,包括:提供靶材组件,所述靶材组件包括背板及与背板连接的待回收靶材,其中,所述待回收靶材上具有被轰击区域,所述被轰击区域的厚度小于其他区域;加工靶材组件,使所述背板与待回收靶材分离;将所述待回收靶材依被轰击区域进行线切割,切割成多个靶材块;将多个靶材块拼接成新靶材,其中,新靶材上具有符合溅射要求厚度的连续区域;将新靶材焊接至背板上供二次利用。
[0005]上述公开的内容可提高靶材的利用率,但对于大尺寸靶材的拼接,拼接缝无法有效调控,会进一步影响镀膜的质量。
[0006]CN 106607667A公开了一种靶材组件的制造方法,包括:提供靶材、背板和保护板,所述靶材用于焊接的面为第一焊接面,与第一焊接面相对的面为溅射面,所述背板用于焊接的面为第二焊接面;将所述保护板粘贴于所述靶材的溅射面上;焊接所述靶材的第一焊接面和所述背板的第二焊接面;在焊接过程中,所述保护板减小靶材和背板因热膨胀系数不匹配引起的热冲击;焊接后去除保护板。其中,在对靶材和背板进行加热之前,将所述保护板粘贴于靶材溅射面上。该方法可以防止靶材受到热冲击而破碎,也能够适当调控拼接缝的宽度,但背板与靶材的焊接结合率还有待进一步提升。
[0007]针对现有技术的不足,亟需提供一种焊接结合率高且拼接缝可调可控的靶材焊接方法。

技术实现思路

[0008]本专利技术的目的在于提供一种拼接铌靶的焊接方法,通过对铌靶与背板进行预处理与浸润处理,提高了二者的焊接结合率;同时贴附间隔条使得铌靶的拼接缝可调可控,所得拼接铌靶具有较高的成品率,能够满足溅射使用的要求。
[0009]为达到此专利技术目的,本专利技术采用以下技术方案:
[0010]本专利技术提供了一种拼接铌靶的焊接方法,所述焊接方法包括如下步骤:
[0011](1)对背板的焊接面进行预处理,得到预处理背板;
[0012](2)步骤(1)所得预处理背板依次进行预浸润处理与精浸润处理,然后在焊接面贴附间隔条,得到间隔背板;
[0013](3)将第一铌靶、第二铌靶以及第三铌靶依次拼接在步骤(2)所得间隔背板上,使所述拼接的缝隙宽度与间隔条的宽度相等;然后进行加压处理,得到所述拼接铌靶;
[0014]步骤(3)所述第一铌靶、第二铌靶以及第三铌靶为分别独立地进行焊接面喷砂与镀镍处理、加热下的精浸润与涂覆处理得到;
[0015]步骤(2)与步骤(3)在加热下进行。
[0016]本专利技术通过对背板与铌靶分别进行预处理与喷砂、镀镍处理,使得二者的焊接面具有较高的粗糙度,可有效提高焊接结合率;对预处理背板先进行预浸润处理再精浸润处理,可以保证与处理背板的浸润效果;而对铌靶进行精浸润再涂覆处理,也可进一步提高浸润程度;通过在背板焊接面贴附间隔条,使得第一铌靶、第二铌靶以及第三铌靶之间的拼接缝宽度可调可控;对各铌靶进行加压处理,可显著提高背板与铌靶的焊接结合强度,从而满足溅射的使用要求。
[0017]优选地,步骤(1)所述背板包括无氧铜背板或铜合金背板。
[0018]优选地,步骤(1)所述预处理包括喷砂处理和/或砂纸打磨。
[0019]所述喷砂处理可以在背板的焊接面形成砂层,从而增加粗糙度;所述砂纸打磨可以直接增加背板表面的粗糙度。
[0020]优选地,步骤(1)所述预处理的终点为使所述焊接面的粗糙度为5

10μm,例如可以是5μm、6μm、7μm、8μm、9μm或10μm,但不限于所列举的数值,数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0021]优选地,步骤(2)所述预浸润处理与精浸润处理所用焊料包括铟焊料。
[0022]优选地,步骤(2)所述预浸润处理在钢刷作用下进行。
[0023]优选地,步骤(2)所述精浸润处理在超声波作用下进行。
[0024]本专利技术通过先预浸润处理、后精浸润处理,可以有效促进焊料充分浸润背板,防止一步浸润处理时焊料流失外溢,从而降低浸润效果。
[0025]优选地,所述超声波的频率为20

25KHz,例如可以是20KHz、21KHz、22KHz、23KHz、24KHz或25KHz,但不限于所列举的数值,数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0026]优选地,步骤(2)所述间隔条包括聚四氟乙烯条。
[0027]本专利技术通过在背板焊接面贴附间隔条,无需引入隔板隔离各部分铌靶、后续再抽出隔板,即可使得第一铌靶、第二铌靶以及第三铌靶之间的拼接的缝隙宽度可调可控,操作简单,拼接缝隙调控精确。
[0028]优选地,步骤(2)所述贴附所用介质包括耐热胶带。
[0029]所述耐热胶带使用时,需保证间隔条不变形、不折弯。
[0030]优选地,步骤(2)所述贴附间隔条后、步骤(3)所述拼接前还包括去除氧化层与放置金属丝的步骤。
[0031]优选地,所述去除氧化层与放置金属丝的步骤包括:将贴附间隔条的背板焊接面上的氧化层去除,然后分别在第一铌靶、第二铌靶以及第三铌靶的拼接处放置金属丝。
[0032]所述去除氧化层,可以提高焊接时的结合程度;所述拼接处放置金属丝,可以提高焊料的聚合程度从而保证焊料层的均匀致密,同时金属丝可以起到支撑作用,降低铌靶与
背板拼接时焊料的外溢率,从而提高焊接结合率。
[0033]优选地,所述氧化层包括氧化铟。
[0034]优选地,所述第一铌靶的拼接处等距离放置5

6根金属丝,例如可以是5根或6根。
[0035]优选地,所述第二铌靶与第三铌靶的拼接处分别等距离放置2

3根金属丝,例如可以是2根或3根。
[0036]优选地,所述金属丝的直径为0.3

0.5mm,例如可以是0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm或0.5mm,但不限于所列举的数值,数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0037]优选地,所述金属丝包括铜丝。
[0038]优选地,步骤(3)所述第一铌靶的长度大于第二铌靶与第三铌靶的长度。
[0039]优选地,所述第一铌靶拼接于背板的中心,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种拼接铌靶的焊接方法,其特征在于,所述焊接方法包括如下步骤:(1)对背板的焊接面进行预处理,得到预处理背板;(2)步骤(1)所得预处理背板依次进行预浸润处理与精浸润处理,然后在焊接面贴附间隔条,得到间隔背板;(3)将第一铌靶、第二铌靶以及第三铌靶依次拼接在步骤(2)所得间隔背板上,使所述拼接的缝隙宽度与间隔条的宽度相等;然后进行加压处理,得到所述拼接铌靶;步骤(3)所述第一铌靶、第二铌靶以及第三铌靶为分别独立地进行焊接面喷砂与镀镍处理、加热下的精浸润与涂覆处理得到;步骤(2)与步骤(3)在加热下进行。2.根据权利要求1所述的焊接方法,其特征在于,步骤(1)所述背板包括无氧铜背板或铜合金背板;优选地,步骤(1)所述预处理包括喷砂处理和/或砂纸打磨;优选地,步骤(1)所述预处理的终点为使所述焊接面的粗糙度为5

10μm。3.根据权利要求1或2所述的焊接方法,其特征在于,步骤(2)所述预浸润处理与精浸润处理所用焊料包括铟焊料;优选地,步骤(2)所述预浸润处理在钢刷作用下进行;优选地,步骤(2)所述精浸润处理在超声波作用下进行;优选地,所述超声波的频率为20

25KHz。4.根据权利要求1

3任一项所述的焊接方法,其特征在于,步骤(2)所述间隔条包括聚四氟乙烯条;优选地,步骤(2)所述贴附所用介质包括耐热胶带。5.根据权利要求1

4任一项所述的焊接方法,其特征在于,步骤(2)所述贴附间隔条后、步骤(3)所述拼接前还包括去除氧化层与放置金属丝的步骤;优选地,所述去除氧化层与放置金属丝的步骤包括:将贴附间隔条的背板焊接面上的氧化层去除,然后分别在第一铌靶、第二铌靶以及第三铌靶的拼接处放置金属丝。6.根据权利要求5所述的焊接方法,其特征在于,所述氧化层包括氧化铟;优选地,所述第一铌靶的拼接处等距离放置5

6根金属丝;优选地,所述第二铌靶与第三铌靶的拼接处分别等距离放置2

3根金属丝;优选地,所述金属丝的直径为0.3

0.5mm;优选地,所述金属丝包括铜丝。7.根据权利要求1

6任一项所述的焊接方法,其特征在于,步骤(3)所述第一铌靶的长度大于第二铌靶与第三铌靶的长度;优选地,步骤(3)所述加压处理的步骤包括:在第一铌靶的中心放置20

40kg的压块,两端放置5
...

【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军潘杰周鹏飞周友平
申请(专利权)人:宁波江丰电子材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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