半导体封装结构制造技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：第一芯片，位于散热结构的容置空间内，基板，位于散热结构下方，散热管，散热管的第一段贯穿基板和散热结构，第一段的端部位于容置空间内并且不接触第一芯片。本发明专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构，以增强半导体封装结构的散热性能。装结构的散热性能。装结构的散热性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体封装结构。

技术介绍

[0002]当前在双侧模制结构中，背面组件散热的问题一直无有效解决，而现有的背面组件散热一般采用两种方式：一是在芯片背面与印刷电路板(PCB)之间填涂散热材料(TIM)，因散热材料具有导电特性，若散热材料在后续压合制程时发生渗出将造成电路短路；另一种为将背面进行模制制程，将模制化合物背面完全封模包覆，将热能导向上方或四周，但其散热效能比散热材料差，并且与印刷电路板间有空气阻隔，热能无法有效向下导出。
[0003]若使用于封装上天线(AoP)结构，模制化合物上方为天线讯号传导区，将无法放置任何散热装置，导致散热更加困难。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种半导体封装结构，以增强半导体封装结构的散热性能。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种半导体封装结构，包括：第一芯片，位于散热结构的容置空间内，基板，位于散热结构下方，散热管，散热管的第一段贯穿基板和散热结构，第一段的端部位于容置空间内并且不接触第一芯片。
[0006]在一些实施例中，第一芯片和散热结构均设置在重布线层的第一表面。
[0007]在一些实施例中，散热结构和重布线层围成容置空间。
[0008]在一些实施例中，第一芯片与散热结构不接触。
[0009]在一些实施例中，散热结构形成为围绕第一芯片的盖。
[0010]在一些实施例中，还包括：第二芯片，设置在重布线层的第二表面上，第二表面与第一表面相背设置，第二芯片为天线元件或传感器元件。
[0011]在一些实施例中，散热结构通过焊球连接至重布线层。
[0012]在一些实施例中，还包括：粘合胶，接触散热结构、重布线层和焊球的部分表面。
[0013]在一些实施例中，重布线层的接垫暴露于容置空间。
[0014]在一些实施例中，第一芯片的晶背面对散热结构上表面。
[0015]在一些实施例中，散热结构和基板分别具有环绕散热管的第一绝缘材料和第二绝缘材料。
[0016]在一些实施例中，第一绝缘材料和第二绝缘材料包含不同的材料。
[0017]在一些实施例中，还包括：散热材料，位于基板上，散热材料接触基板并环绕散热管。
[0018]在一些实施例中，散热管的第一段垂直于基板延伸，散热管的第二段平行于基板延伸。
[0019]在一些实施例中，散热材料环绕散热管的第一段和第二段的部分、及由第一段和
第二段形成的弯折部。
[0020]在一些实施例中，还包括：封装材料，包覆散热结构的侧壁。
[0021]在一些实施例中，散热管的数量至少为2。
[0022]在一些实施例中，冷流体从第一散热管流入容置空间，并从第二散热管流出容置空间。
[0023]在一些实施例中，冷流体接触第一芯片。
[0024]在一些实施例中，冷流体为气体或去离子水。
附图说明
[0025]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0026]图1至图12示出了本申请的半导体封装结构的形成过程的截面图。
[0027]图13示出了根据本申请一些实施例的形成半导体封装结构的中间过程。
具体实施方式
[0028]为更好的理解本申请实施例的精神，以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
[0029]本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中，将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
[0030]如本文中所使用，术语“大致”、“大体上”、“实质”及“约”用以描述及说明小的变化。当与事件或情形结合使用时，所述术语可指代其中事件或情形精确发生的例子以及其中事件或情形极近似地发生的例子。举例来说，当结合数值使用时，术语可指代小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差值小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％、或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“大体上”相同。
[0031]在本说明书中，除非经特别指定或限定之外，相对性的用词例如：“中央的”、“纵向的”、“侧向的”、“前方的”、“后方的”、“右方的”、“左方的”、“内部的”、“外部的”、“较低的”、“较高的”、“水平的”、“垂直的”、“高于”、“低于”、“上方的”、“下方的”、“顶部的”、“底部的”以及其衍生性的用词(例如“水平地”、“向下地”、“向上地”等等)应该解释成引用在讨论中所描述或在附图中所描示的方向。这些相对性的用词仅用于描述上的方便，且并不要求将本申请以特定的方向建构或操作。
[0032]另外，有时在本文中以范围格式呈现量、比率和其它数值。应理解，此类范围格式是用于便利及简洁起见，且应灵活地理解，不仅包含明确地指定为范围限制的数值，而且包
含涵盖于所述范围内的所有个别数值或子范围，如同明确地指定每一数值及子范围一般。
[0033]再者，为便于描述，“第一”、“第二”、“第三”等等可在本文中用于区分一个图或一系列图的不同组件。“第一”、“第二”、“第三”等等不意欲描述对应组件。
[0034]下面将参见附图，对本申请的半导体封装结构及其形成过程作具体阐述。
[0035]参见图1，提供载体10。
[0036]参见图2，在载体10上设置释放层20。
[0037]参见图3，在释放层20上设置重布线层30和支撑柱32，在实施例中，支撑柱32与重布线层30电连接。
[0038]参见图4，在重布线层30上形成电连接至重布线层30的第一芯片40。
[0039]参见图5，在第一芯片40和重布线层30之间设置底部填充材料50。
[0040]参见图6，在重布线层30上设置围绕第一芯片40的散热结构60，散热结构60通过焊本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一芯片，位于散热结构的容置空间内，基板，位于所述散热结构下方，散热管，所述散热管的第一段贯穿所述基板和所述散热结构，所述第一段的端部位于所述容置空间内并且不接触所述第一芯片。2.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片和所述散热结构均设置在重布线层的第一表面。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述散热结构和所述重布线层围成所述容置空间。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述散热结构形成为围绕所述第一芯片的盖。5.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：第二芯片，设置在所述重布线层的第二表面上，所述第二表面与所述第一表面相背设置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：方绪南，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：