【技术实现步骤摘要】
一种内嵌管道的冷却盘及其制备方法
[0001]本专利技术涉及冷却盘
,具体涉及一种内嵌管道的冷却盘及其制备方法。
技术介绍
[0002]目前,随着科技的快速发展,集成电路的产业越来越蓬勃发展,现如今市场上的芯片主要以硅基或化合物半导体材质,硅基或化合物半导体的芯片现在已经采用6寸、8寸和12寸的晶圆片进行设计和制造,在这些集成电路芯片的生产制造中,会经常有加热和降温的工序,加热一般是对晶圆片进行沉积各种薄膜或掺杂离子等,在薄膜沉积或掺杂离子后,如果采用自然冷却,需要冷却较长时间,晶圆片的冷却的效果和冷却的时间是整个芯片加工中的重要环节,这对于集成电路的制造的时效性有极大的影响;如果采用冷却设备进行冷却,成本较高,且冷却设备一般采用冷却管道进行蛇形走线或环形走线,这种管道走线虽然可以降温、一体成型的管线可以避免焊接和渗漏的影响,但管道的冷却却不均匀,占用空间比较大等,集成电路在微纳尺寸内就会布局若干个芯片单元,若冷却不均匀就会对芯片的良率产生很大的影响。
[0003]在冷却盘中,经常采用水循环进行冷却,在水道内部的流量和强度将直接影响盘体的散热效率,且水道不能出现焊接缺陷、渗漏等异常问题。这就对冷却盘的材质要求严格,对其材质的加工要求严格,对其材质的后期使用要求严格,故:找寻合理的冷却盘材料,也是至关重要的。聚偏氟乙稀(PVDF)是一种高度非反应性热塑性含氟聚合物,其可通过1,1
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二氟乙烯的聚合反应合成,具有抗老化、耐化学药品、耐气候、耐紫外光辐射等优良性能。可用作工程塑料,用于制密封 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种内嵌管道的冷却盘,其特征在于,所述冷却盘包括:U型底盘、U型盘芯、螺旋水道盖板、螺旋水道、出水管、进水管、出水避让孔、进水避让孔、定位销孔和通孔,所述U型底盘的四周设有通孔,所述通孔用于限定U型底盘与关联设备的位置和U型底盘内杂物的排出,所述U型盘芯内固定连接所述螺旋水道,且所述U型盘芯与所述螺旋水道完全连接,在所述螺旋水道的两端分别连接所述出水管和进水管,且所述出水管和进水管均固定连接在所述U型盘芯上,所述螺旋水道盖板上分别设有出水避让孔和进水避让孔,所述出水避让孔和进水避让孔与对应地出水管和进水管相配合,所述螺旋水道盖板固定连接在装有所述螺旋水道的U型盘芯上,所述U型盘芯固定连接在所述U型底盘上,所述定位销孔是贯穿于所述U型底盘、螺旋水道盖板和U型盘芯,所述U型盘芯、螺旋水道、螺旋水道盖板、出水管和进水管形成进水到出水的流畅水道,且形成除出水口和进水口之外的封闭空间。2.根据权利要求1所述的一种内嵌管道的冷却盘,其特征在于,所述U型盘芯的中心与所述U型底盘的中心在同一直线上。3.根据权利要求1所述的一种内嵌管道的冷却盘,其特征在于,所述U型盘芯、螺旋水道盖板和所述U型底盘均为圆形。4.根据权利要求1所述的一种内嵌管道的冷却盘,其特征在于,所述U型盘芯、U型底盘、螺旋水道盖板、螺旋水道、出水管和进水管均采用有机材质。5.根据权利要求4所述的一种内嵌管道的冷却盘,其特征在于,所述有机材质选取聚偏二氟乙烯(PVDF)。6.根据权利要求5所述的一种内嵌管道的冷却盘,其特征在于,所述固定连接选取焊接技术加工的固定连接。7.根据权利要求6所述的一种内嵌管道的冷却盘,其特征在于,所述固定连接选取热熔焊的焊接和/或红外激光器的焊接。8.根据权利要求7所述的一种内嵌管道的冷却盘,其特征在于,所述热熔焊的焊接包括焊料,所述焊料选取聚偏二氟乙烯(PVDF)材料。9.根据权利要求1所述的一种内嵌管道的冷却盘,其特征在于,所述U型盘芯选取6寸、8寸或12寸的盘芯。10.一种内嵌管道的冷却盘的制备方法,其特征在于,所述步骤具体如下:步骤1:制胚按照胚料的不同规格,进行选取不同规格的PVDF材质的圆锭,将其放入切割机床上,按其对应的规格尺寸,采用切割机床上的大齿切割刀,再配合切割辅助液进行切割,切割出规格尺寸的盘胚,作为后续盘芯、螺旋水道盖板和底盘加工的原胚;步骤2:制底盘选取步骤1的底盘原胚,将其放入铣磨机床上,并用工装夹具将其稳定固定;采用铣磨机床上的平面铣刀和球面铣刀的相互配合,对底盘原胚进行多次铣磨;选取小径球形铣刀,将其运行的轨迹中心与底盘原胚的中心调整到中轴线上,将小径球形铣刀垂直于底盘原胚的表面,且与盘芯的外直径相对应的位置处,进行启动下刀,铣磨一圈,形成第一环槽体;选取大径球形铣刀,大径球形铣刀的运行轨迹的中心与底盘原胚的中心调整到中轴线上,大径球形铣刀可以进行自由切换运行轨迹的大小,将大径球形铣刀放入小径球形铣刀走过的轨迹上,进行启动下刀,大径球形铣刀铣磨出规格厚度和铣磨范围进行铣磨,完成第一次挖
槽环节,形成浅槽U型盘胚;选取大型平面铣刀,将其中心与所述底盘原胚的中心调整到中轴线上,按照设置的厚度和范围,进行浅槽U型盘胚的平面修整和浅槽U型盘胚的中心处深槽加工,加工出台阶状的槽体,完成第一次挖槽环节的修整,形成深槽U型盘胚,所述深槽U型盘胚的底面为平面;选取螺旋铣刀,将其运行的轨迹中心与所述底盘原胚的中心调整到中轴线上,对所述底盘原胚的台阶进行钻取通孔,按照设置的加工程序,螺旋铣刀在所述台阶上加工出所需通孔;选取小型平面铣刀,将其运行的轨迹中心与所述底盘原胚的中心调整到中轴线上,按照设置的加工线路,进行通孔壁的加工、台阶的切割以及斜面的制作,最终实现一定厚度的通孔壁和在台阶处出现内高外低的斜面,且该面的内侧是与深槽U型盘胚的底面相齐平,加工出盘胚底盘;采用...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁树海,
申请(专利权)人:厦门莱蔓新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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