基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种处理效率高的技术，涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序。本发明专利技术提供的技术，具有：反应器，其能够对基板进行多种处理；输送室，其与多个所述反应器邻接；输送机器人，其被设置于所述输送室内，能够向各个所述反应器输送基板；存储部，其记录与各个所述处理对应的类别信息和与各个所述类别信息对应的处理时间信息；计算部，其计算与所述处理时间信息相匹配的时间中的别预定处理的处理时间的比例；处理选择部，其根据所述比例，选择进行所述预定处理的反应器；以及处理设定部，其设定为能够在所选择的所述反应器中进行所述预定处理。中进行所述预定处理。中进行所述预定处理。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质


[0001]本技术涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质。

技术介绍

[0002]作为在半导体装置的制造工序中使用的基板处理装置的一个方式，例如有具备具有多个反应器的模块的装置(例如专利文献1)。在这样的装置中，有时在各个反应器中进行不同的处理，在该情况下，有时在某个反应器中进行处理后，移动到其他反应器进行处理。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：WO2005/112108

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]在如上述那样移动到不同的反应器而进行连续处理的装置中，由于在各个反应器中处理时间不同，所以为了能够高效地进行处理，例如在移动到下一个反应器时，优选不产生长时间的待机时间而提高装置整体的吞吐量。本公开为了应对该问题，提供一种处理效率高的技术。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]根据本公开的一个方式，提供了一种技术，其具有：
[0010]反应器，其能够对基板进行多种处理；
[0011]输送室，其与多个所述反应器邻接；
[0012]输送机器人，其被设置于所述输送室内，能够向各个所述反应器输送基板；
[0013]存储部，其记录与各个所述处理对应的类别信息和与各个所述类别信息对应的处理时间信息；
[0014]计算部，其计算与所述处理时间信息相匹配的时间中的预定处理的处理时间的比例；/>[0015]处理选择部，其根据所述比例，选择进行所述预定处理的反应器；
[0016]处理设定部，其设定为能够在所选择的所述反应器中进行所述预定处理。
[0017]专利技术效果
[0018]根据本公开，提供一种处理效率高的技术。
附图说明
[0019]图1是表示实施方式的基板处理装置的概要结构例的说明图。
[0020]图2是表示实施方式的基板处理装置的概要结构例的说明图。
[0021]图3是表示实施方式的反应器的概要结构例的说明图。
[0022]图4是表示实施方式的气体供给部的概要结构例的说明图。
[0023]图5是说明实施方式的基板处理装置的控制器的说明图。
[0024]图6是实施方式的基板处理装置所具有的表。
[0025]图7是实施方式的基板处理装置所具有的表。
[0026]图8是说明实施方式的基板处理流程的说明图。
[0027]图9是说明实施方式的基板处理流程的说明图。
[0028]图10是说明实施方式的基板处理流程的说明图。
[0029]图11是说明实施方式的基板处理流程的说明图。
[0030]图12是说明实施方式的基板处理时序的说明图。
[0031]图13是说明比较例的基板处理时序的说明图。
[0032]图14是说明实施方式的基板处理时序的说明图。
[0033]图15是说明比较例的基板处理时序的说明图。
[0034]图16是表示实施方式的反应器的概要结构例的说明图。
[0035]图17是说明实施方式的基板处理时序的说明图。
[0036]图18是表示实施方式的反应器的概要结构例的说明图。
[0037]图19是说明实施方式的基板处理时序的说明图。
[0038]附图标记说明
[0039]W
…
基板、100
…
基板处理装置、200
…
反应器、400
…
控制器。
具体实施方式
[0040]以下，参照附图对本方式的实施方式进行说明。
[0041]此外，在以下的说明中使用的附图均是示意性的，附图上的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，在多个附图的相互之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
[0042](第一实施方式)
[0043](1)基板处理装置的结构
[0044]使用图1、图2说明本方式的一实施方式的基板处理装置的概要结构。图1是表示本技术的基板处理装置的结构例的横向剖视图。图2表示本技术的基板处理装置的结构例，是图1α
‑
α
’
的纵向剖视图。
[0045]在图1及图2中，应用本方式的基板处理装置100对作为基板的基板W进行处理，主要由IO载台110、大气输送室120、通路锁定室130、真空输送室140、反应器200构成。接着，对各结构进行具体说明。
[0046]在基板处理装置100的跟前设置有IO载台(装载口)110。在IO载台110上搭载有多个晶圆盒111。晶片盒111被用作输送硅(Si)基板等基板W的载体。进而，具备保管虚拟基板D的虚拟基板保管部112。
[0047]IO载台110与大气输送室120邻接。大气输送室120在与IO载台110不同的面上连结有后述的通路锁定室130。在大气输送室120内设置有移载基板W的大气输送机器人122。
[0048]在大气输送室120的框体127的前侧设置有用于将基板W相对于大气输送室120搬入搬出的基板搬入搬出口128和晶圆盒开启器121。在大气输送室120的框体127的后侧设置有用于将基板W搬入搬出到通路锁定室130的基板搬入搬出口129。基板搬入搬出口129通过
闸阀133而开放、关闭，由此能够进行基板W的出入。
[0049]通路锁定室130与大气输送室120邻接。在构成通路锁定室130的框体131所具有的面中的与大气输送室120不同的面上配置有后述的真空输送室140。真空输送室140经由闸阀134而被连接。
[0050]在通路锁定室130内设置有基板载置台136，该基板载置台136至少具有两个载置基板W的载置面135。基板载置面135间的距离根据后述的机器人170的臂所具有的末端执行器间的距离来设定。
[0051]基板处理装置100具备成为在负压下输送基板W的输送空间的作为输送室的真空输送室140。构成真空输送室140的框体141在俯视时形成为五边形，在五边形的各边连结有对通路锁定室130及基板W进行处理的反应器200(200a至200d)。在真空输送室140的大致中央部，以凸缘144为基部设置有在负压下移载(输送)基板W的作为输送部的输送机器人170。
[0052]设置于真空输送室140内的真空输送机器人170构成为能够利用升降机145和凸缘144一边维持真空输送室140的气密性一边进行升降。机器人170所具有的两个臂180构成为能够通过升降机145进行升降。另外，在图2中，为了便于说明，显示臂180的末端执行器，省略与凸缘144连接的机器人轴等的结构。
[0053]在真空输送室140的外周连接有反应器200(反应器200a至200d)。反应器200以真空输送室140为中心呈放射状配置。
[0054]在框体141的侧壁中的与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法具有：接收与基板的处理对应的类别信息的工序；从存储部读出所述类别信息和与各个所述类别信息对应的处理时间信息的工序；计算与所述处理时间信息相匹配的时间中的预定处理的处理时间的比例的工序；根据所述比例而选择进行所述预定处理的反应器的工序；设定为能够在所选择的所述反应器中进行所述预定处理的工序；向所述反应器输送与所述类别信息对应的基板的工序；以及在所述反应器中进行与所述类别信息对应的处理的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在进行所述选择的工序中，选择与所述比例对应的反应器数。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述处理为成膜处理或改性处理。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述类别信息是成膜处理的信息或改性处理的信息。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述基板在所述反应器中进行了与所述类别信息对应的处理后，被移动到与所述反应器不同的反应器，并进行与所述反应器不同的处理。6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述反应器中的处理时间比所述不同的反应器中的处理时间长。7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述反应器中的处理时间比所述不同的反应器中的处理时间短。8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述处理时间是从所述基板被搬入起到被搬出为止的时间。9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述反应器连接有在第一膜处理中使用的气体供给部和在第二膜处理中使用的气体供给部，所述处理设定部根据所述处理来设定各个所述气体供给部的动作。10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第一模处理中，从在所述第一模处理中使用的气体供给部向所述反应器供给在所述第一膜处理中使用的气体，不从在所述第二模处理中使用的气体供给部向所述反应器供给在所述第二膜处理中使用的气体。11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第二膜处理中使用的气体经由旁通管排出。12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述反应器中具备活化部，所述处理设定部设定为在第一膜处理中不使所述活化部运转，并设定为在第二膜处理
中使所述活化部运转。13.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述存储部还记录各个所述反应器中的所述处理的处理历史记录，所述处理选择部参照所述反应器的处理历史记录信息，以使所述反应器中的所述处理不发生偏差的方式选择所述反应器。14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述处理历史记录信息是每个所述类别信息的累计处理时间的信息。15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述处理历史记录信息是每个所述类别信息的部件使用的累计处理时间的信息。16.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在进行与所述类别信息对应的处理的工序后，记录处理历史记录。17.根据权利要求1所述的半导体装置的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：菊池俊之，大桥直史，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：