高散热PCB制作方法技术

技术编号:35353983 阅读:14 留言:0更新日期:2022-10-26 12:27
本发明专利技术公开了一种高散热PCB制作方法,其包括如下步骤:对低流动半固化片进行开窗处理,以使低流动半固化片对应焊接区域形成开窗部;将第一芯板、低流动半固化片、第二芯板从上到下依次叠置后进行压合处理,以获得成型PCB,其中,成型PCB内部对应开窗部所在位置形成散热空腔,发热元器件位于散热空腔内;对成型PCB的至少两侧壁进行穿刺处理,以使成型PCB的至少两侧壁对应低流动半固化片所在位置形成梳型结构;本发明专利技术的散热空腔通过梳型结构连通外部环境,从而实现了对位于散热空腔内的发热元器件的散热,且其能够避免因发热元器件直接焊接在PCB表面而增加PCB的整体厚度,实现PCB的小型化、微型化,且发热元器件内置在PCB内,起到对发热元器件的有效保护。到对发热元器件的有效保护。到对发热元器件的有效保护。

【技术实现步骤摘要】
高散热PCB制作方法


[0001]本专利技术涉及PCB制造
,尤其涉及一种高散热PCB制作方法。

技术介绍

[0002]随着电子行业的快速发展,现有PCB的布线密度和元器件密度在快速增加,且贴装芯片的功耗也在逐渐增加,因此,电子行业的快速发展对PCB的散热性能也提出更高的要求。而电子产品在使用过程中容易产生的高温,高温容易大大增加电子产品的失效风险,甚至造成严重的爆炸事故,让人们针对电子产品的散热有了新的思考和认识。
[0003]然而,现有PCB往往需要通过增设散热块进行散热,其无疑增大了PCB 的成本,且散热块会增大PCB的整体体积和重量,不利于小型化、集成化。另外,现有发热元件为了散热一般焊接在PCB表面,其虽然能够通过直接暴露的方式实现发热元件的散热,但是会增加PCB的整体厚度,且不利于对精密的发热元件进行保护。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种高散热PCB制作方法,其散热空腔通过梳型结构连通外部环境,从而实现了对位于散热空腔内的发热元器件的散热,且其能够避免因发热元器件直接焊接在PCB表面而增加PCB的整体厚度,便于实现PCB的小型化、微型化,且发热元器件内置在PCB内,能够起到对发热元器件的有效保护。
[0005]为了实现上述目的,本专利技术公开了一种高散热PCB制作方法,其包括如下步骤:
[0006]S1、提供第一芯板、低流动半固化片、第二芯板和发热元器件;
[0007]S2、对所述第一芯板和第二芯板制作线路图形,其中,所述第一芯板的下表面形成焊接区域;
[0008]S3、将所述发热元器件焊接在焊接区域上;
[0009]S4、对所述低流动半固化片进行开窗处理,以使所述低流动半固化片对应焊接区域形成开窗部;
[0010]S5、将所述第一芯板、低流动半固化片、第二芯板从上到下依次叠置后进行压合处理,以获得成型PCB,其中,所述成型PCB内部对应所述开窗部所在位置形成散热空腔,所述发热元器件位于所述散热空腔内;
[0011]S6、对所述成型PCB的至少两侧壁进行穿刺处理,以使所述成型PCB的至少两侧壁对应低流动半固化片所在位置形成梳型结构,从而制得成品PCB。
[0012]与现有技术相比,本专利技术在PCB内部对应开窗部所在位置形成散热空腔,发热元器件位于散热空腔内,并对成型PCB的至少两侧壁进行穿刺处理,以使PCB的至少两侧壁对应低流动半固化片所在位置形成梳型结构,一方面,其散热空腔通过梳型结构连通外部环境,从而实现了对位于散热空腔内的发热元器件的散热;另一方面,其能够避免因发热元器件直接焊接在PCB表面而增加PCB的整体厚度,便于实现PCB的小型化、微型化,且发热元器件内置在PCB内,能够起到对发热元器件的有效保护。
[0013]较佳地,所述步骤S6具体包括:
[0014]S61、将所述成型PCB固定在针床的轨道上;
[0015]S62、调整所述针床的探针的数量、高度、伸出长度和探针间的排列组合构型,以适应成型PCB的当前侧壁;
[0016]S63、推动所述针床沿轨道朝向成型PCB的当前侧壁方向滑动,以使所述探针刺穿成型PCB的当前侧壁对应低流动半固化片所在位置,直至所述探针的针尖刺入散热空腔内;
[0017]S64、推动所述针床沿轨道远离成型PCB的当前侧壁方向滑动,以使所述探针的针尖脱离成型PCB的当前侧壁,使得所述成型PCB的当前侧壁对应低流动半固化片所在位置形成梳型结构;
[0018]S65、重复步骤S61至S64,直至所述成型PCB的至少两侧壁对应低流动半固化片所在位置均形成梳型结构。
[0019]较佳地,所述针床设有若干探针,所有探针呈矩阵布置形成穿刺区域,所述探针自针尖开始沿长度方向每间隔2mm均设置有一个刻度,调整所述针床的伸出长度,以使所述探针的伸出长度大于PCB的当前侧壁对应低流动半固化片所在位置的长度。
[0020]具体地,所述探针的直径介于0.15mm至0.25mm,相邻探针的间距介于 0.8mm至1.2mm,探针的总长度介于18mm至22mm。
[0021]较佳地,所述焊接区域沿竖直方向的投影落入所述开窗部沿竖直方向的投影内。
[0022]较佳地,所述步骤S5中,将所述第一芯板、低流动半固化片、第二芯板从上到下依次叠置后进行压合处理,以获得成型PCB,具体包括:
[0023]S51、将所述第一芯板、低流动半固化片、第二芯板从上到下依次叠置,以形成空腔板;
[0024]S52、在所述空腔板的上表面和下表面分别依次叠合铝片、离型膜和铜箔后进行压合处理,以获得压合结构;
[0025]S53、对所述压合结构进行钻孔、沉铜、电镀、线路和铣板制作,以获得所述成型PCB。
[0026]较佳地,所述步骤S6之后还包括:
[0027]S601、对所述成型PCB的各个侧壁均贴附耐高温疏水透气薄膜。
[0028]较佳地,所述步骤S601之前还包括:
[0029]S602、吸出所述散热空腔内的碎屑。
[0030]较佳地,所述步骤S602具体包括:
[0031]S6021、将针孔的一端沿梳型结构伸入所述散热空腔内,另一端接入吸尘器的输出端;
[0032]S6022、启动所述吸尘器预设时间,以吸出所述散热空腔内的碎屑;
[0033]S6023、将所述针孔沿梳型结构从散热空腔内拔出。
[0034]较佳地,所述焊盘区域内设有焊盘,所述焊盘电连接所述第一芯板对应的线路图形。
附图说明
[0035]图1是本专利技术的高散热PCB制作方法的流程框图;
[0036]图2是本专利技术的第一芯板、低流动半固化片、第二芯板叠置前的结构示意图;
[0037]图3是图2的低流动半固化片开窗后的结构示意图;
[0038]图4是本专利技术的空腔板的结构示意图;
[0039]图5是本专利技术的开窗部与焊接区域的位置关系示意图;
[0040]图6是本专利技术的压合结构的结构示意图;
[0041]图7是本专利技术的梳型结构的结构示意图;
[0042]图8是本专利技术的针床的结构示意图;
[0043]图9是本专利技术的针床的侧视图;
[0044]图10是本专利技术的成品PCB的结构示意图;
[0045]图11是本专利技术的成品PCB的又一结构的结构示意图。
具体实施方式
[0046]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图详予说明。
[0047]请参阅图1

图11所示,本实施例的高散热PCB制作方法,其包括如下步骤:
[0048]S1、提供第一芯板10、低流动半固化片20、第二芯板30和发热元器件 40。
[0049]这里的发热元器件40为诸如芯片、功率元器件等易发热元器件40,且发热元器件40的数量可以为一个或多个。
[0050]S2、对所本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高散热PCB制作方法,其特征在于,包括如下步骤:提供第一芯板、低流动半固化片、第二芯板和发热元器件;对所述第一芯板和第二芯板制作线路图形,其中,所述第一芯板的下表面形成焊接区域;将所述发热元器件焊接在焊接区域上;对所述低流动半固化片进行开窗处理,以使所述低流动半固化片对应焊接区域形成开窗部;将所述第一芯板、低流动半固化片、第二芯板从上到下依次叠置后进行压合处理,以获得成型PCB,其中,所述成型PCB内部对应所述开窗部所在位置形成散热空腔,所述发热元器件位于所述散热空腔内;对所述成型PCB的至少两侧壁进行穿刺处理,以使所述成型PCB的至少两侧壁对应低流动半固化片所在位置形成梳型结构,从而制得成品PCB。2.如权利要求1所述的高散热PCB制作方法,其特征在于,所述对所述成型PCB的至少两侧壁进行穿刺处理,以使所述成型PCB的至少两侧壁对应低流动半固化片所在位置形成梳型结构,从而制得成品PCB,具体包括:将所述成型PCB固定在针床的轨道上;调整所述针床的探针的数量、高度、伸出长度和探针间的排列组合构型,以适应成型PCB的当前侧壁;推动所述针床沿轨道朝向成型PCB的当前侧壁方向滑动,以使所述探针刺穿成型PCB的当前侧壁对应低流动半固化片所在位置,直至所述探针的针尖刺入散热空腔内;推动所述针床沿轨道远离成型PCB的当前侧壁方向滑动,以使所述探针的针尖脱离成型PCB的当前侧壁,使得所述成型PCB的当前侧壁对应低流动半固化片所在位置形成梳型结构;重复上述步骤,直至所述成型PCB的至少两侧壁对应低流动半固化片所在位置均形成梳型结构。3.如权利要求2所述的高散热PCB制作方法,其特征在于,所述针床设有若干探针,所有探针呈矩阵布置形成穿刺区域,所述探针自针尖开始沿长度方向每间隔2mm均设置有一个刻度,调整所述针床的伸出长度,以使所述探针的伸出长度...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶明刘勇华朱标杨海云
申请(专利权)人:生益电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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